高跨导增强型GaAsMESFET的制造工艺

制造了一个改进的增强型GaAs MESFET,其中采用了减小源和漏寄生电阻的高剂量Si离子注入,以及用于控制阈电压和减小肖特基栅界面状态的Pt埋栅结构。获得的1μm栅长增强型GaAs MESFET的跨导为250mS/mm。     

亚微米栅长MESFET中的迁移率、渡越时间和跨导

Si、GaAs 和 InP 的亚微米栅长 MESFET 的二维模拟表明:器件渡越时间和跨导对高场扩散系数和速/场特性的依赖关系胜于对低场迁移率的依赖。合理的 InP 器件比 GaAs 器件有更短的渡越时间和更高的跨导,并且 InP 器件的某些参数的优值系数也能与硅和 GaAs 器件媲美。     

极高跨导亚微米栅InGa As/InP结型场效应晶体管

InGaAs’InP结型场效应晶体管首次达到了260mS/mm的极高跨导,制作工艺采用能够获得亚微米栅(0.5μm)的化学腐蚀技术。利用自对准工艺,得到了极低的通道电阻。     

H型栅结构的亚微米PDSOI MOS器件的跨导双峰效应研究

A bimodal effect of transconductance was observed in narrow channel PDSOI sub-micron H-gate PMOSFETs,which was accompanied with the degeneration of device performance.This paper presents a study of the transconductance bimodal effect based on the manufacturing process and electrical properties of those devices.It is shown that this effect is caused by a diffusion of donor impurities from the NC region of body contact to the PC poly gate at the neck of the H-gate,which would change the work function differences of the polysilicon gate and substrate.This means that the threshold voltage of the device is different in the width direction,which means that there are parasitic transistors paralleled with the main transistor at the neck of the H-gate.The subsequent devices were fabricated with layout optimization,and it is demonstrated that the bimodal transconductance can be eliminated by mask modification with NC implantation more than 0.2 m away from a poly gate.     

亚微米结构高Tc超导探测器研制

应用同步辐射技术对ＹＢＣＯ超导薄膜进行光刻，获得０．８μｍ间隔的折线结构，研制成亚微米结构高Ｔｃ超导薄膜红外探测器，敏感元接收红外辐射能量提高约４２％．器件的最好探测率Ｄ＊达到１．８×１０１０ｃｍＨ１／２ＺＷ－１，工作温度约９０Ｋ．     

以0.5μm栅长实现460mS/mm高跨导的GaAsMESFET

<正> 日本NTT研究所通过采用WSiN包封退火法,用以提高杂质分布形状的可控性;采用lu/WSiN两层栅电极结构,将栅电阻降低到原来的1/200(3μQ·cm);采用隐埋p型层技术,使亚微米栅长FET的衬底泄漏电流得     

亚微米离子束技术

本文主要介绍液镓场致发射离子源及其在聚焦离子束加工方面的应用,同时简要评述了离子束微细加工技术研究状况与亚微米离子束的功能特点,展望了亚微米离子束技术的发展前景。     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主，因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ的技术显得愈发相似。本文列举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点。ＢｉＣＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍高但其性能提高一倍。     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极的速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主。因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ技术显得愈发相似。本文例举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点，ＢｉＣＭＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍有增加，但其性能提高一倍。     

亚微米图形曝光机

最近日本加农公司发表了一种用于超大规模集成电路的高精度投影曝光机,并已出售商品,以前人们普遍认为投影曝光方式,在大规模集成电路等微米领域的图形制作中是很有效的。但若用于超大规模集成电路等亚微米领域是不太可能的。加农公司采用综合透镜技术制出了超高分辨率透镜,进而打破了投影曝光方式不能用于亚微米技术的错误结论,成功地制出了亚微米图形曝光机。 用电子束或接触方式制作亚微米半导体器件一般是很有效的。但是,以激光和X线为光源的电子束方式,曝光时间太长。接触方式制备掩模太困难,成品率也低,因此都具有局限性。而投影曝光方式曝光时间短,又由于光掩模不与片子直接接触,所以成品率大大提高。 加农公司的这种新的亚微米图形曝光机不仅可以用作超大规模集成电路,也为超高频晶体管、CCD(电荷耦合器件)等新器件的研制开拓了新的途径。     

亚微米自对准工艺

介绍了一种新的亚微米发射极窗口刻蚀工艺。利用ＲＩＥ技术和边墙隔离技术，无须对位光刻，使发射极窗口精确地位于发射区中央。该工艺简单，具有良好的可操作性和重复性。     

亚微米自对准工艺

介绍了一种新的亚微米发射极窗口刻蚀工艺。利用ＲＩＥ技术和边墙隔离技术,无须对位光刻,使发射极窗口精确地位于发射区中央。该工艺简单,具有良好的可操作性和重复性。     

亚微米激光光刻技术

<正> 对实验室和小量生产,为获得亚微米分辨率最好的办法是采用远紫外曝光光源,如Cd—He或Hg—Xe真空接触方式进行光刻。其缺点是光源的强度低,同时由于光致抗蚀剂的敏感度差,其曝光时间过长,通常需5～10分钟。 最近卡尔修斯公司采用了新的远紫外光源,即采用准分子激光器(波长为193nm)产生的强光束作为曝光光源(激光物质为氟化氩气体)。其曝光时间缩短到15～30秒钟,采用PMMA光刻胶,分辨率小于0.2微米。 这种激光光源可用于该公司的MJB—3和MA56系列光刻机。     

亚微米门极孔径VMED

低电压下工作的场发射真空电子器件，要求尖锐的发射极锥尖和较小的发射极与阳极间距，因此要求首先制作出很小的门极孔径。采用接触曝光、金属剥离、氧化削尖等方法的结合，探索了几种制造具有亚微米级场发射阵列阴极栅孔ＶＭＥＤ的工艺途径。     

韩国公司进军亚微米门阵列

韩国三星、金星、现代和大宇公司现在都在生产1.2微米的半导体产品,只有三星公司率先对0.8微米工艺进行攻关。这个新工艺的投用将使该公司的芯片集成度提高6至7倍,结束了韩国的高集成度 ASIC 须仰仗日美的历史。三星公司新的门阵列可集成2百万个晶体管。目前的40至60MHz 的芯片只利用了可用门数(50万门)的约40％。今年底芯片的金属层数目将增至3～5层,三星公司期望能藉此提高门阵列的利用率。     

光刻亚微米线条研究

本文根据惠更新-菲涅耳原理,研究了提高光刻分辨率,提高光刻套准精度和在制版困难的条件下光刻亚微米线条的几种方法;并用实验证实了结论。     

亚微米级定位装置

目前压电微步进马达或压电转移器可以获得很高的定位精度。压电转移器把电能直接变换成机械运动,因此它在微定位应用中有着许多优点:1)效率高;2)无转动部件,无振动;3)无磨损部件,实际上使用寿命无限;4)速度快;5)体积小;6)分辨率高;7)对环境适应性强;8)最适合于闭路系统使用。但压电转移器也有一些缺点:当膨胀到最大距离的8～15％时,存在滞后特性;在不     

微米、亚微米掩模等离子刻蚀技术初探

本文将着重阐述等离子刻蚀技术在制作超大规模集成电路中精细掩模的优越性及工艺原理。然后结合介绍等刻设备LFE501的特性和具体实验报告，分析等刻技术在进入实用阶段时的技术难点。最后简述一下等刻技术在掩模工艺中的应用前景和由此带来的经济效益。     

亚微米VLSI存储器电路

本文将描述未来VLSI存贮器实现亚微米器件工艺所必需的电路技术。这些技术包括一个片内错误校验和校正电路(ECC电路),一个阈值差分补偿放大器和一个片内电源电压转换器。为此,设计和制造了一个0.25Mb CMOS动态RAM试验电路。 用单晶体管元件设计VLSI存贮器时,α引起的软误差是一个很严重的问题。解决办法是采用双向奇偶校验的片内ECC电路技术。图1示出一个具有片内ECC电路的RAM的逻辑图。除(k×m)基本存储单元外,(k m)奇偶单元也与每个字线相连。沿着同一字线的所有单元构成双向奇偶校验的ECC数据集。基本存贮器单元中的每个这种数据单元都属于两个虚数组:V和H。在读周期内,出现了两种奇偶校验,采用兆位V组、千位H组和2位