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详细评述了由分子束外延(MBE)技术制备的选择掺杂(SD)GaAs/N—Al_xGa_(1-x)As(x=0.3)单异质结的高电子迁移率效应,系统介绍了由此异质结制作的高电子迁移率晶体管(HEMT)的基本结构、主要特性及其在超高速领域中的应用,同其它超高速器件作了简单比较. 相似文献
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富士通研究所最近利用新的原理研制成功划时代的超高速半导体器件(晶体管)。这项成果是6月23日在纽约康奈尔大学召开的第38届器件研究会议上发表的。 这种晶体管称为高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor简称HEMT)。 现在,信息处理机厂商正在研究开发超高速计算机的可能性,这里的关键问题是构成逻辑电路与存储器的基本器件。目前,世界上正在研究的使用硅晶体管的超 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1991,(3)
<正>据日本《O Plus E》1990年第131期报道,日本索尼公司已研制成超超高速HEMT,其电子迁移率可望为目前双极晶体管10倍以上,异质结双极晶体管3倍以上,它属于新一代晶体管.通过控制材料的组分,可望实现1THz级的超超高速晶体管. 相似文献
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由于高的电子迁移率和二维电子气浓度,InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提高器件的工作频率,采用InAs复合沟道,使得二维电子气的电子迁移率达到13000 cm2/(Vs)。成功研制出70 nm栅长的InP基赝配高电子迁移率晶体管,器件采用双指,总栅宽为30 m,源漏间距为2 m。为降低器件的寄生电容,设计T型栅的栅根高度达到210 nm。器件的最大漏端电流为1440 mA/mm (VGS=0.4 V),最大峰值跨导为2230 mS/mm。截止频率fT和最大振荡频率fmax分别为280 GHz和640 GHz。这些性能显示该器件适于毫米波和太赫兹波应用。 相似文献
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配优势将成为下一代高频固态微波功率器件. 相似文献
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目前美、日、德、法等国有许多研究机构、大学、公司正从事开发一种超高速晶体管,其开关速度略大于10微微秒。它不仅有数字开关的功能,而且也能作模拟放大器,频率可高达60千兆赫。这种晶体管有多种名称,例如高电子迁移率晶体管(HEMT/High Electron-Mobility Transistor)或调制掺杂场效应晶体管(MODFET/Modulation-Doped 相似文献
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<正>AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路(MMIC)两种结构形式,功率MMIC尽管其研制成本相对较高,但功率MMIC可实现宽带匹配,同时功率MMIC的体积较内匹配功率管小得多,是满足诸如X 相似文献
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用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz. 相似文献
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汪正孝 《固体电子学研究与进展》1984,(2)
调制掺杂(Al,Ga)As-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管(TEGFET)是一种基于(Al,Ga)As-GaAs的界面处存在着高载流子迁移率二线电子气的原理制成的一种新型场效应器件.科学家们预言这种器件将在微波领域及超高速超大规模集成电路中得到重要应用.本文简述了它的工作机理、基本结构、耗尽型及增强型模式、工艺制造、目前达到的性能与通常的GaAs FET的比较、初步的器件物理分析和伏安特性计算.着重指出分子束外延生长工艺是这种器件的关键工艺. 相似文献