国外在电学自然基准研究方面的两项重大突破

本文介绍国外在电学自然基准研究工作中最近取得的两项重大突破。第一项是在半导体表面物理的研究中发现了一种新的物理效应——Klitzing效应,利用此种效应可以建立电阻的自然基准。第二项是研制成了多结串联的零偏置电流的约瑟夫逊器件,使利用交流约瑟夫逊效应建立的电压自然基准的精确度可得到大幅度的提高。     

差压变送器的检查及运转

现以电动单元组合仪表DDZ一Ⅱ型差压变送器为例．介绍如下，图1差压变送器安装图（注：测量蒸气流量一次问后需装平衡罐）如图1，由于现场运行差压变送器的故障大多是零点漂移和导压管接头、阀门等处堵塞和泄漏，所以现场除对刻度校验外，主要是检查零点和输出电流的变化趋势。具体方法如下：（1）零点检查：关闭三阀组的负、正压阀，打开平衡阀，此时差压变送器正、负压室所受静压力相等，差压变送器输出电流为0mA，如不为0mA，调节变送器的调零螺钉。顺时针调节，变送器输出电流上升，逆时针调节，输出电流下降。（2）宣化趋势检查：零…     

超导量子干涉器件的冷却技术

超导量子干涉器件(SQUID)是应用约瑟夫逊效应发展起来的超导电子器件，是目前低温超导学的前沿学科之一。由于它对电磁讯号有特别高的灵敏度，可用于测量微电流(10^-14A)，微电压(10^16V)及弱磁．低磁化率等，当SQUID用作约瑟夫逊电压标准时，测量精度可达10^-10。     

碳纳米管压阻效应及其应用研究

利用了三点弯曲法研究了碳纳米管膜压阻效应.研究中所用的碳纳米管是用化学气相沉积法合成的.实验结果表明,碘掺杂和未掺杂的碳纳米管膜的压阻因子在500微形变和室温下分别为350和65,超过了单晶硅和多晶硅的压阻因子.同时还发现化学处理还能进一步增强碳纳米管膜的压阻效应.碘掺杂碳纳米管膜的压阻效应也许是由于在形变时带隙变化所致,而未掺杂碳纳米管压阻效应主要是由管之间接触电阻变化引起的.碳纳米管压阻效应可用于旋转速度的测量.     

20000A直流电流比较仪

一、原理概述 DCC-20KA直流电流比较仪式大电流测量装置采用了磁调制器作为一次变换器。被测电流流过单匝穿心的初级绕组,比较仪次级电流在标准电阻上产生压降;由数字电压表读取测量结果并打印记录。装置原理如图1所示。测量方程式为: I_X=K_W·U/(R_N) (1)式中:K_W-比较仪额定变比;U-数字电压表示值;R_N-标准电阻阻值。磁调制器是测量装置的核心,它由一对磁调制-检测铁芯(亦称主铁芯)、绕在此铁芯上的绕组、调制振荡器、解调器、伺服电源、     

单相法检定变送器三相功率因数表

安装式三相功率因数表有一定的用途,而检定用的三相装置价格较昂贵。现介绍一种单相法检定该表的方法。 变送器式三相功率因数表都是安装式仪表,背面有四个接线端子,其中两个电压端子并接UCB线电压,两个电流端子串接A相电流,和其它三相功率因数表一样适用在三相对称电路。向量图和波形图如图1。 流过三相功率因数表直流微安表头的平均电流Ip与相角之间的关系: 如果用U代替LCB。。I代替IA,相移U和I之间的夹角β,容性时电流滞后电压　　φ,感性时电流滞后电压 +φ,如图2,就可实现用单相法检定三相功率因数表。 单相法检定时有两点是要注…     

射频超导量子干涉器研制成功

射频超导量子干涉器,简称RFSQVID,它是由一个约瑟夫逊结和一个超导环连接而组成。RFSQVID的磁灵敏度可达到1×10~(-19)Wb或更高。可以用来测量各种生物磁场,如人的脑磁、心磁;研究古地磁,寻找矿物,如落底石油;以及测量引力波和磁单极子等;在计量方面,用它可以做成灵敏度高达10~(-12)A及10~(-15)V的检流计。用SQVID制成的超导电流比较仪,精度可达10~(-11)。此外,在测量小电压,小电流,小电阻等方面灵敏度都比常规仪     

水蒸汽、冷却水的微机计量

为了简洁明了,图中只绘出了一路蒸汽与微机的连接原理图。当测量回路增加时,只要相应增加A/D转换卡的输入路线即可。压力变送器和差压变送器、温度变送器可采用国产Ⅲ型或1151系列、EK系列。变送器采用二线制输出为4～20mA电流,各变送器输出4～20mA电流流过250Ω标准电阻后,产生1～     

磁通门磁强计用于测量磁性材料内禀矫顽力的改进措施

用磁通门磁强计测量磁性材料内禀矫顽力(如图1所示),是将由两个磁通门探头(或霍尔探头)构成的两个差分磁通敏感探头放置在螺线管外面,而这两个探头和磁强计连接,被测试样放在螺线管中部,螺线管在反向电流磁场作用下使试样退磁,当磁化强度为零肘,磁强计的示值指示为零,从而测定该试样的矫顽力。但是这种磁强计的示值是否为零是     

单相功率表接线方式的误差分析

图1为功率表电压线圈前接电路，即功率表电压线圈的发电机端（＊U）与电流线圈的发电机端（＊I）连接后接至电源端．电流线圈的非发电机端（I）接至负载端，而电压线圈的另一端则跨接至负载的另一端。此时流过功率表电流线圈的电流I1就是流过负载的电流I，流过电压线圈的电流为I2，功率表测得的负载功率包含了功率表电流线圈所消耗的功率I1^2Ri（Ri为电流线圈的内阻）。     

管径相关的多壁碳纳米管膜的压阻效应

利用三点弯曲法研究了不同管径的碳纳米管膜的压阻效应,实验结果表明,管径较小的碳纳米管膜与管径大的碳纳米管膜相比具有更显著的压阻效应,并对电阻随应力变化的机制作了详细的讨论.     

电压叠加式线路电位差计的调修

所谓电压叠加式线路是利用各个单独线路所产生的补偿电压相加而成,而各补偿电压又是利用改变补偿电阻上通过的电流获得,以得到进位读数。其线路如图1所示。它是由10只相同名义值的电阻组成的环。电流Ⅰ从0点流入,按电刷位置分成Ⅰ′和Ⅱ″两部分,然后通过电刷触点汇合后输出。但这样简单的环还不能用于电位差计中,因环中A、B两点间的总电阻随电刷位置不同而异,工作电流也随之变化。     

籽晶浸渗生长工艺制备银掺杂的YBCO块材

REBCO(RE为稀土)块材超导体比传统的铁基永磁体能产生更大的磁场.因为块材超导体产生的磁矩与流过样品的回路电流和电流流过的面积成正比,因此,近年来许多工作集中在提高样品的临界电流密度和增大样品的尺寸.     

低气压辉光放电溅射的放电形式

冷阴极气体放电的伏安特性如图1所示。通常所谓的辉光放电是指正常辉光放电(EF)和异常辉光放电(FG),二者除在伏安特性上有区别外,它们的阴极位降区的宽度也不同。前者不随电流而变,后者随电流的增加而减小,如图2所示(图中下标n、an分别表示正常辉光放电和异常辉光放电)。     

热工仪表调修问答(十九)

56XCT-19(1/2)型带连续电流输出PID动圈式调节仪表(以下简称XCT-19(1/2)型仪表)输出电流能在0～10mA范围内变化,但不产生PID动作,怎样处理呢? 答:XCT-19(1/2)型仪表能在0～10mA内变化,说明输出电流是正常的,即振荡级和功放级无故障,故障出在PID反馈回路(见图1)。     

中阶梯光栅厚铝膜纳米压痕硬度尺寸效应测试与分析

为了明确中阶梯光栅厚铝膜硬度特性,从而为中阶梯光栅刻划刀具晶体结构设计奠定基础,对中阶梯光栅厚铝膜进行了纳米压痕硬度测试与分析,表征了厚铝膜硬度特性。首先,对厚铝膜进行纳米压痕试验并提取了试验数据,采用OP法计算了其硬度值。然后,通过对硬度值的拟合与分析,得出厚铝膜的硬度变化规律与宏观硬度值。实验与分析结果表明:中阶梯光栅厚铝膜在纳米压痕测试过程中会出现尺寸效应(0～0.2μm压深区间),并且不是单一随着压深增大而减小,而是呈现三个明显的变化区域,并且采用AlmasriVoyiadji模型表征了厚铝膜在压深为0～0.2μm区间的硬度变化特性。硬度值在压深为10～15 nm区间再次出现了三个明显变化区域;因此笔者对厚铝膜进行了金相试验与压入过程的接触分析,试验与分析结果表明:10～15 nm压深区域产生这种现象的原因是厚铝膜晶体发生了屈服。本研究具体表征了中阶梯光栅铝膜纳米压痕硬度尺寸效应变化规律,从晶体力学角度解释了极浅压深条件下硬度值变化的原因。     

光电流放大器的制作与性能比较

以运算放大器为核心的光电流放大器(又称Ⅰ—Ⅴ转换器)灵敏度高,响应快,线性好,因而在光学计量等方面广泛应用于放大由光敏元件所产生的微弱电流。一、光电流放大器的典型线路光电流放大器的核心元件是一个低漂移运算放大器。因其接成电流放大型线路,具有接近于零的输入阻抗,故能与光电倍增管、硅光电二极管等光敏元件直接耦和,获得良好的直线性和足够的灵敏度。实际线路如图1所示。     

开关电源软启动电路设计

1简介开关电源的输入电路大都采用整流加电容滤波电路。在输入电路合闸瞬间,由于电容器上的初始电压为零会形成很大的瞬时冲击电流如图1所示,特别     

配热电阻式仪表的改制

现介绍一种用改变测量电路的零点电阻R。和量程电阻Ra的方法,将旧分度号(BA2)的仪表改为新分度号(Pt100)的仪表。这种方法简便易行,无需投资、效果良好。 1.测量电路 图中RT为热电阻,r为外线调整电阻,Rt2为阻尼调整电阻。 2.改制的计算 改为新的分度号后,要求在热电阻下限温度时,电桥平衡,流过动圈的电流为零。在上限温度时,流过动圈的电流与改分度号前一样。根据桥路原理,我们只要把Ro、Rs这两个电阻值改变即达到要求。 令Ro、Rs为改后的初始端电阻和量程电阻。RTo、RT为新分度号的上、下限温度所对应的分度电阻值。 R0+RT0=R0+RT…     

超导在军事上的应用

超导体具有零电阻、抗磁性及其结构的约瑟夫逊效应,使超导技术成为国内外军事界普遍关注的具有巨大发展潜力的高技术,尤其是液氮温区的高温超导体的发现及发展.今后10年将是高温超导向实用化和商品化发展的关键时期,其中高Tc超导(HTS)Bi-2223带材具有易成材、高转变温……