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以高温气相氧化法制备的四针状纳米ZnO作为场致发射材料,采用浆料印刷和烧结的方法将其制备成场致发射阴极基板.将阴极板和荧光屏封装成5×25.4 mm二极结构的场致发射显示器,进行了场致发射特性实验,实现了稳定的场致电子发射及简单字符显示.该二极结构ZnO-FED的开启场强为1.5 V/μm,当场强为5.3 V/μm时,发射电流密度可达5.11 μA/cm2.通过实验测定场增强因子约为6 772,表现出了好的场致电子发射性能.实验结果表明了四针状纳米ZnO纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料. 相似文献
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本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点,并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析。 相似文献
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碳纳米管(CNT)具有优良的场致发射特性,是场致发射器件的理想阴极材料。本文介绍了几种碳纳米管阵列的制作方法以及研究碳纳米管场致发射特性的理论和实验进展。 相似文献
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场致发射阴极作为重要的电子源之一,在真空电子器件的发展进程中扮演了重要的角色。在与固态器件的竞争中,真空电子器件朝大功率高频方向持续发展,场致发射阴极的应用使其在器件尺寸、可靠性、功耗和工作频率等方面具备了较大的改进空间。本文综述了近年来大电流场致发射阴极技术进展,特别介绍了碳纳米管场致发射阴极的发展。试验表明在直流测试条件下,该类型场致发射阴极发射电流密度已可达到A/cm2量级,且可以实现长寿命高稳定发射,未来在场致发射阴极微波放大器、自由电子激光器和新型中子源等方面将有广泛的应用前景。 相似文献
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由于优异的显示特性,场致发射显示器被认为是最有发展前景的平板显示器件之一.分析场致发射显示领域的专利有助于了解该领域的技术发展动态.通过检索欧洲专利局的专利数据库,对筛选出的主要场致发射领域相关的专利进行统计分析,讨论了美国、日本、韩国、中国等的厂商在场致发射显示领域技术的发展现状和未来发展趋势,着重研究了我国场致发射显示领域专利的发展趋势和存在的问题. 相似文献
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本文利用广泛使用的PIC粒子模拟软件MAGIC模拟了楔型场致发射真空微电子三极管的一个单元的特性,该单元由一个楔型场致发射体,栅极和阳极组成。研究了栅极电压,阳极电压和发射体顶点半径等对发射电流的影响。给出了一个典型的楔型场致发射真空微电子三极管,当其阳极电压为500V,阳极与阴极相距4μm时的电子轨迹图。模拟结果表明场致发射的栅极开启电压为250V。并得到了三极管高频工作时动力学特性。 相似文献
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描述了真空微电子器件的发展概况,特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场发射阵列研究、低压场发射阵列研究以及场发射平板显示器的现状进行了全面阐述。 相似文献
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真空微电子学的研究与发展 总被引:5,自引:0,他引:5
本文系统介绍了近年来真空微电子不的研究内容,达到的水平和亟待解决的问题,包括真空微电子器件的基本结构,场发射列,微尖结构物理,新材料和新器的探索以及真空微电子学的主要应用。 相似文献
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Wenhui Lu Hang Song Yixin Jin Haifeng Zhao Zhiming Li Hong Jiang Guoqing Miao 《Microelectronics Journal》2008,39(5):782-785
An efficient way to improve field emission characteristic of carbon nanotubes (CNTs) through an Ag micro-particle intermediation layer is presented. In this way, the intermediation layer is deposited on an indium tin oxide glass substrate by electrochemical method and then the CNTs are covered onto surface of the intermediation layer by electrophoretic method as CNT field emitters. The field emission characteristic of the CNT field emitters with the intermediation layer is significantly improved compared to the one without the intermediation layer, including decreased turn-on electric field from 4.2 to 3.1 V/μm and increased emission current density from 0.224 to 0.912 mA/cm2 at an applied electric field of 6 V/μm. The improved field emission characteristic may be attributed to gibbous surface of the CNT field emitters. This efficient way is much simple, low cost, and suitable for production of large scale CNTs–based field emission cold cathode. 相似文献
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HUChen-guo WANGWan-lu LIAOKe-jun WANGHao XIAOJin-long 《半导体光子学与技术》2003,9(4):238-241
The distributions of the electrical potential and field have been given from Maxwell‘s field equations. The results show that there exists very strong electric field intensity on the tip of the nanotube,and the intensity decays rapidly as the distance increases away from the tip. The strong electric field intensity on the tip is consistent with the low threshold voltage under the electric field emission from a nanotube. The calculation also revealed that the higher the aspect ratio is, the stronger the electric field intensity on the tip of the nanotube will be,if the distance and voltage between the cathode and the anode do not change, which predicts the lower threshold voltage under the field emission. 相似文献
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碳纳米管场发射显示器研究现状 总被引:1,自引:0,他引:1
碳纳米管被认为是目前最有前途的场发射显示材料之一。本文将概述碳纳米管显示器件常用的制造工艺,并介绍其发射性质研究和在显示器件应用方面近期的进展。 相似文献