表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型

基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.     

10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究

针对SiC MOSFET体二极管双极退化效应,该文提出了一种集成低势垒二极管的10 kV SiC MOSFET器件新结构(LBD-MOSFET).该结构通过在一侧基区上方注入N阱,降低了漏源间的电子势垒,从而在元胞中形成一个低势垒二极管(LBD).当LBD-MOSFET在第三象限工作时,低的电子势垒使LBD以更低的源漏...     

小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电压及其电流电压特性的研究

针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低(DIBL)效应、短沟道效应(SCE)和速度过冲效应,获得了强反型时小尺寸P+多晶SiGe栅应变Si pMOSFET的阈值电压模型和I-V特性模型。运用Matlab对模型进行计算,获得阈值电压随多晶SiGe栅Ge组分、栅长、氧化层厚度、弛豫SiGe虚拟衬底Ge组分、掺杂浓度以及漏源偏压的变化规律,I-V特性计算结果表明MOS器件采用Si基应变技术将有更高的输出特性。用器件仿真软件ISETCAD对模型结构进行仿真,所得结果与Matlab计算结果一致,从而证明了该模型的正确性,为小尺寸应变Si MOS器件的分析设计提供了参考。     

新器件结构SGOI低场迁移率模型及数值分析

为了减小绝缘层上硅锗(SGOI)自加热和短沟道效应,提出新型的双台阶式埋氧SGOI n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET).在该器件结构中,采用双台阶式埋氧结构来减小自加热效应,引入接地层(GP)用于减小漏致势垒降低(DIBL).建立应变硅器件的低场迁移率模型并嵌入到器件模拟器Sentaurus Device中.在不同的沟道应变情况下,分析自加热效应随埋氧层的厚度以及短沟道效应随栅长的变化关系.模拟结果表明,相对于Ge组分为0的情况下,Ge组分为0.4的SGOI器件的输出电流提升了至少50%.随着沟道下方埋氧厚度从100nm减小到10nm,自加热温度减小超过60℃;当引入接地层后,DIBL效应减小超过25%,泄漏电流在很大程度上得到抑制.     

势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响

在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系.结果表明:大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间,基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用.     

势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响

在已有的SiCe HBT基区渡越时间模型的基础上，考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系．结果表明：大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间，基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用．     

GaAs纳米晶体压致相变的尺寸模型

基于晶体相变压力和结合能的关系,提出了一种简单的热力学模型计算尺寸依赖的纳米晶体压致相变压力.根据该模型研究了GaAs纳米晶体压致相变的尺寸效应,结果表明GaAs纳米晶体稳定性的下降导致其相变压力随尺度的减小而降低.当尺寸进一步减小时,纳米晶体的相变压力随着尺寸减小急剧降低,显示了强烈的尺寸效应.该模型计算结果与分子动力学模拟结果显示了较好的一致性.     

基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容

当SiGe HBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容．另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况．在SiGe HBT载流子输运基础上,建立了考虑发射势垒区载流子分布的势垒电容模型和不同电流密度下的集电结势垒电容模型．     

NHO催化二氧化碳与环氧化物反应生成环碳酸酯的机理研究

采用B3LYP的方法,6-311G(d,p)的基组,考虑PCM模型的溶剂化效应(DCM)以及DFT-D3模型的色散校正,对氮杂卡宾烯(NHO)催化二氧化碳和环氧化物生成环碳酸酯的反应机理进行了详细研究和讨论。该反应包括2个反应机理(M-1和M-2)。机理M-1由3个反应步骤组成,二氧化碳的加成反应是无势垒的,其中最后一步的势垒(168.74 k J/mol)最高,是整个反应的决速步。机理M-2包括4个反应步骤,第3步具有最高势垒136.98 k J/mol,是整个路径的最高鞍点。机理M-1和M-2在动力学上是相互竞争的,而由于机理M-2的决速步势垒比机理M-1的低,所以机理M-2是较优机理。     

德希特时空中RN黑洞的标量场隧穿效应

采用数值方法研究了处于相变点的RN黑洞在德希特时空中的标量场隧穿效应,将视界附近的势垒以阶梯形势垒代替,计算了标量场的反射系数和透射系数。结果表明:对于高能标量场,反射系数趋于零,而透射系数接近于1,即所有的标量场粒子都将透过势垒而传播到无穷远;对于低能标量场,反射增强,透射减弱。随着宇宙学常数的减小,势垒发生变化,对隧穿效应会产生一定的影响。     

基于依赖网络的告警分析算法

告警的相关性分析是网络管理中最重要最必要的技术,在分析告警分析的语法模型的基础上,提出了基于依赖网络的告警分析算法,即通过分层模型来对网络系统进行模型化处理,以静态依赖网络来描述告警传递模型,通过告警映射形成依赖网络来进行告警分析.     

基于ECM的Granger因果检验框定依赖实证分析

将协整理论中的基于ECM的Granger因果关系检验用来检验股票市场是否存在框定依赖，然后对我国股票市场是否存在框定依赖进行实证研究。结果表明我国投资者也表现出心理账户的一个重要特征——框定依赖。该模型还可以进一步检验变量之间的因果关系是长期或短期的因果关系。     

基于用户行为聚类的移动终端业务故障检测优化机制

为了检测、诊断以及排除移动终端上潜在的业务故障,提出面向用户的预检测机制以保障终端用户的正常使用. 首先引入用户终端的业务隶属度来反映用户的偏好,进而有差异性地对业务进行检测; 其次,根据业务隶属度情况,提出基于用户行为聚类模型,实现对用户的划分; 再次,综合业务隶属度、网络状态和业务历史故障率3个因素建立优先业务诊断集合的选取模型,既要保障将业务集合控制在用户最常用的范围内,又要保障对故障率较高的业务进行优先检测策略,进而达到以最小的代价最大可能地保障终端用户的正常使用; 最后,在移动终端故障管理原型系统中进行了验证.     

ATM网上一种简单的视频业务模型*

针对相当多的视频业务具有长相关性和在许多时间尺度上的边缘概率分布都近似服从Gamma分布的特性, 提出了一种新的简单视频业务模型.该模型的边缘概率分布服从对数正态分布, 并且具有长相关性, 因此, 该模型能够很好地体现实际视频业务的上述统计特性.仿真实验通过排队性能的分析也验证了该模型的有效性.     

ISAR成像中散射点越分辨单元走动校正算法

从目标回波的精确模型入手,探讨了在逆合成孔径雷达成像中散射点越分辨单元走动校正算法与常规距离多普勒算法、极坐标插值算法在处理散射点越分辨单元走动方面的差异,并从最大成像范围及算法对模型的依赖等方面对这些算法进行比较．结果表明,散射点越分辨单元走动校正算法适宜于逆合成孔径雷达成像中散射点走动的校正．     

基于年龄分布的种群模型解的性质

该文研究基于年龄分布的种群模型的解的性质,应用特征线方法和广义Minkovski不等式推广了模型的解关于参数的空间依赖性,借助不动点原理确定了模型的解关于参数的连续性。     

比例危险模型及其在产品竞争失效分析中的应用

利用比例危险模型分析了突发失效与退化量的关系,给出了竞争失效的一般模型及模型的参数估计方法,利用所给模型对强激光装置所用的金属化膜脉冲电容器进行了可靠性分析.     

一种非平稳性时间序列的相依性分析

基于时间序列中重要的自回归模型,讨论非平稳条件下的相依性.并结合色散序和线性回归模型,给出变量间相依性随机递增的新刻画方法.最后用蒙特卡罗方法模拟2种常用分布下的数值结果,验证新方法的合理性.     

基于具有尾部变结构的Copula-GARCH模型的相关性分析

针对金融市场中不同资产之间的尾部相关结构的非对称性和动态性,并通过分析几种常见的Copula函数在相关性分析上的优劣,本工作创新之处是构建了具有尾部变结构的Copula-GARCH模型。相比于单一的、静态的Copula函数,它具有多个Copula函数的混合特性。最后以上证综指和深证成指为例进行分析,结果表明:该模型能够更准确地描述投资组合中金融时间序列之间的动态相关特征。     

数据依赖关系的属性关系图表示

讨论了并行程序分析中重要因素之一的数据依赖关系的可视化策略及其交互原则，提出了一种基于属性关系图的依赖关系表示方法，并给出了对具有关系特性的数据进行可视化时的逻辑描述和几何描述。