以3-乙酰基樟脑为辅助配体的新型聚合物红色磷光器件

以新型环金属Ir(Ⅲ)配合物2-苯并噻吩吡啶(btp)2Ir3-乙酰基樟脑(acam)为磷光发光客体,掺杂在PVK+30%PBD主体材料中,制备了红色聚合物发光器件,同时测试了配合物在溶液中的紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱、光致发光(PL)光谱、PL效率、热稳定性和循环伏安曲线。结果表明,位阻基团acam的引入有效改善了配合物在溶液中的荧光光谱、量子效率。器件的测试结果显示,当掺杂浓度为5%时,电致发光(EL)光谱最大发射峰在623nm,启动电压为7.2V;在15.7V时器件最大亮度为4 127cd/m2,在11.6V时最大亮度效率为4.1cd/A,CIE色坐标值为(0.66,0.32)。     

发光层掺杂蓝色OLED的光电性能研究

采用真空热蒸镀技术,在不同的掺杂浓度下,制备了4种双异质型结构的蓝色有机电致发光器件(OLED),其结构为ITO/CuPc(30 nm)/NPB(40 nm)/TPBi(30 nm):GDI691(x%)/Alq3(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(50 nm),其中x%为发光层掺杂浓度,分别取1、2、3和4 %.从实验结果分析可知:蓝色OLED的电流-电压(I-V)特性曲线、亮度-电压(L-V)曲线、亮度-电流(L-I)曲线及效率等光电性能随着发光层掺杂浓度的变化而改变.当驱动电压为15 V、掺杂浓度为3%时,器件可获得最大亮度6100 cd·m-2,色坐标CIE为x=0.147、y=0.215,最大流明效率为1.221 m·W-1,电致发光(EL)发光光谱的峰值为468 nm.     

一种基于液晶性质的Pt配合物磷光材料电致发光器件

采用聚合物掺杂的方式,利用旋涂工艺制备了ITO/PVK:TOPPt/BCP(20 nm)/Mg:Ag(200 nm)结构的有机电致发光器件(OLED)。对掺杂浓度为2%(器件A)和4%(器件B)的磷光聚合物掺杂体系的光致发光(PL)和电致发光(EL)性质进行了分析研究,并对主体材料PVK到磷光客体材料TOPPPt的能量传递机制进行了讨论。实验表明,器件的EL谱谱峰位于625 nm,器件A在25 V时最大亮度为3037 cd/m2,最大电流效率为3.15cd/A。器件的EL谱不会随着偏置电压和掺杂浓度而改变,器件具有较好的稳定性。     

基于NPB的未掺杂高效蓝色有机电致发光器件

采用真空镀膜的方法制备了基于NPB的高效蓝色有机电致发光器件(OLED),其结构为:ITO/NPB/BCP /Alq3/Mg∶Ag和ITO/TPD/NPB/BCP / Alq3/Mg∶Ag,由于BCP对空穴的阻挡作用,器件的发光谱峰均位于441nm处,为NPB的EL特征光谱,实现了蓝色发光.在15V时,器件的最高亮度为2880和3000cd/m2,分别在2.5V和1.5V器件启亮之后,最大流明效率为4.00和5.63lm/W,CIE色坐标为(0.14, 0.08)和(0.15,0.11).     

无氧溅射方法制备OLED的ITO透明电极

采用氧化铟锡(ITO)合金材料作为靶材,通过射频磁控溅射制备ITO膜.将获得的ITO膜应用于结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(100 nm)的有机电致发光器件(OLED),得到了最大亮度为11560 cd/m2(电压为25V)、最大效率为2.52 cd/A(电压为14 V)的结果.为了获得双面发光,制作了结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(20 nm)/ITO(50 nm)的器件,其阳极出光的最大亮度为14460 cd/m2(电压为18V)、最大效率为2.16 cd/A(电压为12V),阴极出光的最大亮度为1 263 cd/m2(电压为19 V)、最大效率为0.26 cd/A(电压为16V).     

基于MCzHQZn的有机电致发光器件

通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,发光的峰值波长为444nm。     

一种双亚单层的有机白色发光器件

制备了一种多层有机电致发光器件,其结构为ITO/m-MTDATA(45nm)/NPB(10nm)/DPVBi(15nm)/C545T(Xnm)/DCM2(Ynm)/Bhen(20nm)/Alq3(15nm)/LiF(1.0nm)/Al(200nm)。荧光材料C545T和DCM2以亚单层的方式插入蓝光发光层DPVBi后,通过改变双亚单层的厚度,观察器件性能的变化。当X/Y=0.05nm/0.05nm时,器件在8V的电压下最大发光效率是5.50cd/A,在13V的电压下最大的亮度是12 980cd/m2。研究了亚单层厚度的变化对器件的发光亮度、效率和光谱的影响。从实验结果中对比分析了三种器件的电流密度-电压曲线、亮度-电压曲线、电致发光光谱图和色坐标。从其中总结规律,对有机发光器件制作有一定的指导作用。     

具有NPB:DPVBi掺杂层的有机白光器件的研究

制作了结构为ITO／NPB（50nm）／NPB;DPVBi（10：1,30nm）／Alqs（20nm）／LiF（1nm）／Al的有机白光器件。由于掺杂层NPB：DPVBi的引入,电子及空穴容易被DPVBi及NPB俘获,提高激子的复合,进一步提高监光的发光能力。发光区从Alq3的发光峰逐渐变为DPVBi的发光和NPB发光增强,从而发光峰值发生变化。该器件的最大亮度和效率分别为22V时4721cd／m^2和5V时0．80cd／A。     

高效绿色磷光有机电致发光器件

使用绿色磷光材料GIr1作为掺杂剂,制备了基于CBP材料的一系列绿色有机电致发光器件(OLED)。其器件的结构为ITO/MoO3(50nm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CPB:GIr1(30nm,x%)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),其中x%为发光层客体掺杂质量分数。对7种不同的掺杂剂质量分数进行了比较,研究了它们的电致发光(EL)特性。结果显示,对发光面积为2.72cm2的器件,GIr1的最佳掺杂比为14%,器件的起亮电压为3.5V,器件的最大电流效率26.2cd/A,其相应的EL主峰位于524nm,色坐标为(0.34,0.61),得到了发光性能稳定的绿色OLED。     

间隔层提高有机电致发光器件的性能

使用不同的有机材料作为间隔层,制备了基于CB P材料的一系列红绿双发光层有机 电致发光器件(OLED),其结构为ITO/MoO₃(50nm)/NPB(40nm)/TCTA(10 nm)/CBP:R-4B(20nm,2%)/ 间隔层(3nm)/CBP:GIr1(30nm,14%)/BCP(10 nm)/Alq₃(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),其中间隔 层材料使用BCP、TPBi和TCTA。实验比较了加入不同间隔层后OLED的发光特性,结果显 示,对发光面积为0.8cm²的器件,当器件加入间隔层后,电流效 率和亮度有很大提高,用 TCTA作间隔层时得到器件的最大效率为39.98cd/A,最大亮度为29790cd/m²;并且使用间隔 层后OLED发光性能稳定,电致发光(EL)光谱和色坐标不随驱动电压的变化而产生变化。     

不同粒径的SiO_2纳米粒子与PVK分子复合体系的发光性质研究

通过溶胶-凝胶的方法,在乙醇溶液中合成了40nm和60nm两种不同粒径的SiO2纳米粒子,并将其分别与聚乙烯咔唑(PVK)混和,得到了不同粒径、不同质量分数配比的PVK/SiO2纳米粒子复合体系;利用光致发光光谱、吸收光谱和喇曼光谱,深入研究了PVK分子在不同状态条件下的发光特性和PVK/SiO2纳米粒子复合体系的光学性质;在复合体系中,观察到PVK与SiO2纳米粒子之间的界面能量转移过程,且不同粒径的SiO2纳米粒子对PVK分子的发光性质影响也不同。通过喇曼光谱的进一步研究表明,SiO2纳米粒子的存在,使PVK分子的振动能量明显减小,表明PVK分子与SiO2纳米粒子表面存在较强的相互作用。     

Zn(BTZ)2发光层厚度对白色电致发光器件发光光谱的影响

制备了结构为ITO／TPD／Zn（BTZ）2Al的有机电致发光（EL）器件，经测试发现，Zn（BTZ）2发光层厚度对器件EL光谱有较大影响。当Zn（BTZ）2层厚度分别被控制在50和80nm时，EL谱中都只有1个峰，其峰值分别为580和470nm；当Zn（BTZ）2层厚度被控制在50～80nm时，EL谱同时出现470和580nm的2个峰，且它们的相对发光强度与Zn（BTZ）2层厚度也有关系，随着Zn（BTZ）2层厚度越接近80nm（或50nm）时，EL谱峰值为470nm的光就相对越强（或弱），峰值为580nm的光就相对越弱（或强）。通过调整Zn（BTZ）2层厚度，在65nm左右时得到色度较好的白光器件，其色坐标为（0．33，0．33）。为了研究器件的光致发光（PL）谱，制备结构为TPD／Zn（BTZ）2的有机薄膜，经测试发现，薄膜PL谱与Zn（BTZ）2层厚度无关，其光谱峰值在480nm处，与相关文献报道一致。对上述现象进行了分析。     

Si衬底上MgxZn1-xO薄膜发光特性研究

采用射频磁控溅射（RFMS）法，在Si衬底上生长出具有（002）择优取向的MgxZn1-xO薄膜。透射光谱结果表明，与ZnO相比，MgxZn1-xO薄膜的吸收带边从378nm蓝移至308nm，这说明MgxZn1-xO薄膜的带隙随着Mg组分的增加而加宽。扫描电镜（SEM）能谱分析表明，薄膜中的Mg含量比靶源中的高。用不同波长的光激发得到的光致发光（PL）潜显示，在不同波长的光激励下，只出现单色蓝或绿发光峰，其它的发光峰消失，而且随着激发光波长从260nm、280nm到300nm的增加，发光峰位置分别从431nm、459nm红移至489nm，发光强度也显著增强。分析表明，这些发光峰与O空位有关。     

基于PLD法制备ZnO:Eu3+,Li+薄膜的发光性质研究

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(111)衬底上生长了Eu3+、Li+共掺杂的ZnO薄膜。分别对样品进行了X射线衍射(XRD)谱测试和光致发光(PL)谱分析,重点研究了退火处理对样品结构和发射光谱的影响。XRD谱测试表明,样品具有很好的C轴择优取向。PL谱研究表明,当用325nm光激发样品时,样品的发射光谱仅由ZnO基质的紫外发射和蓝光发射组成,并没有发现稀土Eu3+的特征发光峰;样品的蓝光发射源于电子从Zn填隙形成的浅施主能级到Zn空位形成的浅受主能级跃迁;和真空中退火的样品相比,O2中制备的样品的蓝光发射减弱,紫外发光增强。用395nm的光激发时,退火前样品分别在594nm和613nm处存在两个明显的Eu3+特征发光峰,退火后的样品仅发现Eu3+位于594nm的特征发光峰,这表明,退火处理不利于稀土离子的特征发射,但O2中退火的样品ZnO基质红绿波段发射光谱明显增强。     

碲锌镉体单晶的Raman—PL光谱的分析

文章对碲锌镉（CZT）（111）取向的拉曼光谱和光荧光谱作了分析。在拉曼光谱中,用正斯托克斯测量检测无峰,而反斯托克斯（Anti-Stokes）测出了它的拉曼光谱。其中在（－125cm^-1）处是横声子振动（TO）,（－142cm^-1）处是纵声子振动（LO）。由于晶体的各向异性,在一个平面上,同一晶粒旋转不同方向TO／LO比值与（111）平面等能面截面图相符。另它的PL光谱在807nm(1.535eV),FWHM为30nm(0.057eV),旋转方向对PL光谱无影响。故在生长HgCdTe单晶薄膜时,要注意衬底CZT的晶体摆放位置 。     

Luminescent high temperature sensor based on the CdSe/ZnS quantum dot thin film

A high temperature sensor based on the multi-parameter temperature dependent characteristic of photoluminescence （PL） of quantum dot （QD） thin film is demonstrated by depositing the CdSe/ZnS core/shell QDs on the SiO2 glass substrates. The variations of the intensity, the peak wavelength and the full width at half maximum （FWHM） of PL spectra with temperature are studied experimentally and theoretically. The results indicate that the peak wavelength of the PL spectra changes linearly with temperature, while the PL intensity and FWHM vary exponentially for the tem- perature range from 30 ℃ to 180 ℃. Using the obtained temperature dependent optical parameters, the resolution of the designed sensor can reach 0.1 nm/℃.     

一种新结构中ZnSe薄膜电致发光特性研究

用电子束蒸发的方法制备了一种新的ITO／SiO2／ZnSe／SiO2／Al薄膜电致(TFEL)发光器件。在交流电压驱动下,其有2个发光峰,分别位于466nm和560nm。通过研究器件(PL)激发(PLE)谱、光致发光、EL发光以及EL发光强度随驱动电压和频率的变化发现,器件的发光来源于ZnSe的带边发射和自激活发光中心。器件的发光机理与一般的无机电致发光有所不同。这里,SiO2作为电子加速层,ZnSe作为发光层,电子在SiO2层中的高电场作用下被加速到很高的能量,然后直接碰撞激发ZnSe分子使其发光。这种发光现象被称为固态类阴极发光。     

Light Emission in Nd Doped Si-Rich HfO 2 Films Prepared by Magnetron Sputtering

Hafnium oxide films doped with Si and Nd atoms were produced by radio-frequency magnetron sputtering of a HfO2 target topped with calibrated Si and Nd2O3 pellets in pure argon plasma followed by an annealing in nitrogen atmosphere during tA = 15 min at different temperatures (TA = 800–1100°C). The evolution of structural, chemical and luminescent properties of the films with TA was studied by means of the scanning electronic microscopy (SEM), x-ray diffraction (XRD), Raman scattering, energy dispersive x-ray spectroscopy and photoluminescence (PL) methods. The SEM method revealed that the surface of as-deposited film consists of the grains with the mean size of 20–60 nm. Annealing treatment stimulated the growing of the grains (up to 100 nm in lateral size) and film densification. The presence of Si-rich phase was detected by Raman scattering spectra in as-deposited films and those annealed at low TA. The TA increase results in the phase separation process. For the films annealed at TA > 950°C, the tetragonal HfO2 and SiO2 phases were clearly detected by the XRD method. PL spectra of the films were found to be complex. They demonstrated several PL bands in the visible (400–750 nm) and infrared (800–1430 nm) spectral ranges. Besides PL components caused by the recombination of carriers via host defects, the PL signal from Nd3+ ions due to the transition in the 4f inner electronic shell was observed. The highest Nd3+ related PL signal was observed for the films annealed at TA = 950°C. Peculiarities of PL excitation and the mechanism of the phase separation are analysed and discussed.     

非晶SiOx薄膜的制备及光学特性的研究

采用双离子束共溅射方法制备了SiOx薄膜,XRD和TEM的分析表明SiOx薄膜为非晶结构,XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在于薄膜中。其中吸收谱呈现了明显的吸收边蓝移现象,且随薄膜厚度的增加,光吸收谱中出现了较明显的宽化的吸收峰。在室温下观察到了可见光致发光（PL）现象,探测到样品有四个PL峰,它们的峰位分别为－320nm、－410nm、－560nm和－630nm,且峰位和峰强不随膜厚的增加而发生变化。     

含联苯PPV和柔性间隔基液晶性共轭聚合物的合成与发光性能研究

通过Wittig反应,合成了主链含有联苯共轭PPV基元及饱和柔性脂肪链间隔基的新型液晶性共轭聚合物,采用FTIR1、H NMR对其结构进行了表征。这种共轭聚合物可溶于三氯甲烷等普通有机溶剂。利用偏光显微镜、热分析和广角X射线衍射对其液晶性进行了研究,结果表明该共轭聚合物为热致性向列型液晶。利用紫外可见光谱和荧光光谱研究了其光致发光性能,结果显示该液晶性共轭聚合物可发射较强的蓝色荧光,固体膜状态下其最大发射峰为460 nm,溶液荧光量子效率为0.36。