微波ECR氧等离子体参数测量

利用双探针对微波ECR氧离子体参数进行了诊断研究,测量了等离子体的双探针伏安曲线并计算出电子温度和离子密度,分析了气压、微波功率、氧气流量等参数对等离子体参数的影响．结果表明：a．随着气压的升高,等离子体密度先增大后减小,电子温度逐渐减小．b．等离子密度随微波功率的增加先增加后达到饱和,电子温度受微波功率影响很小．c．随着氧气流量的增加,等离子体密度和电子温度都减小．     

多晶硅的ECR等离子体刻蚀

报道了用CF4作工作气体的ECR刻蚀poly－Si技术，研究了微波功率、气体流量、气压和射频偏置功率对刻蚀速率的影响，并对实验结果进行了讨论，实验中微波等离子体功率范围在100－500W，CF4气体流量在10－50cm^3/min（标准状态下）范围，气压在0.25-2.5Pa范围，射频偏置功率在0－300W范围，对应的刻蚀速率为10.4-46.2nm/min。     

微波等离子体的朗缪尔探针测量

随着微波等离子体的应用越来越广泛,其参数的测量研究也逐渐得到人们的重视.本文使用朗缪尔探针测量了微波等离子体的单探针I-V特性,并根据探针测量原理计算出等离子体空间电位、电子温度,电子密度和离子密度等参数.     

磁场位形对微波ECR等离子体电子参数的影响

测量了两种磁场位形中微波ECR等离子体的电子参数,研究了磁场位形对电子参数空间分布的影响,结果表明:发散场中电子温度在轴心和腔体边缘较大,在过渡的中间区域较小,而磁镜场中电子温度随径向半径R的增大单调减小;电子密度在两种磁场位形中随径向和轴向距离的增大均呈单调下降的趋势,磁镜场中的下降幅度大于发散场;在共振面附近,发散场中气压对电子温度的影响比在磁镜场中大,而气压对电子密度的影响在两种磁场位形中基本相似.     

微波ECR等离子体溅射沉积TiN薄膜的研究

用微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体溅射法在常温下制备出优质的ＴｉＮ薄膜．采用静电探针技术，对ＥＣＲ等离子体进行了诊断，研究了等离子体参数与装置运行参数之间的关系，探讨了等离子体参数对成膜工艺过程的影响．     

微波ECR等离子体中铝合金的全方位氮离子注入

使用微波ECR等离子体对LD10铝合金材料进行全方位氮离子注入。AES深度分布结果表明,在30KV注入电压下,注入深度约有150mm。对相互垂直的两不同表面进行的硬度分析表明,全方位氮离子注入对试样的不同表面改性效果相同,硬度均获得明显提高。     

微波ECR等离子体材料加工技术研究

微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体技术近年来在薄膜沉积、材料改性和有机高分子材料聚合等材料加工领域获得了广泛的应用与快速发展,本文结合近期的主要研究结果对此作一介绍。     

微波ECR等离子体材料加工技术研究

微波电子回旋共振等离子体技术近年在薄膜沉积、材料改性和有机高分子材料聚合等材料加工领域获得了广泛的应用与快速发展，本结合近期的主要研究结果对此作一介绍。     

ECR等离子体刻蚀对玻璃光学和润湿性能的影响

为了提高太阳能电池盖板玻璃的透过率和自清洁性能,采用电子回旋共振( ECR)等离子体刻蚀与金属颗粒掩膜结合的方法刻蚀硼硅酸盐玻璃,采用扫描电镜( SEM)对刻蚀后玻璃表面形貌进行了观察,采用分光光度计测量了刻蚀前后玻璃透过率变化,并用接触角仪测定了刻蚀前后玻璃表面润湿性变化. 结果表明:经过ECR等离子体刻蚀后,在玻璃表面形成多山峰状纳米结构,平均尺寸约在80～140 nm,并有效提高了玻璃的可见光透过率,尤其是在有偏压刻蚀后透过率由原来91%提高到94. 4%,同时,玻璃表面亲水性增强,接触角θc由原来的47. 2°变为7. 4°,自清洁性能得到提高.     

射频辉光放电氩等离子体诊断分析

为了获得等离子体抛光实验平台中氩等离子体的参数,利用Langmuir单探针与发射光谱法对其进行诊断分析,根据Langmuir探针原理计算了氩等离子体的电子温度与电子密度,采用双谱线相对强度法估算了氩等离子体温度及电子密度.实验结果表明：当射频电源功率在40～120 W时,电子温度随射频电源功率增加而增加,电子温度范围为2.41～5.03eV,等离子体温度随射频电源功率变化不大;两种方法测得的电子密度存在偏差,其随射频电源功率变化的趋势是一致的.     

Preparation and Characterization of DLC Films by Twinned ECR Microwave Plasma Enhanced CVD for Microelectromechanical Systems （MEMS） Applications

Diamond-like carbon ( DLC ) films have recerntly been pursued as the protection of MEMS against their friction and wear. Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique is very attractive to prepare DLC coating for MEMS. This paper describes the preparation of DLC films using twinned electron cyclotron resonance (ECR) microware PECVD process. Raman spectra confirmed the DLC characteristics of the films.Fourier-transform infrared (FT-IR) characterization indicates the carbon is bonded in the form sp^3 and sp^2 with hydrogen partciputiag in bondiag. The surface rougbness of the films is as low as approximately 0.093nm measured with an utomic force microscope. 4 CERT mierotribometer system is employed to obtain information about the scratch resistance ,friction properties, and slidiag wear resistance of the films. The results show the deposited DLC films have low friction and good scratch/wear resistance properties.     

ECR微波等离子体CVD制备a—Si：H薄膜

电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积（ECRPCVD）应用于制备a-Si:H薄膜，其沉积速率大于射频等离子体化学气相沉积（RFPCVD），而且在基体不加温情况下也能获得比较满意的特性，根据红外吸收谱分析，并经伸缩振动模吸收带的积分计算，得出样品的含氢量为20－30％，光学带隙E0为1．80eV左右，暗电导率小于10^10s/cm，倘若基体适当加温，a-Si:H膜的性能将更为优良。     

微波烧结法制备磁性磨料的工艺参数

以铁粉与碳化硅做原料,采用新型的微波加热工艺制备磁性磨料,通过实验测得磁力研磨设备对316L不锈钢件精加工的粗糙度,分析数据并总结得出了制备磁性磨料过程中的最佳工艺条件:使用铁粉与细碳化硅质量比为4∶1,加热温度为1 200℃,切削转速为500 r/min。在此条件下,磁性磨料具有良好的研磨效果,加工件粗糙度最高可以达到0.18μm。     

微波烧结法制备磁性磨料的工艺参数

以铁粉与碳化硅做原料,采用新型的微波加热工艺制备磁性磨料,通过实验测得磁力研磨设备对316L不锈钢件精加工的粗糙度,分析数据并总结得出了制备磁性磨料过程中的最佳工艺条件：使用铁粉与细碳化硅质量比为4∶1,加热温度为1 200℃,切削转速为500 r/min。在此条件下,磁性磨料具有良好的研磨效果,加工件粗糙度最高可以达到0.18μm。     

PZY铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究

以SF6和SF6＋Ar为刻蚀气体。采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶．凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除．研究了不同气体总漉量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。指出当气体混合比约为20％时。刻蚀速率达到最大值．锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明，在SF6和SF6＋Ar气体中。被刻蚀后样品的Pb含量大大减少。TiO2的刻蚀是限制铬钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素．     

常压微波等离子体微波功率对硫化氢分解效率的影响

为了除去石油加工过程中所产生的含有大量有毒气体硫化氢的尾气,采用常压微波等离子体法研究了在纯氩、纯二氧化碳及氩与二氧化碳混合气体三种载气条件下,微波功率对硫化氢分解效率的影响.含有硫化氢的源气在微波的作用下形成等离子体射流从而被分解成氢气和单质硫.结果表明:一定范围内(400～1 100W)增加微波功率有利于提高硫化氢的分解效率,当微波功率继续增加时,不同的载气(纯氩气、纯二氧化碳、氩气与二氧化碳混合气体)条件下,其分解效率变化趋势不同.在纯氩载气条件下,微波功率继续增加,硫化氢的分解效率会下降;在纯二氧化碳载气和氩气与二氧化碳混合载气条件下,硫化氢的分解效率随微波的继续增加而不变.相同微波功率条件下,载气为氩气和二氧化碳混合气体时,硫化氢分解效率最高,说明二氧化碳载气有利于促进硫化氢的分解.当气源为二氧化碳、氩气及硫化氢混合气体,且流量比为8∶1∶1,总流量为1 000mL/min,微波功率为1 300W时,硫化氢转化率最高达98.64%.从节能方面考虑,在实际应用中微波功率可设定为900W.     

微波激励高纯氧产生的新谱带

利用微波激励高纯氧观测到了峰值波长分别为483．1nm和519．9nm的两个新谱带．通过实验和动力学过程分析说明这两个谱带不是由O2或O3发射的，理论计算证明这两个新谱带是由O2分子的两个激发态O2(^1∑g^ )和O2(^1Δg)碰撞反应辐射的．     

微波激励高纯氧产生的新谱带

利用微波激励高纯氧观测到了峰值波长分别为483.1 nm和519.9nm的两个新谱带,通过实验和动力学过程分析说明这两个谱带不是由O_2或O_3发射的,理论计算证明这两个新谱带是由O_2分子的两个激发态O_2(~1∑_g~+)和O_2(~1△_g)碰撞反应辐射的。