PPy-CeO2复合薄膜柔性NO2传感器的制备与气敏特性研究

以吡咯(Py)单体为前驱液,六水合三氯化铁(FeCl3·6H2O)为氧化剂,通过化学氧化聚合法与自组装相结合工艺在柔性聚酰亚胺(PI)衬底上制备聚吡咯-二氧化铈(PPy-CeO2)复合薄膜.通过紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及X射线衍射(XRD)、X射线电子能谱分析(XPS)对纯PPy和PPy-CeO2复合材料进行了表征分析,结果表明PPy-CeO2呈典型的核-壳结构.在室温条件下研究了纯PPy薄膜和PPy-CeO2复合薄膜对二氧化氮(NO2)的响应特性,结果表明,PPy-CeO2复合薄膜传感器显示出更优的响应特性,灵敏度为纯PPy薄膜传感器的12.6倍,且具有良好的重复性和选择性.最后讨论分析了PPy-CeO2复合薄膜传感器的NO2敏感机理.     

热处理温度对氧化铟薄膜特性的影响

利用离子束溅射沉积的方式在Al2O3陶瓷基片表面制备了In2O3薄膜,并分别研究了热处理温度对薄膜相结构、电阻-温度特性及气敏特性的影响。结果表明:薄膜相结构受热处理温度影响显著,热处理温度高于600℃时,薄膜相结构由无定形状态变为立方相状态;随着热处理温度的升高,薄膜电阻率显著增大;薄膜对CO气体具有良好的气敏特性,热处理温度为600℃时,薄膜对CO气体灵敏度达到最大值。     

TiO_2/V_2O_5双层薄膜的TMA气敏特性研究

报道了以TiCl4 和V2 O5为源 ,采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)和溶胶 -凝胶 (sol-gel)技术制备了TiO2 /V2 O5双层薄膜 ,将该薄膜沉积在带有金梳状电极的陶瓷管和硅片上 ,进行了X射线衍射(XRD)分析 ,并且测量其对三甲基胺 (TMA)的气敏特性。结果发现该双层薄膜对TMA具有高灵敏度、良好的选择特性和快速的响应恢复特性。     

NO_2气体传感器敏感材料

描述了近十年来用作NO2 气体传感器的酞菁类和氧化物半导体敏感材料。总结了这两类材料的成膜条件、薄膜表面形态和结构以及它们的敏感特性。为优化薄膜的气敏特性提供了参考     

浸渍涂布法制备ITO气敏薄膜

利用含In,Sn成分的水溶液,经浸渍涂布工艺在不同衬底上制备了ITO薄膜(掺Sn的In_2O_3薄膜)。采用XRD、XPS、SEM分析了薄膜的结构,成分和表面形貌;测试薄膜的气敏特性,发现其对NO_2有良好的选择性和灵敏度,而且薄膜显示出长时间良好的工作稳定性,可望制成实用的NO_2敏感元件。     

多孔Al_2O_3薄膜感湿材料的湿敏特性研究

通过对阳极氧化多孔Al2 O3 薄膜感湿材料的制备工艺及其电容湿敏特性进行研究 ,将阳极氧化参数对多孔Al2 O3 薄膜的结构和形态的影响与多孔Al2 O3 薄膜作为湿度传感器感湿材料的湿敏特性联系起来进行分析 ,为优化制备工艺参数提供更充分的实验数据 ,使新型多孔Al2 O3 薄膜湿度传感器具有更好的感湿特性。     

PN结型硅基TiO_2氧传感器的特性分析

采用薄膜技术研制了一种以硅PN结结构为基底材料的TiO2氧传感器,阐述了该传感器的工作原理、结构设计、工艺流程及其特性。给出了磁控溅射工艺制备银电极及TiO2薄膜的方法,利用X射线衍射(XRD)标定了TiO2薄膜的金红石相晶体结构,通过扫描电镜(SEM)分析了薄膜的表面形貌及晶粒结构,讨论了TiO2的氧敏感机理,测试薄膜的敏感特性及响应特性。实验结果表明:硅PN结基底TiO2氧传感器具有工作温度低、低功耗、体积小、线性化好的优点。     

稀土La掺杂SnO_2薄膜气敏特性

用真空热蒸发两步法在玻璃衬底制备SnO2和La掺杂SnO2薄膜。研究氧化、热处理工艺和La掺杂含量对SnO2薄膜结构、气敏特性的影响。结果显示:经T=550℃,t=45 min氧化、热处理后,得到n型金红石结构SnO2薄膜。适当掺La可改善SnO2薄膜结晶状况,掺La后SnO2薄膜对气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善,在气体体积分数为1×10-2时,掺La(5%)的SnO2薄膜对乙醇的灵敏度为12;掺La(3%)的SnO薄膜对丙酮的灵敏度可达到14。     

La掺杂ZnO和SnO2薄膜的气敏特性

真空蒸发沉积薄膜再经热氧化获得n型掺La的ZnO和SnO2薄膜(玻璃衬底)研究掺La含量与热氧化工艺对薄膜的物相结构、表面形貌和气敏特性的影响.实验给出:掺La使薄膜表面颗粒细化,随La含量增加,ZnO,SnO2薄膜平均晶粒尺寸均增大.掺La可明显降低2种薄膜的气敏工作温度相比之下,掺La对ZnO薄膜的灵敏度改善明显优...     

等离子体化学气相淀积TiO2薄膜材料

本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。     

环F2+uF2+u2F2上的(1+u+u2）—循环码*

通过定义一种从环F2+uF2+u2F2到域F2上新的Gray映射,将环F2+uF2+u2F2上的线性(1+u+u2)—循环码等距映射成域F2的线性循环码;进一步又给出了在码长n=3(mod 4)时环F2+uF2+u2F2上的线性(1+u+u2)—循环码的Gray象的生成多项式,这对构造新的好码具有重要意义。     

F2+uF2+u2F2+u3F2上的循环码和自对偶码

构造了一个含有16个元素的有限环,给出了这个有限环上码长为奇数的循环码的必要条件。然后给出了这个有限环上码长为奇数的循环码的一个生成多项式,得到了在这个环上的自对偶码存在的一个充分必要条件。     

环F2+uF2+u2F2上的线性码及其Gray像

记R=F₂+uF₂+u²F₂,R₁=F₂+uF₂,定义了从Rⁿ到F³ⁿ₂的Gray映射Ф以及从Rⁿ₁到Rⁿ的映射f。通过对环R上线性码C的生成矩阵的研究,给出了线性码C的对偶码C^⊥和Gray像Ф（C）的生成矩阵,并且Ф（C）与Ф（C^⊥）是F₂上的对偶码。通过映射f将环R₁上的线性码与环R上的一类线性码对应起来。     

环F2+uF2+u2F2上线性码的深度分布

记R=F₂+uF₂+u²F₂,定义了环R上码字的深度以及R上线性码的深度分布,研究了环R上码字深度的性质,给出了计算环[R]上码字深度的递归算法。利用环R上的线性码C及其生成矩阵,得到了域F2上的线性码C1,Cu,Cu2及相应的生成矩阵。通过域F2上的线性码C1,Cu,Cu2之间的关系,讨论了环R上的线性码的深度谱和深度分布,进而得到R上一类线性码的深度分布。     

二乘(二取二)计算机联锁系统

对新型的二乘(二取二)计算机联锁系统的系统组成、工作原理、主要特点、应用前景进行了介绍。     

A 2-phase 2-D thresholding algorithm

When using 2-D thresholding to segment images, the used threshold would partition the 2-D histogram into four quadrants, two of which are corresponding to the object and background, while the other two are corresponding to edges and noise. However, unsuccessful segmentation will often happen because many existing 2-D thresholding methods ignore edges and noise quadrants in calculation. To solve this problem, in this paper a novel 2-D threshold line segmentation strategy is proposed, in which the second threshold point is determined adaptively by considering the information of incorrectly classified pixels. The experiments on typical images demonstrated that the proposed method achieves very competitive segmentation results in comparison with the existing representative methods.