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本文研究了采用LTCC多层布线与铝阳极氧化多层布线工艺相结合的方法制作出三维高密度MCM组件(3D—MCM—C/A)。阐述了3D—MCM—C/A组件的结构,研究分析了LTCC基板与铝阳极氧化工艺之间的兼容性问题。通过LTCC工艺和LTCC基板抛光清洗工艺的控制以及过渡Ta层的设计解决了两者之间的兼容问题;采用LTCC隔板的方式实现组件的垂直互连。在LTCC基板表面采用薄膜淀积的方法以及特殊的“双刻蚀法”制作焊接区,满足了表面器件及垂直互连的焊接,实现了四层2D—MCM—C/A垂直互连。。 相似文献
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3-D MCM 的种类 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了3-D MCM封装的种类,其中包括芯片垂直互连和2-D MCM的垂直互连。芯片的垂直互连,包括芯片之间通过周边进行互连,以及芯片之间通过贯穿芯片进行垂直互连(面互连);2-D MCM模块垂直互连,包括2-D MCM之间通过周边进行互连,以及面互连的模式。 相似文献
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LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C/D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。 相似文献
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X射线检测技术是一种能对不可视部位进行检测的技术。本文利用X射线对3D—MCM中的BGA焊点、基板和隔板之间的焊料凸点、叠层基板间的垂直互连和陶瓷-金属封装等进行检测;对存在于焊点和凸点中的气孔、垂直互连中的开路和封装中的孔洞等进行了分析。 相似文献
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3-D MCM封装技术及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了超大规模集成电路(VLSI)用的3-D MCM封装技术的最新发展,重点介绍了3-D MCM封装垂直互连工艺,分析了3-D MCM封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题,并对3-D MCM封装的应用作了简要说明。 相似文献
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叠层三维多芯片组件(3D Multi-Chip Module,MCM)芯片的位置布局直接影响其内部温度场分布,进而影响其可靠性.本文研究了叠层3D-MCM内芯片热布局优化问题,目标是降低芯片最高温度、平均芯片温度场.基于热叠加模型并结合热传导公式,选取芯片的温度作为评价指标,确定出用于3D-MCM热布局优化的适应度函数,采用遗传算法对芯片热布局进行优化,得出了最优芯片热布局方案,总结出了可用于指导叠层3D-MCM芯片热布局设计的热布局规则;采用有限元仿真方法,对所得的热布局优化结果进行验证,结果表明热布局优化结果与仿真实验结果一致,本文所提出的基于热叠加模型的MCM热布局优化算法可实现叠层3D-MCM芯片的热布局优化. 相似文献
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SiP是实现先进电子设备小型化、多功能化和高可靠性的有效途径。SiP的组装和封装载体是基板。LTCC通过采用更小的通孔直径、更细的线宽/线间距和更多的布线层数能实现SiP复杂系统大容量的布线。通过采用空腔结构可以优化系统元器件的组装,提高散热能力。利用埋置无源元件,可以减少SiP表贴元件的数量。利用3D-MCM和一体化封装可以进一步减少系统的面积和体积,缩短互连线。未来SiP的发展要求LTCC具有更好的散热能力、更高的基板制作精度和更多无源元件的集成。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2013,(6)
基于独立的二维LTCC微波模块间的垂直互连技术展开研究,采用了一种三线型毛纽扣微波垂直互连结构并使用三维电磁仿真软件HFSS对三线型毛纽扣垂直互连结构的模型进行分析与优化。通过对相应工艺的研究,制作了三线型毛纽扣垂直互连样品,其中毛纽扣的高度为3mm,直径为0.5mm。样品测试结果与仿真结果相符,在X波段插入损耗小于1.5dB,回波损耗大于15dB。 相似文献
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LTCC电路是实现3D立体封装的有效形式之一,从LTCC电路的组成材料出发,概述了LTCC电路的特点及典型的生产流程,提出了LTCC电路加工中需要解决的问题,分析了加工中孔互连、印刷控制、层叠环境、烧结控制和腔体保护加工等关键技术以及不同加工方式对产品质量的影响。 相似文献
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本文叙述了采用MCM(LTCC)技术研制生产的S波段的信号接收前端电路,解决了低的噪声系数、多层互连传输模型的建立、混合金属导体技术等关键工艺技术问题,研制的产品经用户使用,完全满足合同指标和使用要求,真正意义上将LTCC技术应用于微波领域,前景广阔。 相似文献
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平面零收缩LTCC基板制作工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
LTCC基板的共烧收缩均匀性受到材料和加工工艺的影响较大,使烧成基板的平面尺寸难以精确控制,成为LTCC基板实现高性能应用的一大障碍,需要重点突破。文章在简要介绍了常见平面零收缩LTCC基板制作工艺技术的基础上,通过精选LTCC生瓷带并设计10层和20层LTCC互连实验基板,提出评价指标,根据自有条件开展了自约束烧结平面零收缩LTCC基板的制作工艺研究,重点突破了层压与共烧工艺,将LTCC基板平面尺寸的烧结收缩率不均匀度由通常的士0.3%-±0.4%减小到小于士0.04%,可以较好地满足高密度高频MCM研制的需要。 相似文献
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一、前言 三维多芯片组件(简称3D-MCM)是在二维多芯片组件(即2D-MCM,通常指的MCM均系二维)技术基础上发展起来的高级多芯片组件技术。二者的区别在于:3D-MCM是通过采用三维(x,y,z方向)结构形式对IC芯片进行立体结构的三维集成技术,而2D-MCM则是在二维(x,y方向)对IC芯片集成,即采用二维结构形式对IC芯片进行高密度组装,是IC芯片的二维集成技术。三维多芯片组 相似文献
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《电子科技文摘》2000,(5)
Y99-61677-83 0007546基于陶瓷的多层 MCM 工艺探讨=Investigations ofmulti-layer ceramic-based MCM technology[会,英]/Su-tono,A.& Pham.A//Characterization of flip-chip CMOSASIC simultaneous switching noise on multilayer organicand ceramic BGA/CGA packages.—83~86(EG)本文介绍了工作在微波频率,基于低温共火结陶瓷(LTCC)的20层多芯片模件(MCM-C)的设计与特性。对此工艺的各个方面进行了实验性研究,包括材料特性、无源器件的 Q 值和三维(多层)互连。建立了设计规则,证实了使用 LTCC 作为多层微波封装的可行性。参6 相似文献