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据报道,日本索尼公司采用低温多晶硅技术,开发了像素数为1024×384,反射率为30%,对比度为17:1的22cm反射式彩色TFTLCD。该器件具有4096显示色,响应速度为18ms,功耗为350mW。据说之所以能取得如此高的反射率和对比度,主要是采用了像素电极的凸凹结构。其次是尽量地提高色纯度.关键是解决相位差极与液晶材料复折射的大小问题,以减少波长分散的发生。该器件计划1999年一季度进行批量生产。22cm反射式彩色TFT LCD@孙再吉 相似文献
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日本ノリタヶ公司使用低成本的厚膜印刷技术,开发了高度为130μm,宽度为30μm的障壁形成技术,用于54cm级1280×1024象素的PDP制作。 相似文献
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日立公司最近推出了 TM26D02VC10英寸有源矩阵 LCD 显示器,它具有640×480个象素,可以与标准的 VGA 方式相兼容。由于采用了集成化彩色滤光片,使每个象素均可显示8种颜色中的一种,包括黑和白色,这种显示器内装有视频数据转换电路,可以直接与 CRT 驱动信号兼容。 相似文献
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据报道,日本索尼公司开发了可输入RGB数字信号的10cm和22cm低温poly—SiTFT反射式彩色LCD。该器件的对比度(17:1)和反射率(30%)在同类产品中是最好的。该器件由于把周边电路与显示器做在同一块玻板上,而实现了高精密和小型化要示,因采用无需背光源的反射式,而实现了显示器的薄型要求并降低了功耗。在该LCD的各个像素表面采用了新开发RMP(RandomMulti-profile)结构的扩散反射电极,故获得了30%的高反射率。此外,该公司开发了BDM(BirefringenceDis… 相似文献
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体薄、量轻、平板化、驱动电压低、功耗小及易于实现彩色化的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD),由于应用于袖珍式彩电上而对显示器件市场产生重大影响。故迄今彩色TFT-LCD已迅速发展成为中型及大型显示器件。预计彩色TFT-LCD将会成为21世纪能取代CRT的主要电子显示器件。 相似文献
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<正> 薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)具有低功耗、低电压驱动、轻薄短小、便于携带等特点,近年来已经广泛应用于监视器、笔记本电脑、可视门铃、汽车VCD、可视电话、安全监控等产品中。随着液晶显示器的技术发展,TFT LCD的应用范围将日益扩大。 相似文献
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跨入21世纪,正式迎来大画面彩色TFT-LCD监视器普及和应用的新时代。14~15英寸XGA(1024×768像素点)彩色TFT-LCD板已开始进入寻常百姓家,它的有效画面已相当于17英寸CRT监视器。它同以往一直使用的CRT监视器相比,以无畸变的画面显示、低功耗化、节省空间和轻便等特点,赢得广大客户青睐。 相似文献
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据美国《Laser Focus World》杂志报道,美国国防高级研究计划局(DARPA)最近授予美国传感器无限公司(SUI)一份总价值为457万美元的合同,要求该公 相似文献
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2002年彩色TFT--LCD全球销售总额已超过300亿美元,成为国际上新的经济增长热点。本文阐述彩色TFT—LCD的发展概况、特性与待研究课题及其技术发展动向。 相似文献
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彩色TFT-LCD发展现状与前景彩色TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)是当今平板显示器中发展最快、技术最成熟、应用领域潜力最广、显示功能最强、显示质量达CRT(阴极射线管)水平的新一代产品。对于液晶显示器市场规模,国际上的测算方式虽不尽相同(例如... 相似文献
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TFT LCD行业标准的探讨 总被引:2,自引:2,他引:0
1 引 言在飞速发展的信息时代 ,显示技术的应用非常广泛。占平板显示器主要市场份额的液晶显示器件 ( LCD)已经成为显示领域不可缺少的产品。随着液晶显示技术的发展 ,LCD的显示质量和容量进一步改善 ,已接近阴极射线显示器 ( CRT)的水平 ,LCD以其重量轻 ,能耗低 ,厚度薄等特性在计时、通信、办公、生活等各个领域得到了广泛的应用 ,并且是便携显示器发展的主要方向。目前我国已有各种从事液晶产业的企事业单位约 1 0 0多家 ,其中包括 L CD生产厂家 ,LCD材料、设备配套厂家 ,大学、研究所和研究中心等。在市场方面 ,目前我国是… 相似文献
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D. V. Borodin Yu. V. Osipov V. V. Vasil’ev 《Journal of Communications Technology and Electronics》2017,62(3):299-303
A photodetector array chip for detection of the optical signal in a wave range of 0.4–1.0 μm; conversion of the optical signal into the electric signal; and its extraction in the analog form to 1, 2, 4, 8, or 16 outputs has been designed, fabricated, and studied. The main parameters of this chip are the following: the charge capacity is up to 200000 electrons, the frame rate is higher than 600 Hz at the maximum resolution, and the integrated sensitivity is up to 1000 V/(lx s). 相似文献