朗谬尔（LB）热电薄膜及其在热电器件方面的应用

LB膜是一种由有机高分子定向排列组成的单分子层或多分子层薄膜材料。通过沉积两种不同种分子的交替层,可以形成非中心对称结构的热电性LB膜,是制作红外检测系统用热电元件的新型有机薄膜材料。本文主要叙述LB膜的制法、热电性膜的制法、热电性LB膜的进展概况及其在热电器件方面的应用和性能评价。     

90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响

通过实验对适用于90nm多晶硅栅刻蚀工艺中过刻蚀阶段等离子体的性质进行了研究分析.实验采用满足200mm硅晶片刻蚀的电感耦合多晶硅刻蚀设备,借助等离子体分析仪器(朗缪尔探针)进行实验数据测定,得到了等离子体性质与功率、气体流量等外部参数的关系.实验表明在射频功率增加的过程中,能量耦合系数处于一个相对稳定的常值;当等离子体处于局部加热状态时,绝大部分的电子处于附着状态,维持等离子体的电子数目相对减少.等离子体中的射频能量耦合空间随着射频功率的增加,分布状态会变得更加一致化.     

90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响

通过实验对适用于90nm多晶硅栅刻蚀工艺中过刻蚀阶段等离子体的性质进行了研究分析.实验采用满足200mm硅晶片刻蚀的电感耦合多晶硅刻蚀设备,借助等离子体分析仪器(朗缪尔探针)进行实验数据测定,得到了等离子体性质与功率、气体流量等外部参数的关系.实验表明在射频功率增加的过程中,能量耦合系数处于一个相对稳定的常值;当等离子体处于局部加热状态时,绝大部分的电子处于附着状态,维持等离子体的电子数目相对减少.等离子体中的射频能量耦合空间随着射频功率的增加,分布状态会变得更加一致化.     

紫外预电离TEA CO2激光器初始电子密度的分布

本文对紫外预电离TEA CO2激光器主电极间预电离出的电子密度进行了探讨,分析了产生光电离的离化机理,给出了电子密度的变化规律。结果表明电子密度的横向分布很不均匀,从而提出了使其均匀化的简单方法。     

高气压横流CW CO_2激光器的效率特性

本文研究20～1300Torr压力范围内激光效率(包括电光效率η_EI、电一振动能转换效率η_EV,以及振动一光能转换效率η_VI)及输出耦合度随压力的变化关系.结果表明,在高压与强辐射场作用下存在电子对激光介质多次振动激发的可能性.     

横流放电CO_2激光器能量转换的特性和机制

模拟计算分析了横流放电CO_2激光器中介质气压、流速、光腔位置、腔中辐射强度、输出耦合度等因素对介质各能态间能量转换特性的影响.     

高功率红外横流CO_2激光器光学谐振腔的仿真研究

谐振腔是激光器的核心部件,光学谐振腔理论的重点是高斯光束.本文应用SIMULINK集成软件包对高功率红外横流CO2激光器谐振腔的高斯光束进行了仿真,分析了仿真参数对仿真系统的影响,并提出了仿真系统的应用.     

横流放电CO_2激光器的增益饱和参量及其变化

采用数值模拟计算与物理分析相结合的方法,给出了流动气体激光器的饱和增益代数表达式和增益饱和参量,并定性分析了影响器件性能的、一些因素和机制.     

大功率横流CO_2激光横模的测量与模拟

在用大功率激光光束分析仪测量连续运转的7kW横流CO2激光横模的基础上,对激光横模建立了谐振腔的光波传输方程并进行了数值求解。模拟所得横模模式与实测的模式基本相符。分析表明:实验观测到的高阶横模“双模“的形成原因,是串接式谐振腔的前腔和后腔两者的粒子数反转密度空间中心不重合而形成的。     

千瓦级连续CO_2激光器电子温度的自动双探针测量系统

本文提出了用Z-80微型机控制的电子温度双探针自动测量系统,给出了数据处理的软件程序。在HGL-81型2kW级CO_2激光器上对放电等离子体进行了测量。在不同电流、不同气压、不同气体混合比例、不同位置测得的平均电子温度为(1.7～3.2)eV,平均电子浓度为(0.62～1.36)×10~(11)cm~(-3),平均比电场为2.0×10~(-16)V·cm~2。     

朗缪尔探针在射频离子源中的扰动仿真研究

准确的等离子体参数信息对射频离子源的研制十分重要,为获得这些关键参数,需要借助朗缪尔探针作为研究手段.研究利用COMSOL软件作为研究平台,建立射频离子源的几何模型,并加入探针作为变量,通过仿真模拟得到不同功率下的电子密度、电子温度分布,通过对比有、无探针加入的情况下所得参数的变化趋势,来分析朗缪尔探针对射频离子源的扰...     

静电摇摆器自由电子激光的自发辐射

基于静电摇摆器中电势场的一种典型二维模型 ,在小振幅振动情况下讨论了相对论电子束在其中的运动规律 ,计算得到了该类型自由电子激光的自发辐射谱。上述结果与平面磁摇摆器有类似的形式     

A langmuir probe investigation of electron cyclotron resonance argon-hydrogen plasmas

We report on the physical attributes of an argon-hydrogen plasma and the effects that induced changes in these attributes have on the physical and electrical characteristics of the plasma itself. Changes in the plasma conditions of these argon-hydrogen plasmas due to variations in microwave power, DC biasing, gas concentrations, and pressures were measured. We determined that increasing the hydrogen flow increases the sheath potential of the plasma, thereby increasing the arrival energy of ions at the surface of a sample placed in the plasma. Even with the decrease in plasma density from an increase in hydrogen input flow, we found the ion current is maintained in the predominately hydrogen plasma and is likely compensated by the high velocity and long mean free path of the hydrogen. We also observed that increasing total pressure also results in hydrogen ions dominating the total number of ions reaching the Langmuir probe and therefore the sample during processing. Last, a model based on the ion/electron energy ratio was developed and used to determine the relative ion concentrations of hydrogen and argon ions.     

激光辐照双段靶引起的界面电子密度极不均匀分布和强X射线发射

由激光辐照双段靶产生的等离子体特性分析,结果表明,在段靶间隙区域具有很高的电子密度且分布极不均匀,并发射极强的X射线。     

GZAF Windows版电子探针定量分析

采用VB和VC开发的电子探针软件GZAF可运行于Win98等操作系统,GZAF具有较完善的定量分析功能,自动化,智能化和灵活程度较高。一次可分析的元素数约40个,一个分析报告可容纳的分析点数只与仪器的寿命和硬盘容量有关,定量分析采用数据库和电子表格方式,分析报告方式有数据库。文本、平面或立体图形和图像,所有报告都可以直接在通用软件如Word,Excel,Access,PhotoShop,MathCAD等中引用和加工。有较丰富的电子探针定量分析实用程序和辅助功能,如以任意元素为主参考元素的分子式计算;化学式创建;Fe的价态计算和矿物端员组份计算;X射线全谱拟合（为背底位置和峰位的选择及避免重叠峰提供直观指导）,标样库;全面的联机测试和仪器基本参数设置,谱位动态校正,谱平移校正,质量吸收系数设置,谱仪驱动方式选择,样品面／线定量分析和图像显示等功能,GZAF软件也可以脱机使用,为所有探针用户提供方便。     

电子探针的样品台扫描成像技术

用微型计算机与电子探针控制机通讯,实现对各道波谱仪和样品台的实时控制,以及对各道定标器的数据采集;在选定的样品区域上设定采样步长和时间,边移动样品台边采集各道Ｘ射线强度;用伪彩色、三维视图和内插放大等方式显示图像,解决了低倍Ｘ射线像失真问题,观察到了辉石的隐环带等现象。     

Continuous measurement of electron density in unmagnetised plasmas by a self-oscillating probe

We show experimentally that it if possible to measure continuously the electron plasma density using a mutual impedance probe working in a self-oscillating mode at the plasma frequency. The comparison of the experimental curves obtained in unmagnetised plasmas either in a classic sweep-frequency mode or in a self-oscillating mode emphasises the excellent accuracy of this new diagnostic method.     

Leakage current in single electron device due to implanted gallium dopants by focus ion beam

Focus ion beam (FIB) technology has been employed to fabricate quantum dot based devices such as the single electron transistor (SET) on a silicon substrate with Cr/Au/Al₂O₃ film stack. It was discovered that the dwell time of FIB gallium beam on an area impacted the dosage of gallium ions implanted into the insulating substrate, creating a highly doped region which could lead to device leakage current. This work focus on the potential electron transport possible when an over-dosed gallium rich Al₂O₃ layer will lead to leakage current between otherwise electrically isolated contact pads. Using the Keithley 4200 semiconductor parametric analyzer (SPA) and the energy dispersive X-ray spectrometer (EDS) analysis; we demonstrate the detrimental effect of leakage current in the range of pA, observed between drain/source electrodes due to the high dose of gallium implanted into the insulating Al₂O₃. The optimized FIB etching parameters to produce a high quality of device functionality with no leakage current is also demonstrated.     

电子探针定性分析软件的研究与开发

针对日本岛津公司EMX－SM7型电子探针定性分析系统进行了方法研究,并用Visual C^ 语言,在Windows操作平台上,设计了定性分析软件,采用边采集数据,边识别谱线的方法,实现了对样品的快速准确定性分析,同时可以显示元素特性X射线谱线,并增加了样品线分析功能。     

Measurement of temporal behavior of electron density in adischarge-pumped ArF excimer laser

Time-resolved number densities of electrons in a discharge-pumped ArF excimer laser are measured by an interferometric method. The peak electron density is 6.7×10¹⁵ cm^-3 at a total gas pressure of 2.5 atom, a gas mixture ratio of F₂-Ar-He=0.2-10.0-89.8, and a charging voltage of 24 kV for a 68-nF storage capacitor bank. The dependences of the electron density and laser output power on the Ar and F₂ fractions in Ar-F₂-He mixture and on the Ne-He mixing ratio in Ar-F₂ -He-Ne mixture are investigated, and the effects of Ar-F₂ -He-Ne mixing ratio on the ArF laser discharge are discussed. The experimental data of the peak electron density are also compared with the results of a computer simulation. A good agreement between them was obtained by considering the fact that the actual discharge volume occupied only part of the electrode width