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针对目前舰船上广泛使用的真空式海水淡化装置进行热力分析,建立起海水淡化装置的数学模型,以50t/d真空式海水淡化装置为例,通过对不同蒸发温度和不同工作蒸汽压力进行模拟计算,得到海水淡化装置的产水量、工作蒸汽耗量及冷却水流量随蒸发温度和工作蒸汽压力的变化规律,所得结论与装置的实验及实际运行情况有很好的一致性,证明所建立的数学模型是合适的,所得结论可以指导装置的使用管理及海水淡化装置的设计。 相似文献
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蒸发式冷凝器是一种高效换热设备,本文介绍了应用于家用海水淡化的小型氟里昂蒸发式冷凝器的设计方法、设计参数的选取以及设计时应注意的问题和为了提高海水淡化系统性能需要注意的一些关键因素。 相似文献
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反渗透膜(RO)技术是解决世界水危机问题的最有力的工具之一.反渗透膜法海水淡化过程中节能和高脱盐是需要满足的两个问题,然而产水特性与去除溶质之间存在背离平衡,同时满足会较为困难.东丽采用正电子湮灭时间光谱法(PALS)进行膜孔孔径分析,由此得出膜孔大小和RO膜对硼的去除特性显示出相关性.采用透视电子显微镜(TEM)进行RO膜表面构造和形态学分析,获得影响膜的透水性的参数.在上述研究成果的基础上,把分子设计技术应用于海水淡化的高性能RO膜的开发上,在RO膜溶质去除性和透水性相关方面都取得了很大的进展.同时,使用这些研究成果开发了创新性海水反渗透膜,已经在全球最大的海水淡化项目(阿尔及利亚Magtaa,500 000m3/d)和中国最大海水淡化项目(青岛,100 000m3/d)中得到应用. 相似文献
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介绍在海水淡化中应用太阳能技术的背景、原理以及太阳能海水淡化技术的特点,综述太阳能蒸馏装置应用在海水淡化中的研究进展,总结太阳能海水淡化重要的经济和战略意义,指出传统太阳能蒸馏器单位面积产量过低的主要原因是蒸汽的凝结潜热未被重新利用,自然对流的换热模式限制热性能以及太阳能蒸馏器中待蒸发海水热容量太大,限制运行温度提高,并对太阳能海水淡化的前景进行了展望。 相似文献
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《中国新技术新产品》2016,(15)
本文介绍了低温多效海水淡化蒸发装置的选材情况,对蒸发装置产生的腐蚀原因进行分析,提出了改进措施。并根据海水中易引起腐蚀的因素,建议对进料海水进行有效针对性地预处理。 相似文献
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蒸馏淡化是一项重要的海水淡化技术。蒸馏淡化是将海水蒸发后冷凝获得淡水,传热材料在设备安装成本中所占比例达15%~22.5%。要求传热材料耐蚀,传热效率高,强度高和价格适中,优化选材能有效降低工程造价和淡化成本,选材需综合考虑成本、使用寿命和导热效率。铜合金和钛合金是目前工程应用的主流材料,多级闪蒸传热材料多采用铜合金管,低温多效蒸馏则采用钛合金管与铝黄铜管组合。开发新型传热材料降低工程造价和海水淡化成本是海水淡化技术的发展趋势。新开发的铝合金和超级不锈钢与传统材料相比,在保证效率的同时,价格更低,有望进一步降低工程造价和淡化成本。综述了国内外应用于蒸馏海水淡化的金属传热材料,包括钛合金、铜合金、铝合金和不锈钢,从材料的耐蚀性、传热效率、成本和使用过程中注意事项等方面进行了分析和讨论,并简单介绍了新型有机高分子传热材料。 相似文献
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通过对热力蒸汽压缩式海水淡化装置的分析,建立起其数学模型,模拟计算结果表明,与一般蒸汽直接加热式真空海水淡化系统比较,采用热力蒸汽压缩式海水淡化系统,其能耗明显降低.此外,对不同的蒸发温度下的工作蒸汽耗量进行了模拟计算,所得结论对热力蒸汽压缩式海水淡化系统的设计与使用管理有指导意义。 相似文献
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赵洁莲韩延民 《真空科学与技术学报》2019,(11):964-968
低温多效海水淡化装置的蒸发温度不高于70℃,设备需在真空环境下运行,因此,真空度的保持是整个系统稳定运行的重要保障。本文对海水淡化系统中不凝气体析出量、空气泄漏量以及携带蒸汽量等参数的传统计算方法,进行了分析并提出了修订及改进。结合低温多效海水真空系统抽气量的具体案例给出了详细计算过程和结果,为低温多效海水淡化装置的真空系统的计算机辅助设计和选型提供理论支持。 相似文献
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低温多效海水淡化装置的蒸发温度不高于70℃,设备需在真空环境下运行,因此,真空度的保持是整个系统稳定运行的重要保障。本文对海水淡化系统中不凝气体析出量、空气泄漏量以及携带蒸汽量等参数的传统计算方法,进行了分析并提出了修订及改进。结合低温多效海水真空系统抽气量的具体案例给出了详细计算过程和结果,为低温多效海水淡化装置的真空系统的计算机辅助设计和选型提供理论支持。 相似文献
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在日本的氢气需求量中,如果按用途分,则电子工业占30%;化学工业占25%;金属工业占20%;玻璃工业占10%;其他占15%。1983年日本氢气的销售量为1.1亿m~3,电子工业用的氢约为3,300万m~3,其中半导体工业占80%。目前超LSI生产工厂每月要使用5万m~3氢气,而IC时代只有1~2万m~3。在半导体工艺中氢气主要用于氧化、退火、外延和干蚀刻工序。氧化工序就是在硅片表面形成氧化硅膜的工序,在LSI生产工艺中占有重要位置。为 相似文献