强耦合表面磁极化子的基态能量和有效质量

采用Landau-Pekar变分理论研究强耦合表面磁极化子的性质。分别计算了强耦合表面磁极化子的基态能量和有效质量，并讨化了表面磁极化子的基态能量，振动频率和有效质量随磁场的变化关系。对KCL晶体进行了数值计算，结果表明，强耦合表面磁极化子的振动频率和有效质量随磁场的增加而增加，基态能量随磁场的增加而减少。     

CdF2,ZnS和SiC内任意耦合磁极化子的特性

利用私正变换和改进的线性组合算符法研究了ＣｄＦ２、ＺｎＳ和ＳｉＣ内任意耦合强度磁极化子的振动频率和有效质量的磁场特性。数值计算结果表明：不同耦合常数的材料,磁场所给的定解范围和耦合强度的取值范围都不同;对任一种材料及确定的耦合值,虽然磁极化子振动频率和有效质量都随磁场的增加而增加,但增加率不同。     

自对半导体弱耦合二维磁极化子基态能量的影响

在考虑声子之间相互作用的同时,本文应用线性组合算符法研究了电子自旋对一些半导体弱耦合二维磁极化子基态能量的影响,计算结果表明电子自旋能量与磁极化子总基态能量或与其它能量成分之比随磁场的增加而增加,并非总是非常小。     

自旋对晶体内强耦合磁极化子基态能量和有效质量的影响

本文采用线性组合算符法研究极性晶体内强耦合磁极化子的特性,讨论了电子自旋对极性晶体内强耦合极化子基态能量和有效质量的影响。对ＣｓＩ晶体所作的数值计算结果表明,电子自旋取不同方向时,强耦有化子的基态能量随磁场的增加而增加或减少,电子自旋对强耦合磁极化子基态能量的影响随磁场的增加而增大。     

自旋对半导体弱耦合二维磁极化子基态能量的影响

在考虑声子之间相互作用的同时,本文应用线性组合算符法研究了电子自旋对一些半导体弱耦合二维磁极化子基态能量的影响。计算结果表明：电子自旋能量与磁极化子总基态能量或与其它能量成分之比随磁场的增加而增加,并非总是非常小。     

自旋对强耦合二维磁极化子基态能量的影响

采用线性组合算符法研究电子自旋对强耦合二维磁极化子基态能量的影响．对ＫＩ晶体所作的数值计算结果表明,随着磁场的加强,不同取向的电子自旋使强耦合二维磁极化子基态能量表现为增加和减少两种截然相反的情形．电子自旋能量与磁极化子基态能量之比随磁场的增加而增加．     

自旋对晶体内弱耦合磁极化子性质的影响

本文采用线性组合算符和微扰法研究极性晶体中弱耦合磁极化子的性质。在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论电子的自旋对极性晶体中弱耦合磁极化子基态能量的影响。结果表明,在不同电子自旋状态下,磁极化子的基态能量Ｅ０随磁场Ｂ的增大而减小;电子自旋能量与Ｅ０之比随Ｂ的增加而增加。     

强耦合二维磁极化子的内部激发态

研究二维磁极化子内部激发态的性质。采用么正交换和线性结合算符方法。计算晶体中二维磁极化子的第一内部激发态能量及振动频率，并对2种极限情况进行讨论，以晶体AgCl为例作了数值计算，结果表明，二维磁极化子的第一内部激发态能量和振动频率随磁场B的增加而增加。     

自旋对半导体量子点中强耦合磁极化子性质的影响

在考虑电子自旋的情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了半导体量子点中强耦合磁极化子振动频率、基态能和基态结合能的性质.数值计算结果表明:电子自旋使磁极化子基态结合能分裂为二Eb(1/2)和Eb(-1/2),其间距与外磁场B成线性关系.当回旋共振频率小于和大于10倍声子振动频率时,Eb(1/2)随B的增大分别缓慢和迅速减小.当回旋共振频率小于和大于20倍声子振动频率时,Eb(-1/2)随B的增大分别迅速和缓慢增大.当回旋共振频率为440倍声子振动频率时,Eb(-1/2)取最大值为44倍声子能量.之后Eb(-1/2)随B的增大逐渐减小.随着磁场的加强,电子自旋影响增大.当回旋共振频率超过声子振动频率的5.97和820倍时,电子自旋能量已分别大于电子所受束缚势和电子与LO声手之间的诱生势.     

自旋对强耦合表面磁极化子性质的影响

本文采用线性组合算符法导出了极性晶体中强耦合表面磁极化子的振动频率、有效哈密顿量和诱生势。讨论了电子自旋对强耦合表面磁极化子性质的影响。     

GaSb半导体表面极化子基态能量的研究

采用Ｌ．Ｌ．Ｐ方法导出表面极化子的基态能量,声子平均数,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间相互作用对ＧａＳｂ半导体表面中表面极化子基态能量的影响。数值计算结果表明：当动量趋于零时,声子之间的相互作用对极化子性质无影响;当动量达到某一值时,声子之间相互作用的能量占极化子总能量中非常显著的部分;随着动量（平方）的增加,声子平均数近似线性地增加。     

自旋对强耦合表面磁极化子自陷能的影响

应用么正变换和线性组合算符法研究了半无限极性晶体中强耦合表面磁极化子的振动频率λ0和自陷能Etr的性质。讨论了电子自旋和磁场对它们的影响。对RbCI晶体给出的数值计算结果表明：λ0随磁场B的增加而增加;当ms＝－1／2时,Etr随B的增加而增加;当ms=1/2时,Etr随B的增加而减少;电子自旋能与自陷能之比P随B的增加而增加。     

自旋对SiC半导体二维磁极化子基态能量的影响

应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对SiC半导体性质的影响。基态能量E0^＋（对应于电子自旋量子数为正）和E0^-（对应于电子自旋量子数为负）都随磁场增加而线性减少：在0T时，E0^＋和E0^-都为-76．24meV；在25T时，E0^＋和E0^-分别为-68．50meV和71．39meV。自旋能量与E0^＋和E0^-之比P0^＋和P0^-都随磁场增加而快速增加：在0T时，P0^＋和P0^-都为0；在20T时，P0^＋为0．627；在25T时，P0^-为0．453。自旋能量与Landau基态能量之比P2始终为0．23。自旋能量与自能和声子之间相互作用能量之比P1和P3都随磁场增加而线性增加：在0T时，P1和P3都为0；在5T时，P3为0．628；在40T时，P1为0．306。这些数据和结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管、自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。     

SiC半导体二维自旋磁极化子能量的磁场效应

在考虑声子之间相互作用和电子自旋的情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了电子自旋对SiC半导体弱耦合二维自旋磁极化子能量磁场效应的影响。数值计算给出了下列结果:电子自旋使自陷能分裂为二,且随磁场B增加其分裂间距增大;电子自旋能量与电子在磁场中的Landau基态能之比恒为0.23;电子自旋能量与自能之比小于电子自旋能量与自陷能之比,但非常接近,它们随B增强而近似线性增大,当B为0和10T时,它们分别为0和0.008;电子自旋能量与声子之间相互作用能量之比也随B增加而线性增大,当B为0和7.949T时,其比值分别为0和1。该结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管,自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。     

耦合强度和磁场对极化子内部激发态的影响

应用线性组合算符和幺正变换方法，得到了极化子内部激发态与耦合强度和磁场的关系。数值计算结果表明，随耦合常数α的增加，振动频率λ先减小后增加，随磁场强度的增加，λ单调增加，当α不变时，单电子激发态能量E11、E12以及其能量差△E1随磁场强度的增加而增加，当磁场强度不变时，只有α较大时，单电子激发态才能出现。当α给定时，随磁场强度的增大，单电子激发态的Landau能E11、E12L及其差△E1L存在极大值；而磁场强度不变时，它们也是随α的增大而增大。