MOCVD法制备GaSb,GaAsSb,AlGaSb和AlGaAsSb异质外延材料

本文报导了用常压ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＳｂ和ＡｌＧａＡｓＳｂ异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系，优化了生长参数。首次采用组分缓变过渡层和超晶格结构来解决品格失配问题，利用ＳＥＭ和光学显微镜、Ｘ射线衍射仪、电子探针等测量、分析了外延层结构与组分、表面与断面形貌及其电学性质。测得ＧａＳｂ６／ＧａＡｓ结构中非有掺杂ＧａＳｂ层的Ｘ射线双晶摆曲线半峰小于１５０孤秒，霍尔迁移率μ＿ｐ（３００ｋ）＞６２０ｃｍ￣２／Ｖ·８，载流子浓度小于１×１０￣１６ｃｍ￣（－３），接近同质外延水平．     

LPE法GaAlAs／GaAs多层光阴极材料的研制与性质

应用ＬＰＥ法成功地制出了Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ／ＧａＡｓ多层结构材料，讨论了生长过程中铝、锗等元素的行为，测量了载流子浓度分布、少子扩散长度等电学性质，井观察了材料表面形貌。     

AlAs／GaAs双势垒量子共振隧穿二极管

以ＭｏｃｖＤ材料试制了ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双势垒量子共振隧穿二极管，其室温伏安特性为非线性。讨论了材料质量、器件结构、制作工艺等对器件性能的影响。首次报道了有ＡＶ＿（０．１４）Ｇａ＿（０．８６）Ａｓ垫的双势垒结构器件性能，有垫器件性能较无垫常规器件改进很大。     

砷化镓材料发展和市场前景

综述世界ＧａＡｓ材料器件的产销情况、市场前景及ＧａＡｓ材料的发展趋势。预测２０００年ＧａＡｓＩＣ用于通讯将占ＧａＡｓＩＣ市场的７１％,并以年均增长率１５％的速度发展。发光器件１９９９年增长１２％,。其中激光器件增幅最大,达１６％。ＧａＡｓ材料电子哗啦和光电器件的比例约为２：＃。对大直径、低位错、低热应力、高质量的ＧａＡｓ单晶有较大的需求量。ＶＢ、ＶＧＦ和ＶＣＺ是满足这些要求的最佳ＧａＡｓ单晶生长方     

LPE GaAs／Ga1—xAlxAs多层光阴极材料均匀性研究

用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第三代光阴极。     

LPEGaAs／Ga_（1－X）A1_xAs多层光阴极材料均匀性研究

用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的Ｐ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａ１＿ｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ一Ｇａ＿（１－ｘ）Ａ１＿ｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第三代光阴极。     

MOVPE生长CdTe/GaAs薄膜的表面形貌控制

通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施,在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中,用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲基镉（ＤＭＣｄ）、二异丙基碲（ＤｉＰＴｅ）和元素汞,采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ）,在ＧａＡｓ衬底上生长出了ＭＣＴ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进。     

GaAs抛光表面损伤的RBS研究

本文以卢瑟福离子背散射技术（ＲＢＳ）检测了半绝缘ＧａＡｓ（１００）化学机械抛光表面的微损伤状况，并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度。研究了以胶体ＳｉＯ２和ＮａＯＣｌ溶液的混合液对ＧａＡｓ进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响。把ＲＢＳ法同Ｘ射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较，二者对应得很好。通过逐层腐蚀与ＲＢＳ相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度，发现如果抛光条件不适宜，获得的晶片表面尽管目视光洁度很好，也还有一定厚度的损伤层。ＲＢＳ法测得好的非掺半绝缘ＧａＡｓ（１００）（由ＬＥＣ法生长）抛光表面散射粒子最低产额低达３１％，这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层。     

GaAs材料抛光机理的研究

ＧａＡｓ材料抛光机理的研究陈坚邦王云春董国荃（北京有色金属研究总院北京１０００８８）关键词：原子氧ＧａＡｓ抛光机理氧化物１引言ＧａＡｓ材料硬度低、脆性大、缺陷多、易解理、加工困难，在抛光工艺中对单晶材料的缺陷及其完整性非常敏感。目前较多采用化学机械...     

Effect of Zirconium on Tensile Property,Microstructure and Fracture Behaviour of Cast Ni_3Al Based Alloy

ＥｆｅｃｔｏｆＺｉｒｃｏｎｉｕｍｏｎＴｅｎｓｉｌｅＰｒｏｐｅｒｔｙ，ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＦｒａｃｔｕｒｅＢｅｈａｖｉｏｕｒｏｆＣａｓｔＮｉ３ＡｌＢａｓｅｄＡｌｏｙＹｅＷｕｊｕｎ，ＦｅｎｇＤｉ，ＨａｎＧｕａｎｇｗｅｉ，ＬｕｏＨｅｌｉ①Ａ...     

化合物半导体材料加工中的三废防治

讨论了ＧａＡｓ与ＧａＰ的毒性、中毒症状和解毒方法，比较了砷、磷的毒性异同，提出了在ＧａＡｓ与ＧａＰ材料加工过程中开展三废防治的设想。     

MOCVD法GaSb外延层特性研究

报导了应用ＭＯＣＶＤ系统在半绝缘ＧａＡｓ和ｎ－ＧａＳｂ衬底上外延生长的非故意掺杂ＧａＳｂ外延层的特性。通过低温、变温光致发光和霍耳效应测定了ＧａＳｂ外延层的光学和电学性质。ＰＬ测量观察到两种主要的复合机制，Ｄ一Ａ对复合和束缚激子复合的发光，其峰值能量位置分别出现在７７５ｍｅＶ和８０３．７ｍｅＶ，束缚激子蜂（未分辨开的）的半宽度为１０．８ｍｅＶ。     

（100）n－GaAs在H_2SO_4－H_2O_2－H_2O溶液中的腐蚀速度

以Ｃ－Ｖ测量、击穿电压测量并结合逐层腐蚀技术，对ＧａＡｓ外延多层结构的剖面分布进行了测量，获得了ＧａＡｓ（１００）晶片在不同温度下的Ｈ＿２ＳＯ＿４－Ｈ＿２Ｏ溶液中的腐蚀速度数据。结果表明，当Ｈ＿２ＳＯ＿４：Ｈ＿２Ｏ＿２：Ｈ＿２Ｏ＝９：１：１时，对ｎ＝１．１０￣（１４）～１．１０￣（１８）ｃｍ￣－３的ＧａＡｓ（１００）晶片，２０℃时的腐蚀速度为ｖ＝０．３～０．９μｍ／ｍｉｎ．作者认为，这一配方对ＧａＡｓ（１００）多层结构是一个最为理想的减薄腐蚀剂。     

一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法

利用ＳＩＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测量ＳＩＧａＡｓ材料电学补偿度，进而对材料的热学稳定性进行评价的可能性。     

钢包炉（LF）CaO－SiO_2－MgO－Al_2O_3渣系的脱硫试验

钢包炉（ＬＦ）ＣａＯ－ＳｉＯ_２－ＭｇＯ－Ａｌ_２Ｏ_３渣系的脱硫试验郭上型，万真雅（华东冶金学院，马鞍山２４３００２）ＤｅｓｕｌｐｈｕｒｉｚｉｎｇＴｅｓｔｕｓｉｎｇＣａＯ－ＳｉＯ_２－ＭｇＯ－Ａｌ_２Ｏ_３ＳｌａｇｉｎＡＬａｄｌｅＦｕｒｎａｃｅ￥ＧｕｏＳ...     

Synthesis of Phosphors(Ce_(0.67)Tb_(0.33))MgAl_(11)O_(19) and BaMgAl_(10)O_(17)∶Eu~(2 ) by Microwave Irradiation Technique and Their Luminescent Properties

Ｔｈｅｐｈｏｓｐｈｏｒｓ（Ｃｅ０．６７Ｔｂ０．３３）ＭｇＡｌ１１Ｏ１９（ＰＧ）ａｎｄＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７∶Ｅｕ２＋（ＰＢ）ａｒｅｗｉｄｅｌｙｕｓｅｄａｓｇｒｅｅｎａｎｄｂｌｕｅｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔｍａｔｅｒｉａｌｓｉｎｒａｒｅｅａｒｔｈｓｔｒ...     

从砷化镓碎屑中提取镓的研究

在ＧａＡｓ生产过程中，最后的实收率经常不到１５％，剩余的ＧａＡｓ作为碎屑被废弃。从ＧａＡｓ碎屑中回收镓金属很重要，因为这种金属在高技术工业中是一种相当稀少的重要元素。ＨｙｏＳｏｋＬｅ等人进行了用各种酸在不同的搅拌速度、温度和酸浓度下，从ＧａＡｓ碎屑中...     

半导体缺陷工程

介绍了缺陷工程的概念，描述了几种重要半导体缺陷，如表面缺陷、界面缺陷、偏离化学配比等。提出了正面利用缺陷以提高器件的成品率和可靠性。重点阐述了化合物半导体中的位错行为及降低位锗的工艺技术，对与半绝缘ＧａＡｓ研究密切相关的ＥＬ２工程和ＩＴＣＧａＡｓ（倒转热转变）也作了简单介绍。     

Gd—Al—Dy系磁致冷材料的研究

用粒子排列烧结法制备了（Ｇｄ１－ｘＤｙｘ）３Ａｌ２系功能材料。研究了化学配位数ｘ分别为０和０１的二层（Ｇｄ１－ｘＤｙｘ）３Ａｌ２系合金。结果表明，（Ｇｄ１－ｘＤｙｘ）３Ａｌ２系化合物随着ｘ的增加，其居里温度Ｔｃ逐渐降低，二层梯度材料有与各单层相似的二个Ｔｃ，磁熵变化ΔＳｍ随温度Ｔ的变化平缓，因此，改善了材料的磁致冷性能。     

Background Absorption of TmCl_3 and Tm(NO_3)_3 Matrices in Graphite Furnace Atomic Absorption Spectrometry

ＢａｃｋｇｒｏｕｎｄＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎｏｆＴｍＣｌ３ａｎｄＴｍ（ＮＯ３）３ＭａｔｒｉｃｅｓｉｎＧｒａｐｈｉｔｅＦｕｒｎａｃｅＡｔｏｍｉｃＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙＴａｎｇＹｏｕｗｅｎ（汤又文），ＭｏＳｈｅｎｇｊｕｎ（莫胜均）（Ｄｅ...