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硫代硫酸盐镀银槽发黑故障的排除 总被引:3,自引:0,他引:3
1 引言 硫代硫酸盐镀银是无氰镀银中应用较为广泛的工艺之一。它在我厂的应用已有10多年的历史。实践表明:(1)镀液的深镀能力和分散能力较好;(2)镀层结晶细致,经镀后处理能制取洁白光亮夺目的镀层;(3)镀层与基体的结合力良好。但是,镀液稳定性较差,易变黑,严重时,无法施镀。10多年来,在稳定槽液,排除故障方面,笔者曾参加过技术质量攻关,取得了一定的实践体会,现归纳如后。 相似文献
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脉冲无氰镀银及镀层抗变色性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用赫尔槽试验筛选出一种阴离子表面活性剂及含氮杂环化合物作为脉;中无氰镀银的添加剂,并初步确定了无氰镀银的工艺条件及脉冲条件一通过正交试验进一步化化脉冲条件及镀银添加剂含量分别为:脉宽1ms、占空比10%、平均电流密度0.6A/dm^2、阴离子表面活性剂及含氮杂环化合物含量分别为12mg/L、110mg/L测定了该镀银层的耐蚀性、抗变色性能及与基体的结合力,并用扫描电镜对其微观形貌进行了观察。结果表明,脉冲无氰镀银层的抗变色性能优于直流无氰镀银层;光亮镍打底后再脉冲无氰镀银,可获得更加光亮、结晶细致的镀银层,且抗变色性能及耐蚀性均增强. 相似文献
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采用黄铜和不锈钢为基体,以SO2-3/S2O2-3为还原剂和配位剂,胺化合物为配位剂,研究了一价铜无氰镀铜工艺,其镀液组成和操作条件为:CuCl2·2H2O 16.0~21.3 g/L,SO32-/S2O2-3 0.475 mol/L,胺化合物0.76 mol/L,H3BO3 36 g/L,葡萄糖0.38 mol/L,光亮剂(有机胺类化合物)0.04 mL/L,温度40℃,pH 8(以KOH调节),搅拌,电流密度0.5~2.0A/dm2.讨论了温度、pH、铜离子质量浓度和光亮剂体积分数对镀层质量及电流效率的影响,分别采用扫描电镜和X射线衍射表征了镀层的表面形貌和结构.结果表明,控制合适的条件可使电流效率超过90%.使用本工艺电镀时,应采用较高的镀液pH,但镀液在存置时宜控制在较低的pH.添加剂能提高镀液的整平性能,使铜镀层只出现(111)和(200)晶面,光亮度提高,晶粒更细小、致密,颗粒分布均匀. 相似文献
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无氰镀银的工艺与技术现状 总被引:6,自引:3,他引:3
介绍了无氰镀银的发展过程和技术现状。由于表面添加剂技术的进步,使以前开发的工艺中存在的某些工艺或技术问题得到了解决。这些添加剂或者提高了无氰镀银工艺的电流密度,或者提高了光亮度或表面活性,从而使无氰镀银工艺的工业化成为可能。 相似文献
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无氰镀液脉冲电镀制备金靶的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
通过在无氰镀金液中加入合适的配位体优化镀液性能,并用脉冲电镀法制备出惯性约束聚变(ICF)金靶。讨论了该体系镀液在电镀时的温度、电流密度、极间距、频率和占空比等工艺对镀层性能的影响,利用SEM对样品的形貌进行了表征;利用电化学工作站对镀液进行了分析。得到了适合制备ICF金靶的亚硫酸盐镀金液及相应的脉冲镀金工艺的最佳条件:亚硫酸铵610 mL/L,金13 g/L,柠檬酸钾55 g/L,氨水140 mL/L,1-羟基乙叉-1,1-二膦酸(HEDP)1.32 mol/L,氨基三甲叉膦酸(ATMP)1.32 mol/L,pH=7~8,温度45℃,频率300 Hz,占空比1∶7,电流密度0.3~0.1 A/dm2,极间距6 cm。 相似文献
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齿轮齿型面形状复杂,直流电镀银时各处电力线分布不均,造成镀层厚度不均匀,影响齿轮啮合。采用双向脉冲电源镀银,从镀层外观、厚度均匀性等方面进行比较,优选出最佳工艺参数。结果表明:镀层在外观和厚度均匀性上有较大的改善,镀层结合力、纯度及氢脆性均符合AMS 2412的要求。 相似文献