一种基于厚膜工艺的电路版图设计

在电子线路版图设计中,通常采用印刷线路板技术。如果结合厚膜工艺技术,可以实现元器件数目繁多,电路连接复杂,且安装空间狭小的电路版图设计。通过对3种不同电路版图设计方案的理论分析,确定了惟一能满足要求的设计方案。基于外形尺寸的要求,综合考虑电路的性能和元件的封装形式,通过合理的电路分割和布局设计,验证了设计方案的合理性和可实现性。体现了厚膜工艺技术在电路版图设计中强大的优越性,使一个按常规的方法无法实现的电路版图设计问题迎刃而解。     

一种基于厚膜工艺的电流采集电路设计

目前国内星载供配电系统中,通常采用印制线路板技术实现对供配电母线电流的采集与输出,该技术虽然应用广泛,但在当今小型化趋势的推动下,显然已经不能满足星载供配电系统对小型化、轻量化的需求。针对上述问题,设计了一种基于厚膜混合电路工艺的电流采集电路。该工艺技术与印制线路板技术相比,电路版图面积不足后者的十分之一,且采集精度可以通过厚膜激光调阻技术大幅度提高。目前,该厚膜电路已成功应用于多个型号的星载固态功率控制器的设计中。     

延迟时间的功能微调

在厚膜混合集成电路的研制和生产中，功能微调较好地解决了电路中电容和有源器件参数的离散性问题。本文以一个延迟时间的功能微调为例，阐述了不仅需要在微调操作中设计好软件和接口，而且在电路和版图的设计时应充分考虑到微调的可能性和便捷性，才能有效地完成电路参数的功能微调。     

厚膜混合集成电路检验过程中问题浅谈

厚膜混合集成电路在内部目检中,依据GJB-548《微电子器件试验方法和程序》各项条款,时常会遇到各种不满足检验规范要求的产品,本文针对检验过程中发现的典型问题,向上追溯,分产品版图设计与工艺操作两方面进行分析讨论。     

体声波滤波器自动布局工具的设计开发

为了实现体声波（BAW）滤波器版图的自动排布和构建滤波器的三维模型,开发了一款体声波滤波器自动布局工具。根据文献提出的BAW梯形滤波器布局设计流程,基于.NET平台,使用C#语言,创建生成滤波器版图的功能界面。根据输入的薄膜体声波谐振器(FBAR)个数和面积大小生成对应的多边形外接圆,通过FBARs的串并联连接情况,生成放置外接圆的位置,并生成多边形。生成多边形后,用户只需对其进行微调(拖动、旋转等),即可在保证滤波器性能的情况下,得到面积尽可能小的版图。在所完成的滤波器版图基础上,根据滤波器的结构参数和建模方式, 在AutoCAD中导入写好的动态链接库,创建生成滤波器三维模型的功能界面。输入FBAR膜层厚度等参数后,软件自动生成滤波器的三维模型。并自动保存为可导入电磁仿真软件的dwg文件或sat文件,方便滤波器的电磁仿真。设计开发过程中所用滤波器的结构参数等即为该文验证所设计软件的案例。证明了所开发软件的可行性。即软件在保证滤波器性能的情况下,最大限度地缩小版图面积,提高滤波器在晶圆上的面积利用率,且节省了滤波器设计人员的时间和精力。     

基于退化数据的厚膜电阻可靠性评估

设计了厚膜电阻的高温贮存试验,以评估厚膜电阻的可靠性。基于阻值的退化数据,采用线性退化模型描述厚膜电阻的退化过程,结果表明,厚膜电阻伪寿命分布满足对数正态分布规律。结合Arrhenius模型推算得出,厚膜电阻在室温下的寿命约为17.8年。分析了厚膜电阻的失效机理,完成了厚膜电阻在温度应力下的可靠性评估。     

厚膜电阻器的设计研究

本文探讨了厚膜电阻器的性能特点、工艺过程、设计过程常见的问题，并阐述了厚膜电阻器的设计方法。     

一种用于镀制梯度反射率镜的遮蔽挡板的设计

针对所设计的单横模Nd∶YAG激光谐振腔对梯度反射率镜径向膜厚分布的要求,介绍了一种用于镀制梯度反射率镜的遮蔽挡板的设计方法。从常规圆形孔径的遮蔽挡板来分析,比较了采用圆形孔径挡板所得的膜厚分布与设计要求的差别,建立了精确设计遮蔽挡板的数学模型,提出了设计遮蔽挡板的算法,并编程计算出具体的遮蔽挡板的孔径尺寸及安放位置,以获得完全合乎设计要求的变膜厚层沿半径方向的膜厚分布。     

厚膜终端匹配电阻的试制

本文介绍了微带隔离器用于中小功率的厚膜终端匹配电阻的设计与制造工艺,以及这种电阻的特点。最后还介绍了厚膜电阻在其他方面的应用。     

厚膜混合集成无线话筒

最近上海无线电六厂利用厚膜混合集成技术试制成功微型无线话筒厚膜电路.在设计中,采用厚膜混合集成新技术、新工艺,将二十三只元器件组装在一块9×20(毫米)的氧化铝陶瓷基片上.在有源器件的组装方法上采用管芯直接烧结等新工艺,有效地提高了集成度和可靠性.电阻材料采用高稳定性的钌系厚膜浆料,     

厚膜微波混合集成电路研究

研究比较了不同金属导电浆料、基片等厚膜材料的微波特性,发现通过改进厚膜工艺可使这种材料的应用领域大大扩展,并可推至微波频率下工作。引入厚膜腐蚀新工艺制得边缘齐整的、分辨率达25μm的厚膜精细线条及间隙。应用计算机辅助设计(CAD)技术及厚膜新工艺,设计制作了一种微波宽带放太器,其频带为3～7GHz,增益10±1dB,噪声小于5.7dB。另外还设计制作了性能优良的厚膜微波带通滤波器(中心频率7.7GHz)和3-dBLange耦合器,(中心频率为6GHz)。这些电路、元件用传统厚膜工艺是无法实现的。     

MCM在厚膜混合集成电路中的应用

本文结合厚膜混合集成电路的设计、制造工艺，介绍了MCM技术的应用，详细说明了如何针对MCM的特点进行厚膜混合集成电路的设计，阐述了设计要求、材料的特点及工艺的控制方法。     

具有梯度反射率特性的激光谐振腔输出镜设计

针对Nd：YAG激光谐振腔对输出耦合镜的设计要求,研究了梯度反射率镜的设计方法,提出了三种不同的膜系结构,这三种膜系的反射率分布均可满足单横模Nd：YAG激光谐振腔的设计要求.分析计算了设计膜系中变膜厚层沿径向的层厚允差,综合比较了这三种膜系的鲁棒性及镀制工艺的特殊性,确定了可最终付诸实施的梯度反射率镜的膜系结构,即所有膜层改变膜厚的膜系设计.     

对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOIMOSFET的模拟研究

本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽(FD)SOI MOSFET的新结构,并分析了其性能与结构参数的关系.通过在厚膜SOI MOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛,从而使得厚膜SOI MOSFET变成全耗尽器件.二维模拟显示,通过对异型硅岛的宽度、厚度、掺杂浓度以及在沟道中位置的分析与设计,厚膜SOI MOSFET不仅实现了全耗尽,从而克服了其固有的Kink效应,而且驱动电流也大大增加,器件速度明显提高,同时短沟性能也得到改善.模拟结果证明:优化的异型硅岛应该位于硅膜的底部中央处,整个宽度约为沟道长度的五分之三,厚度大约等于硅膜厚度的一半,掺杂浓度只要高出硅膜的掺杂浓度即可.重要的是,异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置的较大波动.可以看出,异型硅岛实现的厚膜全耗尽 SOI MOSFET 为厚膜SOI器件提供了一个更广阔的设计空间.     

厚膜混合集成电路中电阻器的研制

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中电阻器的设计、生产、及材料的选择。其中重点介绍了厚膜电阻器材料的主要性能。     

H—W_J~Y型厚膜稳压电源的性能和应用

<正> 我厂设计、生产的H-W_J~Y型系列厚膜混合集成稳压电源是厚膜混合集成电路的典型产品之一。在国内最先采用厚膜功率集成技术和工艺,应用于通用性很广泛的直流稳压电源之中,因而可以使得原来由分立元器     

军标H级厚膜混合集成电路生产线“材料和制造工艺摸底鉴定试验方案“的设计

材料和厚膜电路四大制造工艺（成膜、粘接、键合和封装）摸底鉴定试验是厚膜电路军标线证证和ＱＭＬ鉴定工作中的一项重要内容，本文介绍了军标Ｈ级厚膜ＨＩＣ生产线“材料和制造工艺摸底鉴定试验方案”的基本设计思想、主要设计内容与试验完成情况。     

玻璃釉的酸碱性对厚膜导电浆料性能的影响

<正> 设计和生产厚膜电路通常需要了解厚膜浆料的主要成份及各成份之间的量变关系。众所周知,厚膜浆料中很小的无机颗粒分散在粘性的有机载体里。厚膜导电浆料要求低方阻、高附着力、可焊性良好、耐腐蚀等。为了使产品的性能得到改良,改进和提高产     

聚合物发光器件的旋涂膜厚模型研究

聚合物膜厚的控制对于优化聚合物发光器件的光电性能是至关重要的.应用最小二乘法,通过对中心复合设计实验数据的拟合,建立了旋涂法制备聚合物薄膜的膜厚回归模型.测试结果表明:利用该模型所得到的预测膜厚与旋涂的实测膜厚基本相符.膜厚模型的建立,对于旋涂工艺中旋涂条件的选择、薄膜厚度的控制以及器件性能的优化具有一定的实用价值.     

一种提高极值法监控精度的方法

提出了一种提高极值法监控薄膜淀积层厚精度的方法。该监控方法通过改变各层膜的反射率极值过正量而将被镀膜层精确地停镀于其膜厚的设计值。这一方法既可提高淀积规整膜系时的层厚监控精度,也可提高淀积非规整膜系时的层厚监控精度。