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电离辐射引起MOSFET跨导退化的机制 总被引:1,自引:0,他引:1
通过研究60Cor射线对MOSFET跨导的影响,定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Si/SiO2界面态密度增加分别与NMOSFET和PMOSFET跨导衰降之间的依赖关系。试验表明,对于PMOSFET,电离辐射感生氧化物正电荷累和界面太度增加降导致器件跨导退化。对于NMOSFET来说。这种退化只与辐射感生界面态密度增长有关。 相似文献
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分析研究了不同偏置辐照和退火条件下,P沟和N沟MOSFET的漏电流变化特性。结果表明,PMOSFET的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的栅偏压关系;注FPMOSFET的辐射感生漏电流增长小于未注F样品;NMOSFET辐照后漏电流随时间的退火呈现下降、重新增长和趋于饱和的特征,注F对退人过程中漏电流的重新增长有一定的抑制作用。 相似文献
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分析研究了用注F工艺制作的CC4007 电路电子和X射线辐照响应结果。实验表明,把适量的F注入栅场介质,能明显抑制辐射所引起的PMOSFET 阈电压的负向漂移和NMOSFET阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加。I-V特性表明,栅介质中的F能减小辐射感生氧化物电荷和界面态的增长积累。注F栅介质电子和X射线辐照敏感性的降低,是Si-F结键释放了Si/SiO2 界面应力,并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的Si-H弱键的缘故。 相似文献
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掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性,阈电压和界面态。结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降,采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性、阈电压和界面态.结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降。采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐射特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
分析研究了H2+O2合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注F和P的沟和N沟NOSFET,在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ids-Vgs亚阈特性的辐射影响应。结果表明,多晶硅栅光刻前注F比光刻后注F和未注F,具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力。其辐射敏感性的降低可能归结为SiO2栅介质和Si/SiO2界面附近F的浓度相对较大以及栅场介质中F注入缺陷相对较少所致。 相似文献
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在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上,着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应,包括电离辐射效应、瞬态辐射效应和中子辐射效应,并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法。涉及的器件包括:CMOS/体硅电路,CMOS/SOS电路,GaAsMESFET及其电路,电荷耦合器件等。 相似文献
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星用微电子器件辐射效应及加固途径分析 总被引:3,自引:1,他引:2
在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上,着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应,包括电离辐射效应,瞬态辐射效应和中子辐射效应,并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法,涉及的器件包括:CMOS/体硅电路,CMOS/SOS电路,GaAsMESFET及其电路,电荷耦合器件等。 相似文献
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EEPROM单元结构的变革及发展方向 总被引:3,自引:2,他引:3
扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)发展史上的各种结构如FAMOS、MNOS、SIMOS、DIFMOS、FETMOS(FLOTOX)等,比较了它们的优缺点,着重论述了EEPROM结构今后的变革方向。 相似文献
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双栅MOSFET的研究与发展 总被引:1,自引:0,他引:1
具有特殊结构的双栅MOSFET是一种高速度、低功耗MOSFET器件,符合未来集成电路发展的方向。文章介绍了多种双栅MOSFET的结构、优点,以及近年来国内外对双栅MOSFET的研究成果。 相似文献