半导体桥（SCB）雷管

本发明介绍的是用半导体桥点火器起爆高密度猛炸药材料的低能雷管,半导体桥点火器由与半导体桥连接的一对导电区组成,半导体桥作用时或者直接与爆炸材料接触,电流通过半导体桥时使爆炸材料起爆。与导电区连接的头部导线和头部的电引线与电流通过SCB的方向同轴,即与SCB的长度同轴。     

高阻抗半导体桥雷管

装有半导体桥起爆组件（35）的雷管（10）的起爆与点火药（18）有关。半导体桥起爆组件（35）的两电极（62a,62b)间有一个半导体桥（60）起爆元件（36）。半导体桥（60）应具有至50Ω的电阻，48，600-600，000μm^3的体积并要有2μm的标准厚度。通过输入引线（26a,26b)传递给起爆组件（35）超过200mA的发火电流半导体桥引燃点火药（18）。     

半导体格装置

该雷管由一个壳体组成，壳体中装入一定量的混合炸药，半导体桥装在与混合炸药一端毗邻的地方并且与火花间隙和有电容器以及分流电阻器的具体装置电连接，一个导线与火花隙和半导体桥连接，为向半导体桥传递电荷提供了一种手段。该雷管还包括一个射频衰减器，例如，铁氧体磁珠，将电导线通过该衰减器。雷管壳的端部可以用适当的方式密封。     

半导体桥火工品在油气井中的应用

分析了半导体桥的结构特点和起爆机理,针对油气井的特点,从安全性与可靠性方面综述了半导体桥技术的应用情况,提出半导体桥雷管在石油行业有良好的应用前景.     

BNCP在雷管中的应用技术研究

为推进新型安全钝感起爆药BNCP的军事应用,开展了BNCP在雷管中的应用基础技术研究和性能特征分析.给出了BNCP的结构表征、热性能、安定性、相容性、各种感度性能的典型数据和特点,研究了BNCP的装药工艺性能,测试与分析了BNCP的爆热、比容、爆速、爆发点和“准起爆药”的安全特征,通过试验研究了BNCP的极限起爆药量、...     

激光起爆雷管研究

使用脉冲持续时间数ｍｓ的普通脉冲激光装置和石英光导纤维进行了激光雷管的起爆实验。激光振荡器是波长１．０６μｍ的ＹＡＧ激光。炸药使用ＰＥＴＮ，添加作为激光吸收物质的炭黑，对其添加比例和装填密进行了调整。另外，在雷管上装有金属管使约束力增加。其结果，最小起爆能量在添加１％比例炭黑，装填密度为１．１５ｇ／ｃｍ＾３时为１．６９Ｊ。     

新型桥形状飞片雷管

型桥飞片雷管在基片上有一对隔开的导电区，隔开的导电区之间是桥，桥呈曲线型且有一空腔，飞片盖在桥上。     

抗雷击低电感雷管电缆

紧靠猛炸药主装药的扁平雷管电缆遭受雷击可能有引起炸药爆轰的危险，电缆电爆炸可以足够高的速度将电缆的介电涂层发射出去而冲击起爆猛炸药。已经论证了用于Ｗ８７系统的雷管电缆就是在９９％负电雷击下也不能起爆ＬＸ－１７主装药．Ｗ８７电缆有比较高的电感，不适合用于低电感发火装置。     

半导体桥起爆黑索今研究

测试了电容放电条件下用高电压激发时半导体桥的爆发特性,结果表明在高电压的情况下半导体桥爆发时也会产生两个电压峰,并经历了升温、熔化、汽化、等离子体形成等4个阶段,半导体桥爆发时的后期放电持续时间也较长。此比外,研究了充电电压和压药压力对半导体桥起爆黑索今的影响,结果表明在一定的条件下可以用半导体桥起爆黑索今。     

半导体桥芯片静电加固的研究

针对桥区形状为尖角形的半导体桥在尖角处电流密度过于集中、易发生静电损伤的问题,提出将半导体桥的尖角部分设计为圆弧的形状,达到提高半导体桥抗静电能力的目的。静电实验发现圆弧型半导体桥在10000pF电容、25kV电压并且串联5000Ω电阻的静电冲击条件下完好无损。33μF电容、19V电压放电模式下,静电冲击前后圆弧型半导体桥的发火时间基本没变,而尖角型半导体桥的发火时间发生了较长的延迟,证明圆弧型半导体桥在保证发火的前提下抗静电能力得到增强。     

半导体桥装置及制作方法

具有半导体元件（10）的起爆装置（24）由被起爆桥（14c)分隔开的半导体垫片（14a,14b)和置于其上喷镀的金属化电极（16a,16b)构成。金属化电极（16a,16b)具有金属钛的底层（18），钛-钨结构的中间层（20）和钨金属的顶层（22）。这种多层结构应用简便，与半导体（14）之间粘着力强，能提高半导体特性，避免用铝作金属化电极时，在恶化条件实验（不发火试验，超低发火电压或低发火电流等）中可能出现的电荷迁移问题，半导体（14）可用类似于金属化电极（16a,16b)的分层结构的金属幅或盖覆盖。制作半导体桥装置的方法包含钛金属掺杂，钛-钨金属掺杂和钨金属掺杂。这三层金属以适当比例掺杂在半导体层上制成此发明中的金属化电极（16a,16b)和/或盖幅（117）。