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相似文献
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1.
生长了Zn:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光折变性能,并且对晶体进行了正反向极化工艺处理技术,有效地提高了Zn:Fe:LiNb03晶体的光折变性能,使得Zn:Fe:LiNb03晶体的响应速度大大加快,散射噪声变小,存储图像清晰。  相似文献   

2.
在LiNbO3中掺进ZnO和Fe2O3生长了Zn:Fe:LiNbO3晶体。  相似文献   

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生长了Zn:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光折变性能,并且对晶体进行了正反向极化工艺处理技术,有效地提高了Zn:Fe:LiNbO3晶体的光折变性能,使得Zn:Fe:LiNbO3晶体的响应速度大大加快,散射噪声变小,存储图像清晰.  相似文献   

5.
在BSO晶体中同时掺入Ce和Eu离子,生长了Ce:Eu:BSO晶体,对晶体的二波耦合和四波混频性能了测试。结果表明,Ce和Eu离子对晶体的光折变效应起到了增强的作用。  相似文献   

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在LiNbO3中掺进Fe2O3生长了Fe:LiNbO3晶体,并对晶体进行氧化、还原处理。利用二波耦合的方法,测试了不同还原处理的Fe:LiNbO3,晶体的指数增益系数、衍射效率及响应时间。测试了三种不同处理本热固定后的显影效率,记录了全息先栅的记录、热补偿及离子衰减过程。发现不同氧化还原处理的晶体在光折变性能和热固定效果上有不同的表现。  相似文献   

8.
BaF2:Ce,La,Eu晶体的光谱性质   总被引:1,自引:1,他引:0  
  相似文献   

9.
在LiNbO3中掺进不同浓度的抗光折光折变杂质离子In^3 ,生长In(2mol%):LiNbO3和In(3mol%):LiNbO3晶体。研究In:LiNbO3晶体的结构和In^3 离子在LiNbO3晶体中的占位,利用光斑变形法和全息法测试了In:LiNbO3晶体的抗光折变性能,分析了In^3 使LiNbO3晶体抗光折变效应增强的机理。  相似文献   

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11.
在Eu:Fe:LiNbO3晶体的双光束耦合实验中,减小晶体厚度,增大泵浦光束直径,都可使指数增益系数和衍射效率增大,2θ角度响应范围加宽。升高温度亦可增大衍射效率。本文对上述实验结果进行了理论分析。  相似文献   

12.
Eu^3+:LiNbO3Eu单晶的坩埚下降法生长及其光谱性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
选用合适的温度梯度(20~30℃/cm)与生长速度(1~3mm/h),用坩埚下降法成功地生长出了掺杂Eu^3 的LiNbO3单晶。用X射线衍射及DTA分析表征了获得的晶体。生长的晶体无宏观缺陷,在He-Ne激光的照射下,无散射中心。测定了从生长初期下部到生长后期上部晶体的紫外一可见吸收光谱与荧光光谱。观测到分裂的光谱线。结果表明,沿着晶体生长方向,Eu抖浓度逐步减少。Eu抖离子在晶体中取代Li与Nb格位。  相似文献   

13.
Pr:Fe:LiNbO3晶体光折变性能的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
在Fe∶LiNbO3中掺进Pr6011生长Pr∶Fe∶LiNbO3晶体。对晶体进行氧化-还原处理。测试晶体的指数增益系数、衍射效率、响应时间、光电导和信噪比。测试结果Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的响应时间缩短,信噪比提高,克服了Fe∶LiNbO3响应时间长,光电导和信噪低的缺点。以Pr∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储元件实现了全息关联存储。  相似文献   

14.
A polarization-isotropic two-colour light-induced diffraction (LID) phenomenon from thermally reduced congruent and near-stoichiometric Er:LiNbO3 crystals was observed when these crystals were exposed to superposed 632.8?nm probe and 488?nm pump beams. The LID is characterized by expansion of the probe beam spot and the appearance of alternate bright and dark diffraction rings at higher pump light intensities. This phenomenon is absent not only in all other Er-doped crystals which either were as grown or had experienced other post-growth treatments such as vapour transport equilibration (VTE), oxidation and strong annealing but also in a pure VTE-treated crystal even though the crystal was subjected to the same reduction procedure. The LID characteristics of five reduced crystals, which have different Li-to-Nb ratios and different doping levels of Er3+, were studied in detail by changing the light intensity, polarization state and wave vector direction of both the pump and the probe beams. The origin of the LID was investigated from the viewpoints of the red fluorescence of Er3+ excited by a 488?nm pump beam, light-induced scattering and light-induced thermal nonlinearity. The results have shown that the thermal nonlinearity mechanism is preferred as it can reasonably explain almost all the observed experimental phenomena.  相似文献   

15.
采用水热法添加醋酸钠制备了纳米羟基氧化镓(GaOOH)粉体和纳米GaOOH:Eu3+荧光粉,使用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和荧光分光光度计对产物的形貌、晶相和发光性质进行了检测,结果发现醋酸钠(NaAc)在控制晶体粒径和形貌方面起到了非常重要的作用。在140℃水热条件下,未添加醋酸钠下得到的是纺锤体GaOOH,添加醋酸钠得到的是立方体块状GaOOH,在170℃水热条件下,添加醋酸钠得到的是纳米GaOOH粉体,平均粒径约为5nm,并简单讨论了不同形貌GaOOH的生长机制。比较不同温度添加醋酸钠制备的GaOOH:Eu3+荧光粉的发光性质发现,170℃得到的GaOOH:Eu3+发光强度140℃的样品,不同掺杂浓度发光性能结果表明Eu3+浓度为10%(摩尔分数)发光强度最高,是已报道的掺杂浓度的4倍,在掺杂浓度为15%(摩尔分数)观察到了浓度猝灭现象。  相似文献   

16.
采用水热法制备了均匀分散、具有花球形貌的YBO3:Eu3+. 利用X射线衍射仪、X射线能量仪、高分辨透射电镜、扫描电镜等手段对其结构、形貌进行了研究,发现其为六方球霰石晶相,仅含有Y、O、B、Eu元素,微球直径约1~2μm,组装成花球的薄片厚度约100nm. 提出了其形成机理:在水热过程中生成的YBO3晶核在六亚甲基四胺(HMT)的调节下各向异性生长为二维薄片,并最终组装成为花球状结构. 研究发现得到的YBO3:Eu3+在612nm表现出显著的红光发射,并且由于Eu3+附近晶体场对称性降低,样品表现出较高的红光/橙光(R/O)比率.  相似文献   

17.
铌酸锂具有居里温度高、自发强度大等优点,是一种重要的压电铁电材料,在电光装置和声表面装置中有着广泛的应用。本文中分析了铌酸锂粉体的国内外研究进展,简要介绍了合成铌酸锂粉体的几种方法,如sol-gel法、沉淀法、水热法等,以及在合成结构均一、纯度高、颗粒尺寸小的铌酸锂粉体方面的研究及其应用现状。  相似文献   

18.
燃烧法合成CaMoO4∶Eu3+及其发光性能的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用柠檬酸作为燃料,通过燃烧法制备了CaMoO4蓝色以及CaMoO4:Eu3+红色荧光粉.研究了Eu3+的掺入、反应温度以及反应时间对所制得的CaMoO4:Eu3+的晶体结构以及发光性能的影响.XRD谱图分析显示合成样品CaMoO4和CaMoO4:Eu3+均为白钨矿型晶体结构,晶体的结晶度随着合成温度的升高以及保温时间...  相似文献   

19.
采用提拉法从近化学计量比的熔体中生长出尺寸为φ20mm×60mm的优质LiNbO3Cr(CLN)晶体,其光学均匀度为7.05E-005.进行了吸收和荧光光谱的测定研究.吸收谱测试表明Cr3+离子在晶体中有两个宽且强的吸收带及两个微弱的吸收线,两宽带中心波长分别为481和657nm,对应于4A2→4T1和4A2→4T2两个具有相同的总自旋能级之间的跃迁,在4A2→4T2吸收宽带的长波边缘处有个很小的吸收峰,其波长为727nm,对应于4A2→2E(R线)的跃迁.荧光测试表明当激发波长为660nm时,CLN晶体荧光宽带和一个较弱的荧光线峰并存,宽带范围为800~982nm,峰值波长为870nm,对应于4T2→2E,4A2的联合能级跃迁,荧光线峰波长约为752nm,其强度较弱,相应于2E→4A2(零声子线)能级跃迁.计算了晶场强度和Racah参数,其Dq,B,G大小分别为1522.1、542.5和3218.7cm-1,Dq/B=2.81,晶体属于强场介质.研究表明,CLN晶体具备可调谐激光晶体的基本光谱要求,且有良好的物化性能,可以实现宽频带可调谐激光输出.又具有较大的倍频系数,有望实现410nm附近紫外的自倍频激光输出.  相似文献   

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