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采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZnO:Al( ZAO)薄膜,研究溅射功率、靶基距关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响,并获得了最佳的溅射功率、靶基距制备参数,利用该参数制备ZAO薄膜,能够获得在可见光范围内的平均透射率》80%,最低电阻率为4.5×10-4Ω·cm的ZAO薄膜,其光电性能均满足应... 相似文献
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采用双靶反应磁控共溅射法在Si(100)和载玻片衬底上制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、荧光分光光度计、紫外可见光分光光度计,四探针测试仪等手段对薄膜进行表征,研究了Al掺杂对ZnO薄膜结构和光电性能的影响。结果显示,Al掺杂未改变ZnO的晶体结构,ZAO薄膜沿(002)晶面生长,具有单一的紫光发射峰,在可见光区透过率大于80%,当Zn靶和Al靶溅射功率分别为100 W和20W时,ZAO薄膜的电阻率为8.85×10-4W.cm,表明利用双靶反应磁控共溅射法制备的ZAO薄膜具有较好的光电性能。 相似文献
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溅射功率对磁控溅射ZnO∶Al(ZAO)薄膜性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射工艺,以高密度氧化锌铝陶瓷靶为靶材,衬底温度控制在室温,在玻璃基底上制备了透明导电Zn O∶Al(ZAO)薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光谱仪和范德堡法,系统研究了不同溅射功率对薄膜的结构、形貌及光电特性的影响。结果表明,不同溅射功率对薄膜的光透射率影响不大,而对薄膜结晶和电学性能影响较大。XRD表明薄膜为良好的c轴择优取向;可见光区(400~600 nm)平均透过率达到85%以上;在120W下沉积的薄膜电学性能达到了最佳。 相似文献
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磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜.分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响.研究结果表明,制备ITO薄膜的最佳工艺参数为:溅射气压0.6 Pa,氧氩流量比1:40,溅射功率108 W.采用此工艺参数制备的ITO薄膜在可见光区平均透过率为81.18%,薄膜电阻率为8.9197×10-3Ω·cm. 相似文献
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在玻璃衬底上利用磁控溅射法制备AZO/Cu/AZO多层薄膜,研究了溅射功率对AZO薄膜的微观结构和光电性能的影响。采用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱仪(UVVis)等方法,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能进行了测试。结果表明:不同溅射功率下沉积的AZO薄膜均呈C轴择优取向,溅射功率对AZO/cu/AZO多层薄膜结构与光电性能有一定的影响。在溅射功率为120W、衬底温度为2500C、溅射气压为0.5Pa时薄膜的光透过率为75%,最低电阻率为2.2×10-4Ω·cm、结晶质量、表面形貌等得到明显改善。 相似文献
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室温下射频磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜及其性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射技术,在室温下,以ZnO:Al2O3(2%Al2O3(质量比))为靶材,在石英玻璃基底上,采用不同工艺条件制备了ZnO:Al(AZO)薄膜。使用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌,X射线衍射分析了薄膜的结构,四探针测量仪得到薄膜的表面电阻,轮廓仪测量了薄膜厚度,并计算了电阻率,最后采用分光光度计测量了薄膜的透过率;研究了溅射功率、溅射气压与薄膜厚度对薄膜电阻率及透过率的影响。结果表明:所制备的AZO薄膜具有(002)择优取向,并且发现薄膜厚度对薄膜的光电性能有明显影响,溅射气压和溅射功率对薄膜电学性能有较大影响,但是对薄膜透过率影响不大。当功率为1kW、溅射气压0.052Pa、AZO薄膜厚度为250nm时,其电阻率为8.38×10-4Ω·cm,波长在550nm处透过率为89%,接近基底的本底透过率92%。当薄膜厚度为1125 nm时薄膜的电阻率降至最低(6.16×10-4Ω·cm)。 相似文献
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以纯度为99.9%的98%(质量分数)ZnO、2%(质量分数)Al_2O_3陶瓷靶为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Al_2O_3掺杂的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光谱仪等方法测试和分析了不同衬底温度、溅射偏压以及退火工艺对ZAO薄膜形貌结构、光电学性能的影响。结果表明,在衬底温度200℃、溅射时间30min、负偏压60V、退火温度300℃时制得的薄膜的可见光透过率为81%,最低电阻率为9.2×10~(-1)Ω·cm。 相似文献
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ZnO:Al thin films deposited on transparent TPT substrates by magnetron sputtering were etched in acetic acid solution. The effects of etching solution concentration and etching time on the structure and properties of ZnO:Al films were investigated. The obtained films had a hexagonal structure and a highly preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrate. The ZAO film etched in 1% acetic acid solution for 10 s had a pyramidal structure and an enhanced light scattering ability, the average transmittance and reflectance in the visible region were 72% and 26% respectively, the sheet resistance was 260 Ω/□. Both transmittance and reflectance of the films decreased as the etching solution concentration and etching time increasing. Etching had a negative effect on the conductive properties of ZAO films. The lowest sheet resistance was 120 Ω/□ for the ZAO film without etching. 相似文献
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采用直流磁控溅射法在室温玻璃基片上制备出了掺硅氧化锌(ZnO:Si)透明导电薄膜,研究了溅射功率对ZnO:Si薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响,实验结果表明,溅射功率对ZnO:Si薄膜的生长速率、结晶质量及电学性能有很大影响,而对其光学性能影响不大。实验制备的ZnO:LSi薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于基片方向的c轴择优取向。当溅射功率从45W增加到105W时,薄膜的晶化程度提高、晶粒尺寸增大,薄膜的电阻率减小;当溅射功率为105W时,薄膜的电阻率达到最小值3.83~104n·cm,其可见光透过率为94.41%。实验制备的ZnO:Si薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。 相似文献
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Hung-Wei Wu Ru-Yuan Yang Chin-Min Hsiung Chien-Hsun Chu 《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》2013,24(1):166-171
In this study, transparent conductive Al doped zinc oxide (ZnO: Al, AZO) thin films with a thickness of 40 nm were prepared on the Corning glass substrate by radio frequency magnetron sputtering. The properties of the AZO thin films are investigated at different substrate temperatures (from 27 to 150 °C) and sputtering power (from 150 to 250 W). The structural, optical and electrical properties of the AZO thin films were investigated. The optical transmittance of about 78 % (at 415 nm)–92.5 % (at 630 nm) in the visible range and the electrical resistivity of 7 × 10?4 Ω-cm (175.2 Ω/sq) were obtained at sputtering power of 250 W and substrate temperature of 70 °C. The observed property of the AZO thin films is suitable for transparent conductive electrode applications. 相似文献
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溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数与波长关系的影响。结果表明,在波长小于500nm的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率n先增加然后减小,消光系数k则逐渐减小;在波长大于500nm的情况下,随溅射功率的增加折射率n逐渐减少,消光系数k先减小后增加。对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率n随溅射功率的增加减小后增加,消光系数k则逐渐减少。薄膜样品的光学常数,在长波长范围随波长变化较大,在短波长范围变化较小。讨论了溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数影响的机理。 相似文献