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1前言世界表面处理技术的发展过程(见图1)。电弧离子镀真空蒸发镀磁控溅射离子镀磁控溅射等离子体激光热处渗氮/渗电镀化学气相沉热喷涂物理气相沉积图12磁控溅射离子镀2.1磁控溅射离子镀磁控溅射离子镀(MSIP)是指基体带有负偏压的磁控溅射镀膜工艺,它把磁控溅射的优点(成膜速率高、源为大平面源,有利于膜层厚度均匀)和离子 相似文献
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TiN膜层和TiC膜层具有高的硬度、低的摩擦系数和良好的化学稳定性。应用离子镀方法在工模具表面沉积一薄层超硬TiN膜层或TiC膜层,可显著提高工模具的使用寿命,因此,离子镀层在工模具上的应用将越来越广。 1.离子镀工艺过程 离子镀是真空蒸镀与气体放电相结合的一种沉积技术。离子镀的方法有Mattocks法、RF法、ARE法和HCD法,在工模具制造中广泛应用的是HCD法,即空心阴极放电法,先用真空泵抽真空,并向真空室通入反应气体,使真空度保持在10~(-3)~10~(-2)Pa范围内,利用低压大电流的HCD电子枪使蒸发的金属或化合物离子化,并在工件表面堆积成一层保护膜。为提高效率,在工件上加以负电压。 相似文献
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大多数机械零件往往是由于磨损、腐蚀、疲劳等与表面有关的原因而导致失效。为了提高零件的使用寿命,除了正确地选择材料,合理地确定冷热加工工艺之外,改进零件表面性能,已成为重要的研究课题之一。用蒸镀方法在零件表面上,沉积一层与基体材料的物理化学性能不同的薄膜称之为,蒸镀薄膜技术。蒸镀薄膜的工艺,主要有化学气相沉积(CVD),溅射(Sputting)和各种离子镀(如离子镀Mattox法、射频离子镀RF.I.P、空心阴极型离子镀HCD.I.P、感应加热离子镀(I.Gum.I.P)、低压等离子 相似文献
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《机械科学与技术》2010,(8)
为了解决飞机结构中TC4钛合金与T250结构钢的接触腐蚀问题,研究了采用TC4钛合金表面真空电弧离子镀Al膜层、镀TiN膜层,结构钢更换材料,以及两种方法联合的技术途径的可行性。依据航空标准,采用电化学测试技术评价了有关电偶对的腐蚀等级,采用盐雾腐蚀试验方法研究了组合件的接触腐蚀敏感性。研究结果表明,TC4钛合金与T250结构钢之间存在显著的电偶腐蚀。TC4钛合金表面真空离子镀TiN或镀Al后钝化处理,仍然与T250钢之间存在显著的电偶腐蚀敏感性。用0Cr17Ni7Al钢和0Cr15Ni5Cu2Ti钢分别取代T250钢,虽然电化学测试结果表明更换钢与TC4钛合金之间电偶腐蚀敏感性低,但是组合件的盐雾腐蚀试验结果表明仍然存在明显的缝隙腐蚀现象。采用TC4钛合金表面离子镀TiN处理,同时以0Cr17Ni7Al钢取代T250钢,则有效解决了TC4钛合金与结构钢组合件的接触腐蚀问题。 相似文献
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真空离子镀膜技术是近几十年才发展起来的一种新的镀膜技术。由于真空离子镀具有许多传统电镀(也叫水镀)和其它真空镀方法所无法比拟的优点,因此,这一技术一诞生,就受到人们的重视,发展迅速,应用领域也愈来愈广,手表外观件离子镀金就是这一技术应用的成功范例。 相似文献
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磁控溅射法制备NiCr/NiSi薄膜热电偶温度传感器 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了NiCr/NiSi薄膜热电偶制作方法与过程。与多孤离子镀法相比,采用磁控溅射法镀制的热电偶薄膜成分与靶材接近,膜层致密均匀、平整光滑,临界厚度薄。对研制的NiCr/NiSi薄膜热电偶进行了静态标定与动态标定,薄膜热电偶的灵敏度为40.1μV/℃,线性误差不大于0.75%,时间常数小于0.35ms.最后将薄膜热电偶温度传感器用于化爆材料模拟切削试验。 相似文献
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钴基高温合金表面电弧离子镀NiCrAlY涂层的抗高温氧化性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电弧离子镀在钴基高温合金K640基体上制备了NiCrAlY涂层,并进行了真空退火处理。通过X射线衍射、扫描电镜和能谱分析等技术对涂层的相结构和基体及涂层在1 000℃下的抗循环氧化行为进行了研究。结果表明:沉积态涂层主要由γ-Ni、γ′-AlNi3和β-Ni Al等物相组成,元素分布均匀;涂层真空退火后衍射峰尖锐,晶粒明显长大,主要由γ-Ni、γ′-AlNi3、β-Ni Al和α-Cr以及极少量的Cr23C6组成。涂层在循环氧化过程中形成Al2O3保护膜,经过100次循环后Al2O3氧化膜仍然完好。真空退火可使溅射涂层表面较早生成保护性能良好的α-Al2O3氧化膜,提高了涂层的抗氧化性能。 相似文献
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利用正交试验和极差分析方法,分析了多弧离子镀Ti/TiN复合膜中工艺参数(弧电流、氮气分压、基体负偏压、钛过渡层厚度)对Ti/TiN复合膜的纳米硬度和膜与基体的结合力的影响及主次关系,并通过正交试验对工艺参数进行了优化。研究表明,氮气分压和弧电流是影响Ti/TiN复合膜纳米硬度的2个最主要因素,膜层与基体的结合力随着弧电流的增加而下降;升高基体负偏压,虽然可以提高Ti/TiN复合膜纳米硬度和膜与基体的结合力,但是高负偏压将急剧升高基体温度,可能导致基体退火;沉积一定厚度的钛过渡层可以显著提高TiN膜层与基体的结合力。 相似文献
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基片负偏压对PEMSIP法高速钢基体TiN涂层结合的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用等离子体增强控溅射离子技术,在高速钢基体上沉积TiN之前先镀一层很薄的钛膜做界面膜,继之再沉积TiN,利用能谱分析研究界面附近的元素成布,通过刻痕试验测定膜与基体之间的结合力。结果表明,沉积钛界面膜时基片负偏压愈大,基体与界面膜之间的过渡区就愈明显,膜与基体结合性能愈好。 相似文献
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介绍了采用脉冲多弧离子源镀制镍铬铁合金膜的新技术,研究了采用这一新技术镀制镍络铁合金膜的镀制工艺,对采用这一新技术氙镀制的镍络铁合金膜进行了性能测试。结果表明:选用合适的工艺参数,采用这一新技术镀制的镍铬铁合金膜膜层均匀,牢固度好,膜层尬发与脉冲多弧离子源阴析靶材成分含量误差小±3%,符合实际应用要求。 相似文献