晶体位错链长统计分布理论公式初探

本文在晶内位错链长在空间各向分布几率相等条件下,推导出经半无限区域归一化处理的单位体积内位错链长统计分布理论公式φ(l)dl=2ρl_λ~(-4)l~2 exp(-l~2/l_λ~2)dl金属纯Ni及1Cr18Ni9Ti的实验结果证实了该公式的正确性。     

变形体积不变的位错链长分布参数式及应用

在本文作导出的单位体积但错链长统计分布公式及运动位错密度分量表达式基础上，考虑到位错链长统计分布理论中一定长度以内的不可动位错链组成三维位错网络，获得的变形体体积不变的位错链长统计分布参数表达式为ρｌ＾２λ（２－（２＋２ｗ＋ｗ＾２）ｅｘｐ（－ｗ））＝ｋ式中，ｗ＝ｌ＾２ｃ／ｌ＾２λ也可将运动位错密度ρｍ与网络不可动位错密度ρｎ的关系表达为２ρｎ＝ｋ／ｌ＾２λ＋ｗ＾２／ｌ＋ｗρｍＡｌ－１％Ｍｇ的位错动     

变形体体积不变的位错链长分布参数式及应用

在本文作者导出的单位体积内位错链长统计分布公式及运动位错密度分量表达式基础上，考虑到位错链长统计分布理论中一定长度以内的不可动位错链组成三维位错网络，获得的变形体体积不变的位错链长统计分布参数表达式为式中，w=l2c／l2λ1也可将运动位错密度ρm与网络不可动位错密度ρn的关系表达为Al－1%Mg的位错动态电镜观察结果表明，该两式计算结果能够反映变形过程中位错链长统计分布的变化情况.     

无界金属圆柱介电函数的经典尺寸效应

用非平衡统计计算了无界金属圆柱的介电函数。结果表明,电子非弹性散射的柱体表面会影响金属的内禀介电函数。当柱体半径工减小到可与电子的平均由程相比拟时,     

LiF-KCl熔盐溶液的径向分布函数SCIEI

本文利用X射线散射技术测定和Monte Carlo计算机模拟计算,获得了LiF-KCl熔体的径向分布函数。实验发现,在互易系LiF-KCl熔体中,小离子Li^+与F^-更易形成结合较为紧密的集团,而大离子K^+与Cl^-的结合相对较为松地,即出现“大大小小”效应。     

焊缝金属中疲劳位错结构形成过程的研究

研究的是在循环拉伸载荷的作用下，16Mn钢焊缝中疲劳位错结构的形态及形成过程。通过透射电子显微镜对疲劳试验后的试样进行观察及仔细分析，发现在铁素体的晶粒内，随循环次数的增加，疲劳位错的结构在不断地发生变化，其表现出的形态有位错缠结、位错条带、“胞块”状的位错结构、位错胞及亚晶。     

用改进分析型嵌入原子法计算金属钼中刃位错的弛豫结构和应变能

把MAEAM与MD模拟方法相结合,以Mo为例从原子尺度对bcc金属中的a[100]刃位错的弛豫结构和应变能进行了计算机模拟.结果表明:其弛豫结构具有C2V点群对称性;当离位错线的径向距离R≥1.5b=0.472 nm时,单位长度位错线的应变能Es与ln(R/2b)成线性关系,由此确定的位错芯区半径rc=0.472 nm,由线性拟合的截距和斜率确定的位错芯区的畸变能Ecore=16.334 eV/nm;确定能量表达式中的系数K=105.6 eV/nm3,接近弹性理论的计算值(K=(μ/4π(1-ν))=88 eV/nm3).     

主族金属元素电子脱出功的计算

根据固体物理电子气理论物理模型，提出了一个计算金属表面电子脱出功的计算公式，对２３个主族金属元素电子脱出功的理论计算结果表明，计算值与实验值基本吻合（标准偏差公为１．０３ｅＶ）；同时发现该理论计算值与电子脱出功实验值的关联结果优于Ｐａｕｌｉｎｇ电负性与电子脱出功实验值的关联结果。     

位错密度对大块Fe－3％Si单晶延－脆转变温度的影响

实验证明位错密度有两个量级差异的Ｆｅ－３％Ｓｉ单晶体的延－脆转变温度几乎不变，但与Ｆｅ－３％Ｓｉ多晶体的转变温度比较相去甚远。     

Cu单晶中疲劳早期位错花样演化的观察与模拟

采用离散的位错动力学方法。用计算机模拟循环形变单滑移取向Ｃｕ单晶中疲劳早期位错花样的形成和演化过程,并利用扫描电镜电子通道衬度（ＳＥＭ－ＥＣＣ）技术对其进行了观察。计算机模拟结果与实验观察较好地吻合,提出了在循环形变早其位错脉络的形成和演化是从同号的基体位错墙开始的,基体偶极子位错墙是两个异号基体位错墙合并的结果,在偶极子位错墙破碎并演化为基体脉络的过程中螺型位错段起到了重要作用等观点。     

同位相热机械疲劳形变后γ／γ′相界面上的位错网分析

DD8单晶镍基高温合金经过同位相热机械疲劳（TMF）后，在垂直于应力轴的γ/γ′相界面上存在着大量的六角形位错网。对位错网中的位错进行的分析表明，六角形位错网中的位错都是刃型位错，而且这些位错的Brugers矢量都不与滑移过程开始的滑移系相对应。利用双交滑移模型说明了位错网的形成机制。     

金属表面微区CI~-浓度分布的现场测量

设计研制了微Ag/AgCl 复合电极和微Cl~-选择性液膜复合电极,考察了这两种微复合电极作为传感器用于现场测量金属腐蚀体系表面二维方向微区cI~-浓度分布的可行性。结果表明,微Ag/AgCl 和微C1~-选择性液膜复合电极均可敏感检测金属表面微区C1~-浓度分布,是研究金属局部腐蚀发生发展过程Cl~-的微区行为及局部腐蚀机理的一种重要手段。     

金属表面微区CI~-浓度分布的现场测量

设计研制了微 Ag/AgCl 复合电极和微 Cl~-选择性液膜复合电极,考察了这两种微复合电极作为传感器用于现场测量金属腐蚀体系表面二维方向微区cI~-浓度分布的可行性。结果表明,微 Ag/AgCl 和微 C1~-选择性液膜复合电极均可敏感检测金属表面微区C1~-浓度分布,是研究金属局部腐蚀发生发展过程Cl~-的微区行为及局部腐蚀机理的一种重要手段。     

用临界钝化电流法和液晶法检测金属氧化物膜的缺陷率

用临界钝化电流法和液晶法，研究了不锈钢上Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２的高频溅射膜的缺陷率，建立了ＣＰＣＤ法中与薄膜有关的电流密度Ｉｆ与膜厚ｄ之间的关系式：Ｉｆ＝ｋ（１－θ）＾ｄ，利用液晶的动态散射模型建立了动态无损伤检测膜缺陷率的新方法，并证明了这两种方法的检测结果有良好的直线关系。     

高压泵房除鳞系统使用球形水罐之探讨

本文根据马钢中板厂高压泵房除鳞系统存在严重的气体压力渗漏现象,从气压系统内部,外部进行分析研究,排除了外漏的可能性,对球形水罐内部进行液流分析,得出“在球形水罐内部液流形成的水包气状态,是导致除鳞系统气体压力下降的根本原因”的结论。因此,可以认为在高压泵房除鳞系统使用标准型球形水罐是不妥的。     

中低应变量冷轧AA1050铝合金中晶粒取向与形变位错界面的演变

采用ECC和EBSD技术研究了AA1050铝合金冷轧至中低应变量下位错界面结构的演变. 结果表明, 冷轧至中低应变量下形成典 型的位错胞块结构,其微观组织结构强烈依赖于晶粒的取向. 变形后主要形成三种典型的组织结构: Type A------两组交叉的几何必须位错界面 (GNBs) 结构,Type B------一组GNBs结构, Type C------近似等轴的普通胞状结构. 绝大多数Copper, Brass和Goss取向的晶粒具有Type A结构, S取向的晶粒具有Type B结构, 而Cube取向的晶粒主要具有Type C结构. 变形过程中的GNBs不仅具有与RD成±(30°---40°) 的宏观取向, 而且大多数GNBs位错界面近似平行于由最大Schmid因子所确定的{111}滑移面的迹线.     

柱坐标流函数解析半无限体压入

对平冲头压入半无限体问题建立了柱坐标流函数速度场，证明了该速度场散度为零，旋度为剪切应变速度的２倍。采用上界定理对该速度场积分，变形力与滑移线法结果相一致，证明了流线为一族同心圆（曲线族滑移线），柱坐标流函数的解法比直角坐标的简化。     

成形模拟非增量算法的张量时间函数预求法

针对计及几何、材料、接触摩擦耦合作用的高度非线性过程问题,非增量张量时－空算法具有在整个时间和空间域上迭代求解的高效率优点。由于分离变量采用张量时间函数,以张量时间函数和空间函数的乘积形式表达求解变量的迭代修正值,对问题的列式和求解方法具有更高要求。作为张量时空算法的关键内容,文中讨论了局部步结束时,即逐点在整个时间域上进行材料本构和边界接触摩擦的局部修正后,张量时间函数的预求方法和使用条件     

行波磁场净化液态金属时矩形管及三角形管内夹杂物去除效率的理论解析

采用活塞流及轨线模型,对行波磁场净化液态金属时,三角形及矩形管中夹杂物的去除效率进行了理论分析,找出了提高夹杂物去除效率的途径;对两种形状管的夹杂物去除效率进行了比较;确定了行波磁场能有效去除夹杂物的粒径范围     

金属玻璃TiCu和Zr_(3.12)Ni氢化物中氢原子分布的探讨

利用广角X射线散射测量了金属玻璃TiCu,Zr_(3.12)Ni吸氢前后约化径向分布函数的变化.假定氢原子主要占据由Ti原子或Zr原子构成的四面体间隙,可以定量地解释第一峰的位移.对大γ处具有近似周期性的宽散峰也进行了讨论.