GaN管芯射频功率放大器的研究

给出了一种基于GaN管芯的C波段射频功率放大器的设计方法。该方法采用CREE公司的CGH60120D芯片,并利用ADS软件对管芯模型进行负载牵引,以得到管芯的最佳阻抗值,然后设计管芯的负载匹配电路和直流偏置电路。最后对整个电路系统进行仿真,使其达到预期的功率值。     

射频功率放大器模块的设计与实现

提出了功率放大器设计中的两个关键问题，结合GSM直放站功率放大器模块的工程实例，详细分析了该功率放大器模块的设计过程．最后给出该模块样机的实测结果，进一步验证了设计方法的有效性。     

射频宽带功率放大器设计

针对软件无线电台的特点与要求,研制了一款射频宽带功率放大器。首先,判别功率管的稳定性,基于S参数的设计方法,对功放的输入输出匹配电路进行设计和仿真优化。最终使该款功率放大器测试结果达到设计要求。     

射频功率放大器输入阻抗测量方法的研究

射频功率放大器实际工作条件下的输入阻抗是匹配网络设计中一个重要参数。为了提高射频功率放大器输入阻抗的测量精度,详细分析了常用的负载拉移法影响测量精度的原因,在此基础上提出了一种新的测量方法,并给出了具体步骤。实验结果表明,该方法可对输入阻抗进行准确的测量。理论分析和实验结果均表明提出的方法是可行且准确的,它为放大器输入阻抗的精确测试提供了方便,同时也适用于在较高射频功率量级下工作的大型功率放大器件。     

用Maxim套片设计TD-SCDMA终端射频收发信机

TD-SCDMA射频收发信机的开发背景和主要特性参数,介绍了系统设计中的中频选取、芯片选择和指标分析等问题。阐述了用Maxim套片设计、实施TD-SCDMA终端射频收发信机的方案,给出了方案的整体测试结果和结论。     

采用半双工射频芯片实现的全双工通信设计方案

文章基于现有的高频模拟前端技术和工艺条件,提出了一种采用TI公司推出的半双工RF芯片TRF6901作为射频收发、MSP430单片机作为控制单元的以时分形式实现的无线双工通信方案,并介绍了该方案的模拟前端射频收发部分的硬件及时分双工的设计与实现。该方案已在平顶山煤业集团六矿进行了试验,通信效果良好,在大巷中通信距离可达200 m以上。     

CMOS射频功率放大器的设计方法

使用主流的CMOS工艺设计高效率、高增益和一定输出功率的射频功率放大器仍然是无线通信片上系统面临的主要挑战之一。本文简述了CMOS射频功率放大器的研究热点和设计难点,重点讨论了负载线匹配、线性区扩展和功率效率增强等关键技术,并提出了一种改进型的包络消除与恢复(EER)的线性扩展法,能满足宽带通信系统的功率放大需要。     

TD-SCDMA系统小区无线负荷研究与仿真

接纳控制是TD-SCDMA系统无线资源管理中一个重要方面，它建立在对各小区负荷的测量基础之上，因此，小区负荷的计算方法成为一个十分重要的研究问题。由接纳控制和小区负荷等概念入手，提出小区上、下行负荷估计算法，上行负荷算法基于对噪声恶化量的控制．因该值能很好的衡量系统的干扰状况；下行负荷算法主要参考基站发射的总功率，有着直观的物理意义。进一步分析了邻小区干扰与小区负荷之间的关系，为网络的优化提供了理论依据。相关重要变量关系做了仿真，算法得到验证。     

TD-SCDMA终端直接变频收发信机的设计

介绍了直接变频收发信机的系统结构,给出了基于Maxim套片的TD-SCDMA终端直接变频收发信机设计方案,分析了影响直接变频接收机(DCR)性能的关键因素,并针对实现DCR的技术难点提出了具体的解决办法和改善措施,最后介绍了采用MAX2392实现的TD-SCDMA终端DCR的研制实例及其测试结果。     

基于小信号S参数的MOSFET射频功率放大器设计

介绍了如何利用场效应管的小信号散射(S)参数设计射频功率放大器,并采用此设计方法,选用场效应管,设计了一种工作在160 MHz频段的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)功率放大器.在工作频段内,功率放大器增益大于23 dB,输入端口的匹配网络的回波损耗S11优于-19 dB.实例证明:该设计方法仿真简单,易于实现,具有重要的工程应用价值.     

TD-SCDMA与WiMAX对比分析

对TD-SCDMA与WiMAX的标准进展情况、技术特点、产业发展现状进行了对比分析。并对TD-SCDMA与WiMAX未来在中国的发展前景进行分析。     

基于滑动匹配功率谱分析的TD-SCDMA上行突发信号检测

针对低信噪比下TD-SCDMA上行突发信号的检测问题,提出了一种滑动匹配功率谱分析算法。该算法利用同一用户midamble码序列自身高度的相关性,当本地midamble码序列与接收上行突发信号中的midamble码序列完全匹配上时,会有反映信号的残留载波或直流成分出现;再对其求取功率谱,则在该功率谱某一频率位置上会出现尖锐的谱峰,通过检测功率谱峰的幅度与位置,即可准确估计出该用户midamble码序列是否出现和残留的载波调制频率。仿真结果表明,该算法具有良好的检测效果,并能有效克服残余频偏的影响。     

TD-SCDMA系统中的单基站定位技术

无线定位技术是第三代移动通信研究的一个重要方面.本文简要介绍了基于TD-SCDMA标准的单基站无线定位技术和TD-SCDMA系统中终端位置如何确定.     

TD_SCDMA系统联合检测硬件实现

联合检测作为TD-SCDMA系统的关键技术之一,可以为系统降低干扰、提高频率利用率、扩大容量、削弱“远近效应”的影响、降低功控要求,而且,对降低无线网络成本也起到很大的作用。本文介绍了用硬件实现终端联合检测的方法,并给出仿真时序图。     

基于TD-SCDMA系统的抗干扰联合检测研究

随着3G通讯系统迅猛发展,特别是在TD-SCDMA系统中存在着各种干扰问题,影响和制约了系统本身容量和性能的提高。以多径干扰为例,首先通过理论和实验分析,提出一种新的抗干扰联合检测技术来消除多径干扰,然后在现有的硬件设备和系统软件配置基础上,通过比较分析两种自适应算法,选择采用合适的算法来完成TD-SCDMA系统的优化和升级,有助于提高系统容量和信道正交质量。     

基于TD-SCDMA的煤矿智能电力故障检测与分析系统

针对煤矿井下供电设备故障给煤矿安全生产带来很大隐患的问题,提出了一种基于TD-SCDMA技术的煤矿智能电力故障检测与分析系统。该系统通过供电检测采集系统实时采集各段母线电压、各分支电流、功率、断路器状态以及故障信息,然后通过TD-SCDMA/工业以太网络支撑系统将煤矿供配电系统各设备运行状态、运行参数、故障信息传输到智能电力故障分析系统,完成煤矿供配电系统的信息加工、分析和故障诊断与处理。应用结果表明,该系统提高了供电可靠性,为煤矿的安全生产提供了保障。     

一种新型射频功放建模结构LMEC研究及预失真应用

针对现代无线通信系统中射频功率放大器的强非线性特征, 提出了一种高精度、低复杂度的LMEC（LUT-MP-EMP-CIMT）模型。该模型由查找表（LUT）、记忆多项式（MP）、包络记忆多项式（EMP）及记忆交叉项（CIMT）并联构成。与并联双非线性两箱模型（PTNTB）相比, LMEC模型增加了EMP子模型和CIMT子模型。实验结果表明, LMEC模型能带来更好的建模精度和线性化效果, 较MP模型的建模精度提升了2. 9 dB, 邻信道功率比（ACPR）值降低约5 dB; 较PTNTB模型精度提升了1. 1 dB, ACPR值降低约3 dB; 与通用记忆多项式模型（GMP）相比性能相近, 但减少了50%的系数。     

Switched-mode RF and microwave parallel-circuit Class E power amplifiers

The parallel-circuit Class E tuned power amplifiers with load networks consisting of either one capacitance and one inductor or a parallel LC circuit and series filter are described and analyzed. The elements of the load networks are defined using the same analytical approach with a set of the exact design equations. The ideal collector voltage and current waveforms for both configurations demonstrate a possible 100% efficiency and do not overlap. RF and microwave applications are demonstrated based on the simulation and experimental results of low-voltage InGaP/GaAs HBT and high-voltage LDMOSFET power amplifiers. These switched-mode parallel-circuit Class E power amplifiers offer a new challenge for RF and microwave power amplification by providing high-efficiency operating conditions. © 2003 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE 14, 21–35, 2004.