I2C总线应用下的EEPROM测试

I2C总线是最早由PHILIPS公司推出的新一代串行扩展总线,广泛应用于IC器件之间的连接.本文在分析了I2C总线的工作原理及其特点后,通过对台湾CERAMATE公司生产的2Kbits的串行EEPROM芯片24LC02的测试实例分析,提出了I2C总线应用下的EEPROM的一般测试方法.     

256k位串行EEPROM24LC256原理及与DSP的接口应用

本文分析了Microchip公司生产的CMOS I2C接口的串行EEPROM24LC256的功能、特点、工作原理、操作指令及其与DSP TMS320LF2407的硬件接口及软件编程.提供了一个新颖、方便的数据存储系统.     

串行EEPROM X24256的特性及其应用

文章介绍了美国Xicor公司的串行EEPROMX2 4 2 56芯片的特性及工作原理 ,提供了X2 4 2 56与单片机W 78E58的IIC方法 ,并且简要阐述其在手持无线抄表器中的应用     

基于DS18B20及其EEPROM的温控器设计

DS18B20温度传感器本身有2字节的EEPROM可以用来存储上限和下限温度值。本文基于DS18B20和AT89C51设计温度控制器以实现:可由用户自行设置上限和下限温度值,该上、下限值不会随关机而消失;设计为单个按键控制输入上、下限温度值以节约单片机口资源,上、下限温度值范围从-55oC~+125oC可调;即时温度及输入上、下限温度值由数码管显示;通过AT89C51的P2.5口输出加温控制信号,送可控硅实现整机温度控制。     

基于Nios Ⅱ的Serial EEPROM测试方法研究

文章介绍了Serial EEPROM的测试原理,提出了一种基于Nios Ⅱ软核CPU测试Serial EEPROM 的方法,该方法具有稳定性高、所需器件少、可编程、低成本等优点。在Serial EEPROM的大量测试中可以代替昂贵的测试系统,是一种性价比较高的替代测试方案。     

基于一款EEPROM IP核的读写控制设计

对于芯片处理的数据可以在其内部存储,同时又为了简化芯片的设计,可在芯片内部嵌入存储器IP核。本文设计了华虹一款EEPROM IP核的读写时序,采用Verilog语言描述,并在Model Sim SE的环境下进行仿真,实现了数据的读写。     

基于PC打印口的串行EEPROM编程装置

文章介绍了常用串行EEPROM的接口类型 ,设计了一种基于PC并口的廉价串行EEPROM编程装置。     

基于嵌入式MCU数据Flash的数据存储及管理方法研究与实现

本文设计了一种利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法,它将数据Flash的若干扇区划分为多个数据分区,不同数据分区存储数据在不同历史时间的拷贝,最新数据分区存储最新的数据拷贝;在数据读操作进行时,计算最新数据拷贝的Flash存储位置,直接读取该地址;在数据写操作进行时,判断数据写入位置是否已经被擦除,如果写入位置未擦除,将数据写入下一个分区,同时将当前分区中的其他数据复制到下一个分区;如果写入位置已经擦除,直接将数据写入当前分区中。该方法实现了类似EEPROM的数据读写方式,操作方便,应用接口简单,而且可以尽量避免扇区擦除操作,提高存储效率,同时提高MCU内部数据Flash的使用寿命。本文网络版地址：http：//www.eepw.com.cn/article/170167.htm     

基于Hash函数和汉明码的半脆弱水印算法

提出了一种基于Hash函数和汉明码的分散式相关块半脆弱水印算法,用于图像完整性认证及内容篡改定位。将原始图像划分为互不重叠的块,进行多次Logistic混沌映射,定位每个块的相关块,得到汉明码编码需要的bit序列;进行汉明码编码,认证图像的完整性。实验结果表明,本文方案有较好的图像保护能力,能检测和定位各种恶意篡改,例如插入、模糊、锐化、对比度修改和爆裂位,能成功抵抗VQ攻击。     

一种40ns 16kb EEPROM的设计与实现

基于0.35μmCMOS工艺,设计并实现了一个3.3V16kbEEPROM存储器。该电路采用2k×8的并行结构体系。通过优化设计灵敏放大器、位线译码和字线充放电等电路,加快了读取速度,典型值仅40ns;通过编程模式和编程电路的设计,提高了编程速度,页编程时间为2ms,等效于每字节62ms。重点研究了片上高压产生电路,提出了一种在不增加工艺难度和设计复杂度的情况下提供良好性能的电荷泵电路。电路的单元面积为11.27μm2,芯片尺寸约1.5mm2。     

Linux环境下基于I2C总线的EEPROM驱动程序

I2C总线是由Philips公司开发的用于器件之间连接的2线式双向同步串行总线.Linux内核中针对I2C总线的特性,其设备驱动使用了一种特殊的体系结构.介绍了MPC8250处理器上I2C总线控制器的工作原理,并分析了Linux中I2C总线驱动的体系结构,以MPC8250上的I2C总线为例,给出了I2C总线EEPROM驱动程序的设计方法.     

EEPROM单元辐射机理研究

随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足太空及军事领域的需要,文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制,抗辐射性能不如SONOS单元。同时在做抗辐射加固设计时,FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题,且不利于等比例缩小。文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础。     

三线制Microware同步串行EEPROM在MCS-51单片机上的运用

介绍了三线制Microware串行总线及其相关的EEPROM，设计了该类EEPROM与AT89C51的连接和软件模拟，并给出C51源程序。     

三线制Microware同步串行EEPROM在MCS-51单片机上的运用

介绍了三线制Microware串行总线及相关的EEPROM，给出了该类具有三线制Microware总线的EEPROM与AT89C51的连续方式和软件模拟，同时给出了采用C51编写的模拟三线制Microware串行总线的操作源程序。     

基于AT89C52的多处理器嵌入式系统

随着嵌入式系统应用领域的发展，基于性价比、功耗、共享性、可靠性和实时性等诸多因素的考虑，许多嵌入式设计正在采用多处理器体系结构。但同时也带来了处理器间如何协调、相互沟通以确保一致性的问题。提出了I^2C总线和中断相结合的解决机制，并阐述了该机制在远程无线抄表系统中的应用。     

一种内嵌EEPROM的双电源数字电位计设计

设计了一种基于嵌入式EEPROM工艺的双电源数字电位计。通过两线的I2C总线来控制电路内部EEPROM单元,调节数字电位计的输出电阻或电压。电路采用正负电源供电,同时集成了两路256个抽头可变电位计输出。由于内部集成了EEPROM单元,当电路突然掉电后依然保存抽头设置信息,重新上电后,自动恢复到掉电前电阻抽头的设定位置。该电路采用SMIC 0.18μm EEPROM工艺设计,版图面积为6.76 mm2,采用Hsim对整个电路进行仿真。仿真和测试结果表明,该电位计电路的整体非线性小于±1 LSB,级间非线性小于±0.5 LSB,输出电阻温度系数小于±100×10-6/℃,EEPROM上电恢复时间小于5 ms,可广泛应用于控制系统、参数调整和信号处理领域。     

SONOS结构EEPROM单元辐射效应分析

随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足应用的需要,文章比较了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,分析了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出:SONOS结构的EEPROM单元,其抗辐射性能优于FLOTOX结构。并分析了在辐射条件下,SONOS结构受辐射影响的数学模型。文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM研究提供了理论基础。