SiHP16N50C等：功率MOSFET

Vishay Intertechnology宣布推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220FULLPAK、D2PAK和TD247AC封装。     

机情局

型号 SPV一M3000 U526 TRZ000 C258 F2400 Lpsg00 户比旧10 CaVal{iF盼i团日价 A 1 200 RAZR V3i RAZR V3e V 1 73 V 1 90 V276 N512i XZi {M8600 }M8700 日一1000 SCH一V700 SG日一D72O SGH一D730 SGH一DSOO SG日一D82O SGH一E77O SGH~P300 SGH一XZO日 SG只一火6已B SGH一之32     

新闻月览

爱可信N F浏览器D T V版支持Plala新推出的宽带业务爱可信公司(A C C E S S)推出专门针对第四媒体(T h e4thMedia)宽带服务的NF浏览器D T V应用概要H T M L版SDK。第四媒体是由Plala网络公司提供的一项宽带视频业务。NFDTV概要HTML版SDK是一套针对数字电视和机顶盒产品的H T M L浏览器的软件开发包。它能够简化爱可信H T M L浏览器移植和软件客户化过程的解决方案,符合针对数字电视和机顶盒的众多规范,包括NetTV2.0和UOPF12。通过将所有需要的模块移植到一个开发包中,N FD T V概要HTML版S D K使得客户可以方便地…     

500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

DEK的‘新一代印刷工具’在NEPCON South China 2005展会上大放光芒

在2005年华南国际电子生产设备暨微电子工业展(NEPCONSouthChina2005)的2D47展台上,DEK公司将展现“新一代的印刷工具”技术战略,并在其Horizon02i与InfinityAPi平台上示范崭新的机器/用户界面Instinctiv。客户到DEK的展台将可见证Instinctiv如何能大幅提升市场领先的印刷机的生产力和利用率。在展会期间,DEK的本土技术专家更会示范DEK用于高产量制造和无铅工艺的生产力增强选件、工艺解决方案和产品。D E K在N E P C O N展出的印刷机包括:DEKHorizon02iDEKHorizon02i印刷机通过其高端机匣、出色的核心产能和灵活的选件,…     

Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

膜混合集成电路、MOS集成电路

yZOOZ·63118一33 D215136浮动栅子阂值Mos直线性电路的动态充电恢复二D”抑ic eharge restoration of月oati呵,te subthresholdNIOS tr姗linear eircuits〔会,英〕/Koosh,V.F.&G知dman,R.//2001 IEEE International Svm侧龙lurn onY2O02·63118·707 0215137高速连续时间线性加权电压加法的小型CMOS电路=C冶mpaet CMOS drcuits for high一speed continuountimelinear weighted voltage addition〔会,英〕/Ramirez一助gu-10,J.&Ledesma,F.//2001 IEEE Inte湘tion滋S帅-P叱iuxn on Cireuits ands邓tems,Vol.1 ofs一707一7…     

成都城隍庙电子电器市场家电产品报价

一、VCD机商栩型号)005007006002了场心1100950930870步步高668K698K630K658K121014001260960三碟三碟先科VD3000VD6000VD8000VCD777VCD768VCD759820BK830BK300BK阮v3300125013001360三碟三碟三碟长虹12001 12014601250125011002050三碟厦新三碟爱多CPN28BCD N3013201480内存5000首卡拉OK送片10张 三碟(送片10张)万利达碟碟碟三三三VCD26VCD28VCD320VCD330VCD360二、彩电10801 120121011601210新科商州型号卜地压场价备注长虹忿3419PDD2963AD2965AD2966D2522AD2525D2119D2117B2112C1851K绵阳9800440041803650245…     

TL6706无绳电话机电原理图

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非晶硅磷掺杂固相效率的计算

本文介绍一种计算高质量GDa-Si磷掺杂固相效率η(S)的方法。所得的结果是:当掺杂剂气相浓度C(g)等于固相浓度C(S)时,对于C(g)<10~(-4),η(S)是常数,其值为20％,即a-Si薄膜中四配位磷原子密度N(P_4~+)与三配位磷原子密度N(P_3~0)之比是1/4;对于C(g)>10~(-4),、η(S)服从Street定律,其值为10~(-2)～10~(-3)。N(P_4~+)/N(P_3~0)～1/100。P_3~0P_4~0—D之间的热平衡反应常数K～10~(16)cm~(-3)。但是,当C(g)≤10~(-6)时,K可降到10~(16)cm~(-3)。     

105Msps高分辨率、低功耗双通道ADC

凌特公司推出14位105M sps双路高速A D C LTC2284,在70M H z可提供平坦的72.2dBSN R响应以及在基带的88dBSFD R。LTC2284是以低功耗、小解决方案尺寸和卓越的串扰规范而得到公认的引脚兼容双路A D C系列的最新产品。配合LTC2284还有10位LTC2280和12位LTC2282105M sps双路A D C。这3种双路A D C宽带宽采样率为105M sps,扩充了已有的10M sps至105M sps10位、12位和14位3V系列器件。3种A D C的功耗是每通道仅270m W,通道间串扰为-110dB。LTC2284提供在两个输入范围之间进行选择的灵活性。这个A D C系列为高达140M H z信…     

通信产品

可为新的D R M接收机提供基带处理的新型B L A C K F I N处理器美国模拟器件公司(ADI)生产的的BLACKFIN处理器具有基带处理能力,同时具有处理多个音频标准的灵活性。由于新的D R M接收机标准要求音频解码器具有高质量音频MPEG4AAC+(包括SBR)、高质量语言编码CELP,以及低比特速率语言编码的H V X C等三个特性要求。,而BLACKFIN处理器可以处理多种解码器。因此,新型BLACKFIN处理器可显著降低材料成本,同时可满足D R M标准的鲁棒性要求。利用BLACKFIN处理器以及ADI公司的软件和系统技术能够开发符合新的D R M接…     

具有低电压、低“迟滞效应”的C60薄膜晶体管

以C60为激活层,同时以聚合物/高K氧化物双绝缘层结构研制了N型有机场效应晶体管。结果表明,采用这种双层结构的绝缘层能够很好的将Ta2O5和PMMA的优点结合在一起,即既利用了Ta2O5的高介电常数又利用了PMMA与半导体层良好的界面接触特性。与采用单一Ta2O5或这PMMA绝缘层的器件相比,这种具有双层结构的器件性能大幅提升。最终研制了能够在10V低电压下正常工作的C60晶体管,其场效应迁移率、阈值电压和开关电流比分别为0.26 cm2/Vs, 3.2V和8.31×104。同时,利用修饰绝缘层PMMA的疏水性大大降低了这种具有双层结构的N型有机晶体管的“迟滞效应”,从而让器件工作时有较好的稳定性。     

几种二进编码传输系统的比较

符号表 A PSK一AM或FSK一AM的主载波幅度 A。接收天线的有效面积 B,匹配滤波器的带宽 B。中放带宽 (B1刁P、一AM PSK一AM系统的中放带宽 (及劝二K一AM FSK一AM系统的中放带宽 (C/N)或C刃双载波噪声此 (C/N)。。K一服PSK一AM系统中放付载波信噪比 (C/N)。K一。,FSK一AM系统中放付载波信噪比 CF峰值因数一峰值/均方根值 D载波相对于传号、空号平均频率的频移 E每此特所含信号能量~STO E;接收机的天线开路电压 F接收机噪声系数 f。输出滤波器带宽 G(t,发射天线增盘 G(。接收天线增益 g(O调制函数 h(t)滤波器的脉冲响…     

时尚“蓝调” 三星NV10

作为千万像素的新锐,三星的蓝调NV(NewVision)系列数码相机更偏向于时尚路线。这款N V10就是其中的代表作,除了融合古典与时尚的轻薄外型设计外,这款机器在操作界面上更有独特的创意。N V10整体黑色,在镜头外圈以及机顶的开关上有深邃的蓝色作为点缀。它采用全金属的外壳材质,手感很好,金属质感的冰冷及光滑感觉让人十分舒服。镜头周围闪烁着金属感的光泽。刚开始操作N V10时,对于它颠覆性的按键设计还有些不习惯,纵横排列的两组按键都具有触摸感应功能,功能则与L C D上显示的图标相对应,操作时选择和确定往往要搭配使用对应的纵横两…     

海神

第一款手机上的航海网游第一款无缝地图加截游戏,没有地图载入延时SLG+MMORPG史诗巨著四大职业、八大种族、无穷任务整合了即时通讯的超强聊天系统适用机型诺基亚S60:3250,3230,N70,N73,6111,OD,N-GAGE等32款机型诺基亚S40:3200,3100,6100,8800,6270,7270等55款机型索尼爱立信:W800,K700C,J300C,Z550,W900C等45款机型摩托罗拉:E770,V6,V80,A780,E680i,C168,V220等27款机型     

JESMAY-4735H系列干线放大器电源工作原理与检修

杰士美(JESMAY)4735H系列干线放大器采用以UC2842AN为核心的开关电源电路,其成本低、效率高、外围电路元件少,因而被广泛应用。该型干线放大器电压范围宽,能在30~90 V之间正常工作,性能稳定。笔者将4735H干线放大器开关电源工作原理图绘出(见图1),供维修时参考。1开关电源工作原理供电器输出60 V交流电压,经干线放大器保险管F,电感L1、L2,电容C2、C4、C7、C8组成的滤波器后,经过桥堆D1(KBU606)整流及电容C9、C10滤波形成80 V左右的直流电压,分两路输出:一路通过开关变压器T初级绕组N1加到开关管Q2的漏极D;另一路通过R2与R3组…     

硅平面大功率晶体管D402、D10管芯失效机理分析

一、概述我们采用电分析和显微分析相结合的方法,在大量解剖分析失效的硅平面大功率晶体管D402、D10管芯的基础上,对表面引起失效及体内引起失效的机理进行了较为详细的分析和讨论.D402和D10晶体管是npn型硅平面低频大功率管,其主要技术性能:P_(CM)为2～5W;I_(CM)为1A;BV_(ceo)≥100V(I_C=0.5mA):I_(ceo)≤0.1mA(V_(ce)=20V);V_(ces)≤0.6V(I_c=0.5mA,I_b=0.05mA).其主要用途是作十二英寸、十四英寸黑白电视机伴音功放,以及部分电源推动和激励,其外壳采用D-1C管座封装,     

日本六大公司彩电常用整流二极管代换对照表

适用机型及型号国内可直接代换的型号机型型号日立ESIAZESI,IN4004,TG16.GG10ED,BSV09,CFR08一04EH一122CZ40,PR1003,2CZ321C,CH06CRB一156RM156RH一12ZCZ321C,2CZ40,PR1003EHIAEMIAGU一3B2CZ307H,SG10)RH一15CN06I,2CZ36,2CZ321ERH一IA2CZ318G,PR1005,2CZ27RO一ZA2CZ37,CZ12HV 11NGC06QD,ZCZ34PA,2CZ306KV09GZCZ30SGV06C2CZ201,V06C,BSV06,BHV06CV 19CDHV19DV09CDHV09C,V09C,TGIV 19EDHV19TVRZBZCZ313BSM一1一02FRACFR08一02IN4001一4007IN4001一4007IN5400一5408I…     

1．7A、1．5MHz同步升压型DC／DC转换器

凌特公司推出具有浪涌电流限制和输出断接功能的1.7A、6V、1.5M H z同步升压型D C/D C转换器LTC3458L。其1.5V～6V的宽输入电压范围使LTC3458L能够使用从双节碱性、镍氢金属或镍镉电池到单节锂离子电池的电源工作。可提供高达6V的输出和高达95%的效率。其开关频率可编程至高达1.5M H z,允许设计师保持开关噪声落在噪声敏感电路之外,并能够使用微小的电容器和电感器。LTC3458L的内部开关加上纤巧型4m m×3m m D FN封装使其在很紧凑的外形尺寸下提供了高效率升压能力。LTC3458L的200m W(N沟道)M O SFET开关和300m W(P沟道)M…