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用半波长替代法进行射频同轴连接器电压驻波比测量时,测得一对连接器的电压驻波比后,为何要估算单个连接器的电压驻波比?本文回答了这一问题,并讨论了单个连接器电压驻波比和一对连接器电压驻波比之间的定量关系。 相似文献
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同轴电缆组件与同轴连接器回波性能的改善 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对电缆组件进行时域分析(TDR),得出了同轴连接器内部的阻抗匹配不一致,导致电缆组件回波值偏高。采用CST一边进行模拟分析连接器内部的结构,一边修改连接器各结构以降低电压驻波比。试验采用改进的连接器组装同轴电缆组件,采用网络分析仪测试,电压驻波比均能满足预定的要求。因此,改进连接器内部各结构,调整内外径比例,对同轴电缆组件的VSWR性能的改善有直接的影响。 相似文献
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本文阐述了微波器件的电压驻波比和反射系数,测量射频同轴连接器电压驻波比的意义。介绍了测量射频同轴连接器电压驻波比的测量方法。 相似文献
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介绍了一种多芯射频圆形连接器的研制过程。该产品是将五只射频同轴连接器采用卡环固定在圆形连接器的安装板中,构成一种五芯射频圆形连接器。该产品采用错位补偿和减小插合端面间隙等措施保证电压驻波比;采用定位及改进密封等保证插合的同轴度。 相似文献
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降低射频同轴连接器电压驻波比的方法探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从分析影响射频同轴连接器电压驻波比(VSWR)的因素入手,对在新产品设计,老产品改造和生产过程中如何降低射频同轴连接器的VSWR的途径和措施进行了探讨,以期取得用户满意. 相似文献
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本文是对降低弯式L16射频同轴连接器电压驻波比问题的探讨。介绍一种弯式补偿设计方法,通过测量对比与生产实践,这一方法正确、可行,并适合于批量生产。 相似文献
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本文讨论了对用来进行电压驻波比测试的测试系统(点频和扫频测试系统)的计量检定问题;介绍了组成点频测试系统的各仪器、器件的作用;讨论了应计量那些参量及计量的方法。 相似文献
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对电连接器绝缘电阻测试、耐电压测试进行了概述;分析了传统上多芯电连接器绝缘测试存在的问题;提出了多芯连接器接触件之间和接触件与壳体之间绝缘的二次测试方法。 相似文献
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介绍了高压电连接器的结构特征和工作原理,以及在产品设计中所采用的技术手段和方法。高压电连接器的理论、工艺、材料和过程控制的研究,是设计高性能高压电连接器的基础。高压电连接器在整个工作寿命期间都要耐受稳态或瞬态高电压,因此,高压电连接器的设计在技术上不仅要考虑材料的绝缘性能和插合界面的密封性,还要考虑在综合环境条件下的耐电压性能。另外,利用ANSYS仿真软件对电力场的分布进行计算和模拟,有助于优化设计和提高产品性能的可靠性。 相似文献
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为了提高连接器的测试效率和测试可靠性,本文提出了一种连接器导通绝缘耐压自动测试系统的设计方案。介绍了该系统的技术指标、工作原理、硬件组成及软件实现。系统采用上、下位机形式构建,上位机采用可视化强的Visual Studio 2013和数据库SQL server2012进行数据管理与分析;下位机通过单路程控绝缘耐压测试仪和万用表进行测试所需的电压施加和信号采集,并利用基于CAN总线的通道切换模块进行测试通道的选择。该系统具有快速、准确、高可靠性和便于人员操作等优点。 相似文献
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为研究电连接器在微动中的摩擦特性及其对电接触的影响,设计了一种能够加速模拟连接器的微动并测量接触对间摩擦力大小的实验装置。给出了一种基于弹性材料连接器的微动摩擦测试机构的设计方法,介绍了仪器测试机构的工作原理并通过理论计算对其结构进行分析,通过有限元仿真和实验验证,该测试仪能够满足设计要求。 相似文献
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随着抗电磁干扰(EMI)连接器(以下统称滤波连接器)的大量产生,滤波连接器衰减测试需要采用GJB1308-91检验方法5.2.6来规范。文章就该标准中涉及的衰减测试系统及其测试夹具进行讨论,分析了测试系统可能产生测量误差的因素,提出了若干对策。 相似文献
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气隙击穿是高电压电连接器设计要解决的主要问题,气隙击穿与连接器的爬电距离、材料的介电强度、插孔接合面压力及电极表面形状等有关。文章对超小型矩形六芯高电压电连接器的设计原理、总体设计、界面设计、接触件设计、灌封等进行了论述。 相似文献
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针对高速传输电连接器研发样机中存在差分阻抗偏小及不连续等问题,基于信号完整性理论提出了更换介质材料和修改接触件及介质尺寸的优化方案。采用HFSS高频电磁场仿真软件优化了接触件引脚直径W_1和引脚与介质体的配合长度L_1,仿真结果表明当引脚直径W_1=1.1 mm时,此时连接器差分阻抗仿真值为100±10Ω,且介质体配合长度L_1对连接器差分阻抗仿真值影响较小。对优化前后的连接器进行了样机加工及差分阻抗测试,测试结果表明改进前连接器差分阻抗范围为84.46~90.68Ω,改进后为92.6~105.3Ω,改进后的连接器差分传输眼图满足典型高速传输电连接器信号完整性传输要求。 相似文献
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本文给出射频连接器内导体间隙引起的电压驻波比的理论计算公式,并以L_(16)型射频连接器的内导体间隙为例,通过实验证明,理论计算值与实际测量值极为接近,误差在±1.0%之内,指出标准L_(16)型射频连接器内导体的极限间隙(0.5mm)在10GH_z时将会产生1.09的电压驻波比,这是不可忽视的。 相似文献