PCVD法制备低损耗单模光纤

<正> 武汉邮电科学研究院在PCVD光纤熔炼系统的研制中取得了阶段性成果,制备出了低损耗单模光纤。研制的PCVD系统由熔炼车床、微波系统、流量柜、控制部分和真空部分等组成。微波源采用2 450MHz的连续波磁控管,最大功率为1.5kW,且连续可调。采用的原料为SiCl_4、GeCl_4、F-12和O_2,其纯度与MCVD法时相同。石英管直径为20×2mm。一根预制棒可拉3 km左右光纤。     

PCVD低水峰光纤的制备与性能

介绍了PCVD低水峰光纤生产工艺和其材料组成、结构及性能,在生产普通单模光纤的基础上,通过优化PCVD工艺,成功抑制了普通单模光纤在1383nm由于羟基(OH)吸收造成的水峰损耗.光纤中功能梯度的芯层和光学包层、高纯均匀的机械包层和性能优越的双层涂覆层,使PCVD低水峰光纤各项性能指标全面达到或优于最严格的ITU-T G.652.C/D和IEC6079 3-2-50 B.1.3光纤标准要求.     

梯度掺稀土光纤的制备工艺研究

为了提高掺稀土光纤的纵向温度分布均匀性和受激布里渊散射效应的阈值功率,研究了光纤纵向距离上稀土离子掺杂浓度呈梯度分布的掺稀土光纤的制备方法.分析了制备梯度掺稀土光纤预制棒的工艺要求与光纤几何尺寸的关系.基于离子液相掺杂方法,采用疏松层分区多次浸泡技术,在光纤预制棒中仅为28.0 mm的长度区间内,镱离子实现了含四个"台...     

OH根含量低的光纤的传输损耗特性

我们在0.5-2.5微米的长波长范围内对低 OH 根含量光纤的传输损耗特性作了研究,这种 OH根含量极低的光纤是用改进的化学气相沉积法(MCVD)制作的。在0.9 5-1.68微米光谱范围(除1.39微米左右外),观察到了最低损耗小于0.5分贝/公里的超低损耗“窗口”,处于该“窗口”时的损耗不到1分贝/公里。根据这一研究来阐述二氧化硅系光纤波导的损耗机理,并且可以提议采用掺杂二氧化硅单模光纤或渐变型光纤的低损耗“窗口”的光传输系统作为一种有前途的传输系统,这种系统的中继器间距很长,可达几十公里。     

PCVD法数据光纤的研制

本文报道了ＰＣＶＤ法数据光纤的研制，包括光纤设计、工艺流程及关键工艺问题，还给出了该数据光纤产品性能的统计结果。     

用PCVD法制备（TiA1）N膜的研究

本文报道了在PCVD设备中用固态AlCl3源成功地制备出（TiAl)N膜。结果表明，（TiAl)膜的含Al量与AlCl3源的温度成正比，而膜内C含量则无明显变化。（TiAl)N膜保持了TiN膜的面心立方晶体结构，但其d(200)晶面间距变小，织构变弱，晶粒略有细化，（TiAl)N膜的显微硬度略高于或等于TiN膜的硬度，而其抗高温氧化性有较大幅度提高。     

多模梯度光纤材料色散测试的探讨

本文叙述在多模梯度光纤传输系统中,当以LED作光源时,材料色散对传输带宽的影响,并介绍了筒单易行的测试方法,其测量值与理论估算得到了较好吻合。     

多模梯度光纤折射率分布指数值的确定

一、引言为了扩大通信容量,光纤设计者希望制造出具有最佳折射率分布的光纤。判断光纤的折射率分布是否最佳,必须从测得的折射率分布曲线计算出分布指数α的数值。α值对多模光纤传输带宽有着决定性的影响,同时光纤最大理论数值孔径与稳态有效数值孔径之间的比例系数K_α值仅取决于α,考虑到斜射光线时,斜射光线的数值孔径与子午光线数值孔径间的关系也与α有关。无论用反射法、近场法、干涉法还是别的什么方法测出的折射率分布,或是扫描     

多模掺锗石英光纤中非线性的研究

本文报导了用一台调Q和锁模Nd:YAG激光器泵浦一根长500m,芯径为100μm的锗石英光纤,产生了四级stokes受激拉曼散射和一个由四光子参量混频产生的可见到近红外连续光谱,用色散理论阐明了连续谱的主要贡献者是受激拉曼散射的第一级stokes。讨论了由于非线性过程而引起功率耦合的非常数损耗。     

低OH基光纤的制造方法

采用二氧化锗-五氧化二磷-二氧化硅作原料的渐变型多模光纤和发光二极管作光源的未来系统中,为减小色散,希望工作在1.2μm和1.6μm之间,以获得低损耗和宽频带。在1.39μm,由于OH振动的一次谐波而造成的吸收是该频带光纤总损耗的主要因素。为了充分利用这一部分频谱,要求光纤OH含量非常低。在采用 MCVD法制造光纤的过程中,预制件的 OH含量主要来源于材料中的氢氧根杂质和从基管中扩散出来的OH离子,所以制造低损耗多模光纤需采用高纯度的原材料和阻挡层。最近,已报导了一种依靠OH→OD转换工艺的新方法,利用氘处理基     

As-S多模红外光纤的双坩埚法制备工艺

对As-S芯皮(纤芯—包层)结构多模光纤的制备工艺进行了研究。通过设定芯料管和皮料管压力比、拉丝速度和拉丝温度等工艺参数,可获得不同直径以及芯径皮厚比的多模As-S芯皮结构红外光纤。当双坩埚尺寸固定,光纤芯径会随着芯料管和皮料管压力比的增大而增大,而皮厚则会减小;但当皮料管压力减小到一定程度并保持一定时,光纤芯径和皮厚受芯料管压力改变的影响就不明显了;一般拉丝速度越快,直径就越小。由于红外玻璃原料中杂质S—H的含量对As-S红外光纤损耗的影响比较显著,因此应着力提高原料纯度,降低As-S红外光纤损耗,以实现As-S红外光纤的国内产业化。     

用VAD方法制造超低OH含量的光纤

用一种新近发展的脱水技术脱水VAD多孔状预制件,制得了超低OH含量的光纤。该光纤在1.38μm的吸收损耗只有0.04dB/km,剩余OH含量估计在1ppb以下。     

PCVD单模光纤的均匀性研究

研究了用等离子体化学汽相沉积工艺(PCVD)制备单模光纤的均匀性问题。首先,给出了沿光纤轴向各段的衰减系数、模场直径、截止波长和几何尺寸的测量结果,然后,分别从化学汽相沉积原理和预制棒成丝流变学原理两个方面分析了熔炼和拉丝工艺对光纤均匀性的影响,进而提出了改善单模光纤均匀性的方法。本文的研究结果对制造优质单模光纤具有一定的指导作用。     

保实光纤──用PCVD工艺研制的新一代色散位移光纤

采用PCVD工艺研制的保实光纤（POSH）,光学性能和几何性能好,在工作窗口有小的正色散,可以有效地抑制非线性效应,适用于高速度、大容量、长距离的光纤通信系统。     

水解-熔融法制备掺镱光子晶体光纤的研究

采用水解-熔融法制备高浓度掺镱双包层石英光子晶体光纤,通过对该制备方法及原理的探索研究,根据98.3%SiO2、0.2%Yb2O3、1.5%Al2O3(摩尔比)的配方进行设计,制备出高浓度镱离子掺杂的石英基双包层光子晶体光纤。该方法可有效提高稀土离子的掺杂均匀性。     

双包层掺镱光纤的制备研究

根据高功率光纤激光器的性能要求,制备了内包层为D形的掺镱光纤,在波长为975nm、泵浦功率为98W的条件下,当光纤长度为22m时实现了62W的激光功率输出,其斜率效率达到66％．     

新型掺铒光纤的制备和研究

根据EDFA的性能要求,制备了纤芯掺Al的掺铒光纤,在980nm波长、131mW泵浦功率的泵浦条件下当输入信号功率为-15dBm时在C-band实现了35dB左右的增益,其增益平坦度小于1dB。这种掺铒光纤的饱和输出功率在17.5dBm以上,功率转换效率为44.18%,能应用于C-band的各类掺铒光纤放大器中。     

用PECVD制备掺氟氧化硅低介电常数薄膜

用ＰＥＣＶＤ淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜,ＳｉＦ４的流量达到６０ｓｃｃｍ时,薄膜的相对介电常数可以降低到３．２。对试样的ＦＴＩＲ分析表明,薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测试表明,薄膜介电常数随氟含量的增加而减小,但薄膜的吸水性随氟含量的增加而变大。并进一步讨论了介电常数和薄膜稳定性与薄膜中氟原子含量之间的内在联系。     

用VAD法制备氧化锗玻璃光纤

作为远红外光纤来讲,氧化锗玻璃光纤是一种有希望的候选者,许多实验室已报导过这种光纤的理论研究和尝试性的制备。然而,还没有见到过采用气相反应法制备这种光纤获得成功的消息。从氧化锗玻璃光纤的理论衰减谱知道,如水含量达到1ppb以下的话,在2.4μm波长附近就有可能获得衰减小于0.1dB/km。采用VAD法和脱水技木制备的二氧化硅光纤已获得水含量低于1ppb。因此,假如用VAD法来制备氧化锗玻璃光纤的话,完全有可能达到0.1dB/km的衰