三相全数字移相触发电路

介绍了一种具有单脉冲和双脉冲模式，并且有缺相保护功能和三相全数字移相触发电路的设计方案，该移相触发电路的相移由输入直流电平连续调节，而输出脉冲则使用100-125kHz方波调制。文中阐述了电路的工作原理，并给出了部分模拟结果。     

KJ006可控硅移相触发集成电路

KJ006可控硅移相触发集成电路主要适用于直接由交流电供电的双向可控硅或反向并联可控硅线路的交流相位控制。它可由交流电网直接供电,而无需外加同步信号、输出脉冲变压器和外接直流工作电源,并且能直接与可控硅控制极耦合触发。该电路具有锯齿波线性好,移相范围宽,控制方式简单,有失交保护,输出电流大等优点,是交流调光、调压的理想电路。KJ006也适用于半控或全控桥式线路的相位控制,亦可由直流供电使用。一、主要电参数 KJ006的主要电参数如下: 1.电源电压自生直流电源电压+12～+14V 外接直流电源电压 +15V允许波动±5％(±10％时功能正常) 2.电源电流≤12mA     

晶闸管数字移相触发电路

在晶闸管整流、调压、调功电路中,移相触发电路是必不可少的.而常用的移相触发电路以模拟移相方式为多,其缺点是移相范围窄、精度低、电路亦比较复杂.所以,使用数字移相触发电路是一种明智的选择.数字移相触发电路如图1所示,各点波形如图2所示.由图可知,电路由工频/方波同步转换电路、锁相环路、移相电路、单稳电路等组成,主电路为单...     

电镦过程中可控硅移相触发和过零触发电路的比较

对电热镦粗过程中可控硅移相触发方式和过零触发电路的工作原理进行了分析，并利用Labview图形化编程语言进行了频谱分析。实践结果表明，过零触发电路具有对电源污染少，负载易于获得良好的正弦波。具有广阔的应用前景。     

多相触发芯片TCA785在磁粉探伤机周向电流控制中的应用

针对现有荧光磁粉探伤机退磁不够稳定的问题,给出了移相触发器TCA785的工作原理及其在车轮轮对荧光磁粉探伤机周向电流电路控制系统中的应用方法。结果表明．基于移相触发器TCA785的磁粉探伤机周向电流控制具有电路结构简单、退磁稳定、稳定性高．对提高荧光磁粉探伤的缺陷检出率,减少列车事故,都具有较高的经济效益和社会效益。     

一种具有触发误差削减功能的数字移相集成电路

介绍了一种新型数字移相触发集成电路的工作原理、内部结构和功能特点，给出了其移相范围和控制精度的计算方法。由于电网的频率不稳定，出现频率漂移。针对此问题，详细分析了触发误差的产生，提出了一种简单易行的减小触发误差的方法。与现在使用的锁相环同步技术相比，该方法具有明显的优势。     

采用556的移相触发电路

可控硅调压、交流装置在工业生产中应用非常广泛。这些装置中的移相触发单元以前均是由分立元件构成的,其控制精度低、线路复杂、元件繁多,可靠性低、而且不易维修。最近一些厂家相继推出了一些专用集成块,但其售价甚高,而且需要正、负两套稳压电源,对于需用系列脉冲触发的电感性负载的设备,还需另加一块集成元件,故线路仍然较为复杂。本文介绍一种用通用集成元件556双时基器构成的移相触发电路。该电路具有移相线性好、温漂小、相位不均衡度小     

应用于片上ESD防护中新式直通型MOS触发SCR器件的研究

在基于0.13μm CMOS工艺制程下,为研究片上集成电路ESD保护,对新式直通型MOS触发SCR器件和传统非直通型MOS触发SCR进行了流片验证,并对该结构各类特性进行了具体研究分析。实验采用TLP(传输线脉冲)对两类器件进行测试验证,发现新式直通型MOS触发SCR结构要比传统非直通型MOS触发SCR具有更低的触发电压、更小的导通电阻、更好的开启效率以及更高的失效电流。     

高功率Nd:YAG激光电源的设计与实现

阐述应用现代半导体可控硅器件作整流源,实现了驱动高功率Nd:YAG固体激光器光源的运行目标.     

PDP用烧成炉及烧结工艺技术的研究

本文对几种PDP用烧成炉的结构和特点进行了比较和分析；介绍了烧成炉设计时的气氛控制、加热器分布及电气控制方法。对PDP材料的烧成技术、工艺进行了研究和分析；最后从降低生产成本的角度，探讨了烧成技术的发展方向。     

一种利用双路相移布拉格光栅的快速微波频率测量方案

采用相移布拉格光栅设计了一种快速微波频率测量方案。通过在上下两支路配置具有不同陷波频率的相移布拉格光栅,再分别与激光源、相位调制器进行融合处理,利用光电探测器输出功率比与待测微波信号频率之间的映射关系建立幅度比较函数,进而实现微波频率测量。理论分析和仿真结果表明,通过调节激光源的载波频率,可改变微波频率的测量范围和测量精度;再结合大范围低精度频率测量和小范围高精度频率测量的两步测量法,可实现高精度的微波频率测量。该方案具有结构简单、测量精度高等优点。     

Design of novel DDSCR with embedded PNP structure for ESD protection* Xiuwen Bi (毕秀文), Hailian Liang (梁海莲), Xiaofeng Gu (顾晓峰)?, Long Huang (黄龙)

通过在常规双向可控硅器件(DDSCR)内部嵌入一个PNP结构,提出了一种新型的静电防护(ESD)器件DDSCR-PNP,以提高器件的维持电压(Vh),降低闩锁风险。首先,分析了DDSCR-PNP器件的工作机理,理论分析表明,内嵌PNP结构(PNP_2)使器件具有很好的电压箝位能力。然后,基于0.35 μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺制造了实验器件,并利用Barth 4002传输线脉冲测试系统进行了分析。测试结果证明了DDSCR-PNP的Vh比传统DDSCR高得多,而且通过调节P阱宽度可进一步增加Vh。然而,当P阱宽度超过12 μm时,DDSCR-PNP的漏电流(IL)出现明显波动。最后,利用Sentaurus仿真分析了影响Vh和IL的原因。结果表明,横向PNP_2有助于提高Vh并降低IL,但其作用随着P阱宽度的增大而减弱,导致IL随之增大。这种新型的DDSCR-PNP器件为高压集成电路的ESD防护提供了一种有效的解决方案。     

使用滑频滤波器抑制孤子相位抖动

采用微扰法,分析了滑频滤波器抑制孤子相位抖动。结果表明,在加入滑频滤波作用后,主要由放大器自发辐射噪声(ASE)所导致的孤子相位抖动,从无任何控制措施时的随距离立方增长变为随距离线性地变化;并且当滤波器中心频率随距离作线性滑动时,上滑频(ω′f>0)方案要优于下滑频(ω′f<0)方案。     

一种用于输出引脚的新型静电防护结构

Electro-static discharge(ESD)is always a serious threat to integrated circuits.To achieve higher robustness and a smaller die area at the same time,a novel protection structure for the output pad is proposed.The complementary SCR devices in this structure can protect not only the output under positive or negative stresses versus VDD or VSS,respectively,but also the power rails at the cost of almost no extra area.The robustness of the proposed structure is about three times higher than the conventional four-finger GGNMOS/GDPMOS structure in the same area condition.     

The novel SCR-based ESD protection with low triggering and high holding voltages

This paper introduces a novel silicon controlled rectifier (SCR)-based circuit. The proposed device using 70 nm DRAM process obtained the high holding and low triggering voltages by using variable IR drop. These characteristics enable to discharge electrostatic discharge (ESD) current and ensure latch-up immunity for normal operations. Also, the proposed scheme is easily implemented through the modification of the metal connection compare to the conventional SCR-based device. We investigated electrical characteristics by both measurements and TCAD simulations. Measurement results showed the proposed SCR had triggering voltage of 6.2 V, holding voltage of 3.3 V, and the second breakdown current of 58 mA/μm.     

由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析

随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一.闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效.对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析.通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证.最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理.     

一种用于提高ESD保护器件开启速度的新型变化横向基区 掺杂结构双触发晶闸管

The turn-on speed of electrostatic discharge （ESD） protection devices is very important for the protection of the ultrathin gate oxide. A double trigger silicon controlled rectifier device （DTSCR） can be used effectively for ESD protection because it can turn on relatively quickly. The turn-on process of the DTSCR is first studied, and a formula for calculating the turn-on time of the DTSCR is derived. It is found that the turn-on time of the DTSCR is determined mainly by the base transit time of the parasitic p-n-p and n-p-n transistors. Using the variation lateral base doping （VLBD） structure can reduce the base transit time, and a novel DTSCR device with a VLBD structure （VLBD_DTSCR） is proposed for ESD protection applications. The static-state and turn-on characteristics of the VLBD DTSCR device are simulated. The simulation results show that the VLBD structure can introduce a built-in electric field in the base region of the parasitic n-p-n and p--n-p bipolar transistors to accelerate the transport of free-carriers through the base region. In the same process and layout area, the turn-on time of the VLBD DTSCR device is at least 27% less than that of the DTSCR device with the traditional uniform base doping under the same value of the trigger current.