增益开关半导体激光超短脉冲研究

本文对增益开关法产生半导体激光超短脉冲进行了理论分析和实验研究，得到一些有意义的结论．     

用半导体激光器产生超短脉冲

用半导体激光器产生超短脉冲一、前言光是具有极高频率的电磁波，其主要特征之一是可超高速传播信息，在电子学领域中应用的前景早就引人注目。表征八十年代量子电子学的工作可以列举如下：开发出飞秒（１０－１５Ｓ）脉冲激光器，研究出脉冲宽度压缩方法，超高速检测技术...     

增益开关半导体激光器超短光脉冲消啁啾研究

增益开关半导体激光器的输出光脉冲具有“红移”啁啾，本文对具有不同时域及频域特性的啁啾光脉冲采用F－P滤波和正常色散光纤补偿两种消啁啾的效果进行了理论研究．结果表明，这两种消啁啾方法在单独运用时，都只能在一定的超短光脉冲脉宽和诺宽特性条件下，获得近变换极限光脉冲，而两种消啁啾方法的结合则可以改善消啁啾效果．实验结果也证明了理论计算的结论．     

用半导体激光器的增益开关特性产生光脉冲

本文从理论上研究了用半导体激光器的增益开关特性产生光脉冲的机理,得出产生光脉冲的最佳条件并解释了以前的实验结果。     

超短脉冲增益开关半导体激光系统研究进展

由增益开关半导体激光器和相应的注入锁定技术、脉冲压缩与整形技术、脉冲放大技术组成的激光系统可以产生高质量的皮秒级脉冲输出。近些年,相关技术领域新的研究进展使其产生的超短脉冲激光具有更高的输出功率、更窄的脉宽、更高的脉冲质量以及更灵活的可调谐性能,并因而得到更广泛的应用。对几方面技术最新的研究进展做了综述,总结了超短脉冲增益开关半导体激光系统的新应用,为其将来的研究提供参考。     

增益开关半导体激光器产生高重复率的ps光脉冲

本文报道用增益开关1.3μm InGaAsP半导体激光器产生 ps光脉冲,光脉冲宽度(FW·HM)随频率在 16—23 ps之间变化,重复频率在 1—5 GHz范围连续可调.     

激光控制光电子开关产生的电脉冲激励半导体激光器产生超短光脉冲

最近,Kobayaashi等报导了用短电脉冲激励半导体激光器获得了超短光脉冲输出.而用锁模超短脉冲激光器驱动的半导体光电子开关能产生超短同步电脉冲.这里介绍的是用激光驱动的超快速开关产生的短电脉冲激励半导体激光器,得到同步的变频超短光脉冲的结果.     

量子保密通信用增益开关半导体脉冲激光器

近30年来,量子信息科技是令人激动的研究领域之一。其中,量子保密通信技术,已逐渐开始从实验研究迈向工程应用,有望率先实现商用化发展。面向量子保密通信系统的全面普及和推广,基于半导体激光器的增益开关效应和商品电子学芯片,设计和实现了皮秒脉冲激光器模块。其特点包括:工作波长位于光纤量子信道的低损窗口,即1.5μm波段;输出光频的波动小于20 MHz;光脉冲的时域宽度为10个皮秒量级;输出光脉冲间不具有确定的相位关系。进一步地,结合"弱相干"单光子源在量子保密通信技术中的应用,对上述特点进行检验和讨论。     

利用非线性耦合腔产生短脉冲的新技术

麻省理工学院的研究人员最近利用光纤非线性耦合在Ti:Al_2O_3,激光器中得到了飞秒(fs)激光脉冲。Ti:Al_2O3激光器具有宽的调谐范围(670nm-1100nm)和高的输出功率。非线性耦合腔Ti:Al_2O_3激光器是一种多用途的激光器,它比一般的短脉冲染料激光器造价低和装置简单.主激光腔由四个反射镜组成,腔内有增益介质Ti:Al_2O_3,第二个腔中包含有光     

增益开关半导体激光器的三级脉冲整形方案

增益开关半导体激光器产生的光脉冲宽度往往较宽,且具有一定大小的脉冲基座。为了提高增益开关半导体激光器的脉冲质量,提出了一种三级脉冲整形方案。首先,利用色散补偿光纤将增益开关半导体激光器输出的光脉冲宽度从39.381 ps压缩到26.681 ps,随后利用掺铒光纤放大器和色散位移光纤的高阶孤子效应进一步将光脉冲的宽度压缩到20.916 ps,最后利用半导体光放大器的自相位调制效应区分开脉冲基座与脉冲中心的光谱,并利用光滤波器滤除脉冲基座对应的光谱部分,从而消减脉冲基座,并将脉冲宽度压缩到18.497 ps。实验结果表明,该三级脉冲整形方案可以有效地压缩脉冲宽度以及减小脉冲基座,从而提高增益开关半导体激光器输出光脉冲的质量。     

半导体激光器飞秒脉冲振荡的相干效应

相干性是物理学的一个基本概念。相干性不仅与电磁场（光子系综）状态有关，而且与处于凝聚态的玻色子和费米子集体有关。一个鲜明的例子是超导体中的库珀对系综。此外，在像自感应透明、自感应衰减、光子回波、超辐射等电磁场与物质相互作用的量子光学效应中，相干性也强烈表现出来。在这种情况下，与场相互作用的介质具有“相位记忆”，它的状态不仅取决于该瞬间电磁场状态，而且取决于场的先前瞬间特性。在所有上述动态过程中，时域的特征尺度是相位弛豫时间T2。为了观察电磁场与介质的相互作用，电磁场的时间特性（例如脉冲宽度或脉冲…     

半导体激光泵浦固体激光器的增益开关效应

用功率大于100mW的二极管激光器列阵泵浦Nd:YAG固体激光器,实现了DPL的增益开关作用。研究了增益开关的动态特性,得到峰值功率大于80mW的1.06μm激光输出,与计算结果一致。提出了三阶梯泵浦的高增益开关新方法,得到峰值功率大于150mW、脉冲宽度小于0.2μs的固体激光输出。     

F-P短耦合腔动态单模半导体激光器

短耦合腔(SCC)半导体激光器通常由半导体激光二极管和外腔反射镜直接耦合组成,由于复合腔损耗调制作用而实现高速调制下的单纵模输出。本文提出的F-P短耦合腔动态单模激光器是以F-P标准具做外反射镜的新结构器件。理论计算表明,参数匹配的F-P SCC激光器,边模与主模的损耗差较单一平面外腔SCC激光器提高约50%,因而将大大有利于实现动态单模输出并提高边模抑制比。理论分析还表明,在激光二极管外腔一侧解理面上镀增透膜对选模有重要意义;选择厚约50～150μm,两面反射率分别为20～40%和约100%的标     

半导体激光器超短光脉冲技术

首先介绍超短光脉冲发展概况,重点对半导体激光二极管(LD)ps光脉冲产生和检测进行探讨。最后指出超短光脉冲发展动向及今后的课题。     

增益开半导体激光超短脉冲研究

本对增益开关法产和一半导体激光超短冲进行了理论分析和实验研究，得到一些有意义的结论。     

短腔染料激光器的超短脉冲输出及其光谱特征

本文用计算机求解速率方程分析了短腔染料激光器的各种瞬态现象和用光学多道分析仪测量了不同腔长下的激光谱。给出了用控制瞬态效应来获得单个超短脉冲的条件,讨论了当腔长在20～500μm 变化时 Rh 6 G 激光谱在565～590nm 范围内的移动,提出丁激光器单纵模运转的方法。     

半导体激光器超短光脉冲测试技术

用ＰＯＭ有机晶体作倍频器件，建立了超短光脉冲强度自相关检测系统，并用于半导体超短光脉冲的脉宽测量，灵敏度比以ＬｉＩＯ３为培频晶体的系统提高６ｄＢ．     

小功率半导体激光器泵浦Nd:YAG激光器的增益开关效应

采用标称功率仅5mW的半导体激光器,端面泵浦Nd:YAG激光器,利用增益开关效应,使固体激光输出功率提高数十倍。