Vishay发布12个采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出12款采用3种功率封装、具有10～40A额定电流范围的新型45V器件--V（B,F）T1045BP、V（B,F）T2045BP、V（B,F）T3045BP和V（B,F）T4045BP,     

V60100C：Trench MOS肖特基势垒整流器

Vishay Intertechnology推出一款新型Trench MOS肖特基势垒整流器V60100C。     

Vishay推出新型60A、100V双高压Trench MOS肖特基势垒整流器

Vishay公司.推出一款新型TrenchMOS肖特基势垒(TMBS)整流器,其正向电压是迄今为止此类器件中最低的。新型V60100C采用共阴极30AX2配置,其额定电流及额定电压分别为60A及100V,该器件在30A及125°C时正向压降(每脚)为0.70V,在30A及25°C时为0.79V。专为在70W～800W的高频开关模式     

Vishay发布具有ESD功能和低外形SlimSMATM封装的新款600V标准整流器

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款通过AEC-Q101认证并具有ESD保护的600 V标准整流器——SE20AFJ和SE30AFJ。对于空间有限的应用,新器件可提供2 A和3 A的正向电流和高电流密度,采用高度仅有0.95 mm的表面贴装SlimSMATMDO-221AC封装。     

Vishay发布用于商业应用的低外形SMPD封装的新款TMBS~整流器

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出16个新款45 V、50 V、60 V、100 V和120 V器件,扩充其TMBS~Trench MOS势垒肖特基整流器产品。器件具有10~60 A的电流等级和极低的正向压降,针对商业应用。这些器件采用低外形SMPD封装,封装的占位与D2PAK(TO-263)一致,且典型高度更薄,只有1.7 mm。今天推出的Vishay General Semiconductor双片整流器在15 A下的正向压降只有0.4 V,在高频DC/DC转换器、开关电源、     

Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT~封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用业内最小0.8×0.8×0.4 mm MICRO FOOT封装的CSP规格尺寸,具有业内最低导通电阻的新款12 V和20 V的N沟道和P沟道TrenchFET誖功率MOSFET。     

Vishay推出用于汽车和其他领域的新款45V和50V TMBS整流器

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出7个新的45 V和50 V器件,扩充其TMBS誖Trench MOS势垒肖特基整流器。这些高电流密度的整流器适合汽车和商业应用,具有3~8 A的电流等级和低正向压降,采用薄外形表面贴装DO-221BC(SMPA)封装。今天推出的整流器在3 A下的正向压降低至0.37 V,外形高度只有0.95 mm,在低压高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管和极性保护中可减少功率损耗并提高效率。3个45 V器件通过AEC-Q101认证,可用于汽车应用;而4个50 V整流器     

Vishay推出用于汽车和其他领域的新款45V和50VTMBS整流器

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出7个新的45V和50V器件,扩充其TMBS@TrenchMOS势垒肖特基整流器。这些高电流密度的整流器适合汽车和商业应用,具有3～8A的电流等级和低正向压降。采用薄外形表面贴装DO-221BC（SMPA）封装。     

Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc．宣布．推出采用业内最小0．8×0．8×0．4mm MICROFOOT@封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和20V的N沟道和P沟道TrenchFET功率MOSFET。     

Vishay利用PowerPAK~封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen Ⅲ P沟道产品

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出采用PowerPAK1212-8封装的-40 V——SiS443DN和PowerPAK1212-8S封装的-30 V——SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET誖Gen Ⅲ P沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10 V和-4.5 V栅极驱动下具有业内较低的导通电阻,是首款-40 V P沟道Gen Ⅲ器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30 V     

Vishay推出采用小尺寸绿色封装的新款非过零光敏光耦

VishayIntertechnology,Inc．宣布,发布采用行业标准微型扁平SOP4封装的新款非过零光敏光耦-VOMl60和VOM305x。今天推出的器件比采用DIP-6封装的器件可节省66％的PCB空间,扩充了其光电子产品组合。     

Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关

Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出可在1.5～5.5 V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SiP32459。这两款器件均具有一个集成的可提供稳定的20 mΩ低导通电阻,同时保持低静态电流     

Vishay发布采用新型SMD功率封装的1W白光LED

Vishay宣布,为其Little Star系列LED增添了一个新成员-通过汽车行业标准认证的1W白光LED—Little Star VLMW711U2U3XV,该LED器件将超高亮度和紧凑的封装外形集于一身。     

Vishay发布采用ThunderFET~技术的通过AEC-Q101认证的最新MOSFET

正Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布首颗通过AEC-Q101认证的采用ThunderFET技术的TrenchFET功率MOSFET。为提高效率和节省汽车应用里的空间,Vishay Siliconix 100 V N沟道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK誖SO-8L和DPAK封装的产品中最低的导通电阻。Vishay的ThunderFET技术可在单位晶粒面积内实现更低的导通电阻。在更低     

3 A/40 V新型肖特基势垒二极管的设计与研制

为提高传统肖特基二极管的击穿电压,减小了器件的漏电流,提高芯片利用率,文中设计研制了适合于裸片封装的新型肖特基势垒二极管(SBD)。利用Silvaco Tcad软件模拟,在器件之间采用PN结隔离,器件周围设计了离子注入形成的保护环,实现了在浓度和厚度分别为7.5×1012 cm-3和5 μm的外延层上,制作出了反向击穿电压45 V和正向导通压降0.45 V的3 A/45 V肖特基二极管,实验和仿真结果基本吻合。此外,还开发了改进SBD结构、提高其电特性的工艺流程。     

Vishay发布业界首款采用可表面贴装的模压封装液钽电容器

Vishay Intertechnology,Inc．宣布推出两款新型液钽电容器M34和M35,这两种新器件采用真正可表面贴装的模压封装。M34和M35液钽电解芯片电容器集中了所有电解电容器的优点,摒弃了大多数缺点。在相似的电容量和外壳尺寸的情况下,新器件可耐受比其它类型电解电容器更高的纹     

Vishay发布业界首款采用可表面贴装的模压封装液钽电容器

日前，Vishay宣布推出两款新型液钽电容器——M34和M35，新器件是业界首款采用真正可表面贴装的模压封装产品。     

Vishay发布三款采用小尺寸封装的高性能单通道和双通道负载开关

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出三款新的可在1.1V～5.5V电压下工作的单通道和双通道2 A负载开关——SiP32411、SiP32413和SiP32414,器件在1.2 V下的低开关导通电阻能够提高效率,150μs的典型受控软启动斜率能够限制涌入电流,使受控的启动过程更加平滑,从而将开关噪声降至最小。     

Vishay推出可用于车辆LED照明的,采用IHLP~制造的新款组合耦合电感器

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用该公司IHLP誖技术制造,可用于SEPIC DC/DC转换器和其他应用的新系列组合耦合电感器。Vishay Dale IHCL使用4 040小外形尺寸,在相同封装内装了两个电感器,磁耦合大于90%,工作温度可达+155℃,有2.2~47μH共8种感值。今天发布的器件的工作频率可以达到5 MHz,适用于车用LED照明里的SEPIC转换器。IHCL器件把两个电感器集成在一个高4.0 mm的小尺寸10.1×10.67 mm封装里,这样工程师就能够设计出更小、更耐用和高效的SEPIC转换器电路,同时降低总成本。IHCL系列也可以用于共模应用。     

采用超小封装的Vishay新款低交流输入电流光耦节约60%以上的电路板空间

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出带有光电晶体管输出的两个新系列4pin、低交流输入电流的光耦——VOS628A和VOS627A,扩大器光电子产品组合。这两款器件采用小尺寸SSOP-4微型扁平封装,采用两次模塑结构,比DIP-4封装节省60%以上的电路板空间,高压性能优于其他供应商的共平面结构产品。凭借±1 mA(VOS628A)和±5 mA(VOS627A)的低交流输入电流,今天发布的这些光耦可用于可编程逻辑控制器、工业控制