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相似文献
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1.
2.
金属或半导体纳米粒子在许多领域具有广阔而重要的应用前景,为降低纳米粒子间的团聚,以充分利用纳米颗粒的优异特性,而把金属或半导体纳米粒子掺杂在诸如玻璃或聚合体等基体中制备微纳复合颗粒的研究是近年来研究的热点。本研究以SiO2为基质,纳米金、钌功能粒子为镶嵌粒子,制备  相似文献   

3.
具有钙钛矿结构的混价锰氧化物La1-xSrxMnO3是一种庞磁电阻材料。由于其在磁电阻存储器、读写磁头及各类磁传感器方面潜在的应用前景以及其丰富的物理内涵,一直引起人们的普遍关注。在过去的几年里,La1-xSrxMnO3薄膜以多种技术如脉冲激光沉积、MOCVD和磁控溅射等生长在不同基体上,  相似文献   

4.
具有钙钛矿结构的金属氧化物多层膜比单层膜具有更良好的电学或光学性能,实际应用价值更大。另外,虽然p-n结在半导体技术中已经得到了广泛地应用,但是对钙钛矿结构的金属氧化物p-n结的研究工作才刚刚起步。因此,对掺杂不同元素而形成的以SrTiO3为母体的p-n结进行研究不  相似文献   

5.
掺杂钙钛矿结构锰氧化物La1-xAxMnO3(A=Ca,Sr,Ba或者空位)具有宏磁电阻效应,在磁电阻性随机存储器、读出磁头及磁传感器方面具有潜在的应用前景。由于其性能对结构极其敏感、因此微观结构的研究对理解其电磁输运性能有着重要的意义。  相似文献   

6.
采用传统固相反应法,制备了一种新型NTC热敏陶瓷SrFexSn1-xO3-δ(0.2≤x≤0.5)。研究了该陶瓷体系样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明:所有样品均为纯钙钛矿相,并且呈现典型的NTC特性;随着Fe含量的升高,SrFexSn1-xO3-δ陶瓷样品的室温电阻率急剧降低,其B25/85和激活能则呈现温和降低的趋势。当0.2≤x≤0.5时,陶瓷样品的室温电阻率,B25/85以及激活能分别处于(518.00~3.56)×103Ω·cm、4912~3793K和0.424~0.327eV。  相似文献   

7.
稀土添加剂陶瓷刀具材料增韧机制的微观结构的观察   总被引:5,自引:0,他引:5  
在Al2O3/TiCN陶瓷刀具材料中一添加稀土元素钇能显著提高其断裂韧性。本文运用SEM与TEM技术,对断裂扩展模式进行了观察与分析,并从微观结构的角度探讨了其增韧机制,表明,由于稀土钇的添加,使材料内部形成不同和蔼的强弱界面,它们与扩展中的裂纹相互作用,致使工体与弥散相颗粒桥联、裂纹分支、裂纹偏转以及微裂纹等多种增韧机制得到明显增加和加强,它们共存于Al2O3/TiCN陶瓷刀具材料中并协同作用,  相似文献   

8.
TEM研究La2/3Ca1/3MnO3中的畴结构   总被引:1,自引:0,他引:1  
由于具有巨磁阻效应,La2/3Ca1/3MnO3 (LCMO)被广泛研究[1].LCMO是一典型的具有ABO3钙钛矿结构的化合物,其中La和Ca随机地占据A 位而Mn占据B位.在高温时, LCMO是立方相 (点群m3m,空间群Pm3m).LCMO的室温结构是正交相 (点群mmm,空间群Pnma).  相似文献   

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10.
红色长余辉材料CaTiO3:Pr3 中两种电子陷阱的研究   总被引:10,自引:2,他引:8  
用高温固相法制得了钙钛矿结构的红色长余辉材料CaTiO3:Pr^3 。其发射光谱峰值为612.3nm和614.7nm,激发光谱的峰值为342nm和400nm;在温度110~400K内有4个热释峰,峰值温度基本在153K、242K、279K和327K附近。在不同掺杂下热释光曲线的变化表明,153K和242K的热释峰分别对应于O空位和Ti^4 形成的电子陷阱。从不同样品的热释光曲线和余辉曲线变化情况可看到,这两种电子陷阱是影响材料余辉性能的主要因素。Zn^2 的掺入改变了陷阱的分布状况,提高了材料的余辉性能。  相似文献   

11.
本文以GaP[111]孪晶界面高分辨电子显微像为例,将解卷处理和动力学散射效应校正相结合的技术应用于晶体界面处显微像的研究。椭圆窗口作为一种新的手段用于含有面缺陷晶体的傅里叶滤波和衍射振幅校正。所用GaP[111]高分辨像的模拟参数对应于200kV场发射高分辨电子显微镜。经过图像处理之后,不同样品厚度的模拟像均转变成结构像,其中原子柱均显示在正确的位置上。对GaP进行解卷处理的临界厚度做了详细的讨论。  相似文献   

12.
纳米晶以其不同于原子和大块材料的物理、化学性质而受到广泛关注,相关研究极其活跃。颗粒均匀、粒径小于10nm的纳米粒子被称为量子点(QDs)。高极化激发态在光电子领域具有潜在的应用价值。如果将纳米晶组装成具有规则外形和有序排列的中孔材料[1],则可能对微电子、光电子和催化技术等产生深远的影响。因此,纳米晶的制备和组装具有重要的物理意义和广泛的应用前景。目前,已将TiO2、Fe2O3、CdSe、CdS、Ag2S、Au、Ag、Pt等纳米晶进行了组装,但对纳米晶的粒径和分布有严格的限制,即尺度小于10nm,粒径平均偏差小于5%。比较有代表性的纳米…  相似文献   

13.
我们应用胶体化学合成方法制备出具有核壳结构的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)纳米晶,由于QDQW中载流子的量子限制效应,其光致发光谱(PL)出现了明显的蓝移现象,谱峰也有明显增强。本文中,我们通过对CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱核壳结构进行HREM的研究,并对包裹层这种异质外延生长及PL谱进行分析,获得了有意义的结论。胶体CdSe纳米晶是在水溶液中加以生长[1]。其化学反应式为:Cd2++2OH-+SeSO32-→CdSe+SO32-+H2O(1)通过改变Cd2+、SeSO32-的浓度及溶液中pH值,对CdSe纳米晶的尺度加以控制,并加入化学稳定剂阻止CdSe纳…  相似文献   

14.
采用溶胶-凝胶法制备三氧化钨(WO3)纳米粉体,然后在WO3粉体中添加碳纳米管(CNT),经热处理形成CNT-WO3气敏材料.用SEM观察CNT的分布形态和CNT-WO3材料的显微结构,研究超声振荡对CNT的分散效果,测量了CNT-WO3材料的气敏性能.结果表明,100 W功率下超声振荡使原先团聚严重的CNT得到分散,...  相似文献   

15.
变质岩中金红石晶体超微结构的电子显微镜研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
金红石是自然界中TiO2分布最广的变体,由于其晶体结构中常含有Fe2+、Fe3+、Nb5+、Ta5+、Sn4+等元素的混入,因此类质同象置换现象非常复杂,易形成一系列钛矿物(或变体),如钛铁矿、铌(Nb5+)铁金红石及钽(Ta5+)铁金红石等。在众多钛矿物中,金红石(四方晶系,P42/mnm,ao=0.456nm,co=0.295nm)的分子体积最小,因而趋向于在高压、高温条件下形成。长期以来,国内外学者从岩石学、矿物学、地球化学、构造地质学等角度对高压超高压变质岩中主要造岩矿物石榴子石、辉石、石英等进行了深入研究,并取得了可喜的成就。而金红石作为副矿物在高压超高压变…  相似文献   

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Al2O3/Al复合材料界面上MgAl2O4尖晶石形成的高分辨电镜观察   总被引:1,自引:0,他引:1  
界面问题一直是复合材料研究者最关心的话题之一.界面结合的好坏直接关系到载荷从基体向增强体的传递效率.Al2O3/Al复合材料中,由于Al与Al2O3本征不润湿的特征,人们提出了一系列的措施来改良界面,其中一种就是基体合金化.Mg元素是显著增强润湿的合金元素之一,但是由于Mg在界面上引起的一系列化学反应使其界面反应润湿现象变得复杂起来.  相似文献   

17.
本文设计了一种基于标准微带结构的L-C传输线一维人工介质.仿真结果表明,在此种介质中传播的特定频率的电磁波表现出了明显的后向波效应,因而在此频段内可以视为具有负折射率的异向介质.  相似文献   

18.
La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜是一种典型的巨磁阻(CMR)材料,在信息存储领域具有广阔的应用前景[1,2](如磁记录读出磁头等),而LCMO与高温超导材料YBa2Cu3O7(YBCO)组成的双层薄膜更显示出许多奇特的物理性质[3]。由于薄膜的微结构对其物理性能有很大影响,因此研究薄膜的微结构有助于对此类材料的磁性与超导电性相关机制的理解。本文利用高分辨电子显微镜系统地研究了YBCO/LCMO双层薄膜的显微结构。本文使用的YBCO/LCMO双层薄膜样品是在(100)LaAlO3(LAO)单晶衬底上,用脉冲激光沉积法制备的。制备的程序是:首先在衬底上沉积LCM…  相似文献   

19.
SOI晶圆材料正在成为制备IC芯片的主要原材料.SOI材料的质量很大程度上取决于顶层硅及埋层的结构.利用TEM,系统地研究了3种实验条件下的SOI材料的微结构,对其顶层硅及埋层的厚度、厚度的均匀性进行了定量分析,对高剂量SIMOX样品中存在的硅岛密度进行了估算,并对顶层硅中的结构缺陷进行了观察分析.  相似文献   

20.
铬酸镧是一种钙钛矿型复合氧化物 ,它在掺杂Ca2 + 等二价碱土金属后由于Cr3 + 离子的变价使其成为一种半导体材料。它是目前最好的发热材料之一。国外的铬酸镧发热元件制造工艺对我国是保密的。我国的铬酸镧发热元件在小尺寸规格上的使用寿命与国外的相当 ,但其抗热震性较国外还有较大的差距。本文通过扫描电镜对比分析了国内外铬酸镧发热元件的显微结构 ,试寻求提高国产铬酸镧发热元件抗热震性的途径。1 实验方法本实验选取日本和包头稀土研究院生产的铬酸镧发热材料作为研究对象。表 1 实验用试样试样编号试样名称备注1#包头稀土院…  相似文献   

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