离子置换法制备的掺铽钨酸钙薄膜的结构、成分与性能研究

采用离子置换法直接在室温条件下合成出了发光性能优良的CaWO4:Tb3+薄膜,并利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、荧光光谱仪等对薄膜的相结构、成分和元素价态及发光性能进行了分析。研究表明,采用离子置换法合成的CaWO4:Tb3+薄膜属于四方晶系;成分及元素价态分析表明,经过掺杂处理后,薄膜中含有Tb元素,并且掺入的Tb元素表现为+3价;当薄膜在含Tb3+离子的溶液中处理8 min后,膜中的Tb元素含量可达3%。在紫外光的激发下,CaWO4:Tb3+薄膜发射出波长为489 nm、543 nm、585 nm和618 nm的光,分别对应Tb3+离子5D4→7F6、7F5、7F4、7F3能级的跃迁,其中543 nm处的发光最强。由此可见,离子置换法成功地解决了无法利用电化学技术制备出稀土钨酸盐材料的难题。     

金属铕制备工艺的研究

本文采用正交实验的方法,研究了金属铕的制备工艺条件。实验结果表明,还原－蒸馏温度１１００℃,还原剂过量系数０．３,保温时间１．５小时,金属铕的纯度大于９９．９％,直收率大于９０％     

Ho~(3 )对二苯亚砜高氯酸铕配合物发光的影响

合成了高氯酸铕二苯亚砜和不同物质量比的高氯酸 ( )、钬 ( )二苯亚砜异核配合物 (Eux Ho1 - x)(DPSO) 7(Cl O4) 3 。测定了配合物的组成、IR、粉晶荧光激发和发射光谱。荧光光谱表明 :虽然 Ho3 的发射几率较高的 5S2 激发态能级高于 Eu3 ,但并未对 Eu3 的发光产生敏化作用 ,相反当掺入 0 .0 0 2 mol的 Ho3 时即对 Eu3 的发光产生猝灭作用。另外从 Eu3 的荧光光谱知 :5D0 → 7F2 的电偶极跃迁强度大大高于 5D0 → 7F1 的磁偶极跃迁 ,这表明铕 ( )在配合物晶体中处于非对称中心的位置。     

铕铽混合掺杂聚合物的发光性能与微观形貌

将具有荧光性质的铕、铽以三异丙氧基稀土单一或混合的形式掺入甲基丙烯酸甲酯(MM A)或甲基丙烯酸甲酯与苯乙烯(S t)的混合单体中,形成凝胶,经原位聚合制备铕、铽单一或混合掺杂的PMM A或P(MM A-co-S t)聚合物,研究铕铽混合掺杂对材料发光性能的影响,并观察聚合物的微观形貌。结果表明:铕、铽混合掺杂PMM A或P(MM A-co-S t)中,主要呈现Eu3+的特征荧光,并使Eu3+发射强度显著提高;T b3+544nm处最强的发射峰消失了,而较弱的621nm处的发射峰却显著增强。ESEM显示了掺杂聚合物呈交联网络状的微观形貌。     

Ho3+对二苯亚砜高氯酸铕配合物发光的影响

合成了高氯酸铕二苯亚砜和不同物质量比的高氯酸(Ⅲ)、钬(Ⅲ)二苯亚砜异核配合物(EuxHo1-x)(DPSO)7(ClO4)3.测定了配合物的组成、IR、粉晶荧光激发和发射光谱.荧光光谱表明虽然Ho3+的发射几率较高的5S2激发态能级高于Eu3+,但并未对Eu3+的发光产生敏化作用,相反当掺入0.002mol的Ho3+时即对Eu3+的发光产生猝灭作用.另外从Eu3+的荧光光谱知5D0→7F2的电偶极跃迁强度大大高于5D0→7F1的磁偶极跃迁,这表明铕(Ⅲ)在配合物晶体中处于非对称中心的位置.     

溅射电流和时间对钼薄膜电学性能的影响

钼薄膜作为电极和布线材料在太阳能电池和薄膜晶体管的制造中具有重要应用价值。磁控溅射作为一种制备钼薄膜的主要手段,其溅射工艺对钼薄膜的性能有着重要的影响。本文通过改变溅射电流和时间制备了具有不同形貌的钼薄膜,并对其电学性能进行了比较,从而得到了较为适合的钼薄膜溅射工艺。     

铕铋共掺杂三族钼酸盐发光材料制备方法及其应用

<正>专利申请号:CN201210268341.8公开号:CN103571477A申请日:2012.07.31公开日:2014.02.12申请人:海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司一种铕铋共掺杂三族钼酸盐发光材料,其化学式为Re2(Mo O4)3:x Eu3+,y Bi3+,其中Re2(Mo O4)3是基质,铕离子和铋离子是激活元素,x为0.01~0.05,y为0.005~0.03,Re为Al,Ga,In或Tl。该铕铋共掺杂三族钼酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中,在480 nm和580 nm波长区都     

掺铕聚丙烯膜的研究

将铕配合物荧光粉掺杂到聚丙烯中，制得两种聚丙烯荧光薄膜。通过机械物理性能、ＤＳＣ分析、ＵＶ谱和荧光光谱的测试，研究了膜的物理和荧光等性质。     

铕与三种不同结构羧酸配合物的低温固相合成及发光性能研究

以共轭体系大小不同、配位基团与共轭体系的距离不同的三种羧酸:1-萘甲酸、苯甲酸、苯乙酸和氯化稀土为原料,采用低温固相反应合成了三种羧酸铕配合物.经元素分析、稀土络合滴定、摩尔电导确定了配合物的组成为:Eu(L1)3,Eu(L2)3·1.5H2O,Eu(L3)3·1.5H2O(L1=C10H7COO-,L2=C6H5COO-,L3=C6H5CH2COO-).测定了配体及配合物的的IR谱、1HNMR谱及配体的磷光光谱和铕配合物荧光激发和发射光谱.根据磷光发射光谱数据计算了配体的三重态能级值.三个配合物的荧光发射主峰5D0→7F2强度按萘甲酸铕苯甲酸铕>苯乙酸铕的顺序变化,由此可见配体的结构不同对铕离子的发光将产生很大的影响.     

高纯金属铕的制备工艺研究

研究了镧热还原法制备高纯金属铕的热力学和动力学,确定了制备工艺参数,并探讨了影响金属纯度的因素和应用存储的方法。结果表明,以5N高纯氧化铕为原料,自制金属镧为还原剂,在高真空(0.001Pa)钽片炉内1 100℃还原、蒸馏得到了纯度为99.983%的高纯金属铕。     

溅射法镀二氧化钛薄膜靶材及工艺研究进展

介绍了溅射法镀膜的基本原理，阐述了溅射法镀二氧化钛薄膜用靶材及相应溅射镀膜工艺的研究现状。溅射镀Tio2薄膜用靶材主要有金属钛、二氧化钛和“非化学计量”二氧化钛靶材3大类。由于钛的氧化态及靶材导电性不同，它们对溅射工艺（如溅射气氛等）有一定具体的要求，通过对靶材和相应工艺进行分析比较，指出应用“非化学计量”靶材是溅射法制备二氧化钛薄膜技术发展的重要方向。     

钨酸钙球团碳化硅还原试验研究

采用高温炉恒温试验对不同时间、温度及还原剂配比条件下钨酸钙与碳化硅球团还原情况进行研究,结合熔点测试结果分析了球团在升温过程中的物理变化行为,得到各影响因素对球团还原的作用关系及钨直接合金化炼钢工艺的优化条件。结果表明,在1 400～1 500℃时,钨酸钙球团可以被碳化硅还原,还原产物为W、WC、Ca3(Si3O9)及SiO2,球团还原反应可能由固—固、固—液反应共同组成,在升温过程中亦发生碳化硅相变和分解、还原剂的氧化及钨金属的二次氧化;在1 400～1 500℃和10～30min时,低温条件下适当延长反应时间、时间较短条件下适当增加反应温度及适当提高还原剂配比有利于提高球团还原反应率;钨直接合金化电炉炼钢工艺中,采取钨酸钙快速还原,防止钨金属二次氧化措施,可以实现钨酸钙在冶炼早期大部分被还原。     

Preparation of Large Area Double Sided YBCO Thin Films by DC Magneton Sputtering

Tc, Jc and Rs properties of large area double sided YBCO thin films deposited on LaAlO3 substrates by direct current sputtering were reported.Film thickness of the obtained thin films is over 300 nm, Tc ＞ 90 K; Rs can be as low as less than 1.0 mΩ(77 K, 10 GHz).Homogenousity of the properties around the plane was studied.Under the measnous distributions.Influences of substrate temperature and Ar and O2 pressures on properties of the double-sided thin films were discussed.     

Luminescence Properties of Tb^3＋ -Doped LuAG Films Prepared by Pechini Sol-Gel Method

Lu3Al5O12（LuAG） thin films with different Tb^3＋ concentration were prepared on carefully cleaned （111 ） silicon wafer by a Peehini process and dip-coating technique. Heat treatment was performed in the temperature range from 800 to 1100 ℃. The crystal structure was analyzed by XRD. The results show that LuAG film starts to crystallize at about 900 ℃, and the particle size increases with the sintering temperature. Excitation and emission spectra of Tb^3＋ doped LuAG films were measured. The effects of heat-treatment temperature and doping concentration of Th3 ＋ on the luminescent properties were also investigated. For a comparison study, Th^3＋-doped LuAG powders were also prepared by the same sol-gel method.     

Preparation and Luminescence Properties of LB Films Based on 4-Hexadecyloxybenzoic Terbium

LB films of 4-hexadecyloxybenzoic-terbium by using the subphase containing Tb^3 were prepared. The mono-layer behavior of 4-bexadecyloxybenzoic acid (HOBA) on the subphase containing rare earth ions was studied. IR and UV spectra show that the rare earth ions were bound to carboxylic acid head groups and the coordination took place between the polar head group and the rare earth ions. The luminescence spectra show that the LB films have the fine luminescence properties, and the LB films emit strong luminescence under UV light irradiation.     

纳米WO_3薄膜材料的制备及掺杂改性研究

对制备纳米WO3薄膜的主要方法进行综合分析比较,综述通过掺杂不同元素对纳米WO3薄膜性质的影响,并展望纳米WO3薄膜材料的发展前景。     

铂钨含量对CoPtW永久磁性薄膜结构及磁性能的影响

研究了钴钨含量对CoPtW永久磁性薄膜结构及磁性能的影响。研究表明，P1 W的原子含量在10％-12％之间时对晶体的晶面间距影响较大，晶系发现变化。随着这一含量的增大，在样品表面垂直和平行磁场方向上的矫顽力差值变大。     

纳米锐钛矿型TiO2薄膜的制备及分析

采用反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备锐钛矿相TiO2薄膜,研究了工艺条件中的氧氩流量比对薄膜润湿角的影响以及溅射气压对薄膜微观结构的影响。对不同氧氩流量比(分别为1/40,1/20,1/10和1/5)时制备的TiO2薄膜进行润湿角测量,润湿角照片显明:氧氩比1/5时薄膜润湿角可减小到8°左右,即提高氧氩比能增强TiO2薄膜的自洁净性能。X射线衍射(XRD)分析表明:当溅射气压降到1.0 Pa时,可以得到锐钛矿型TiO2薄膜晶体,0.5 Pa时的XRD图衍射峰更为明显。用分光光度计测量了TiO2薄膜的紫外吸收光谱,由光谱曲线上光吸收阈值与半导体带隙之间的关系计算出了TiO2薄膜的禁带宽度为3.42 eV,表明TiO2薄膜的吸收边出现了一定的蓝移。根据XRD图谱计算TiO2薄膜的晶粒尺寸,得到的薄膜晶粒尺寸在十几纳米左右,由此说明了TiO2薄膜吸收边发生蓝移的原因;按照锐钛矿相TiO2薄膜XRD图25.3°衍射峰对应的(101)晶面,由Bragg方程计算出其晶面间距为0.3521 nm,表明TiO2薄膜晶体发生了一定的晶格畸变。     

基底温度对反应磁控溅射氮化铝薄膜的影响

采用反应磁控溅射法结合加热控温电源,在光学玻璃基底上制备氮化铝(AlN)薄膜,通过X射线衍射(XRD)技术对薄膜样品物相结构进行分析,利用纳米压痕仪测试薄膜样品的硬度及弹性模量,用椭圆偏振仪及光栅光谱仪测试了薄膜样品的光学性能,分析和研究了基底温度对AlN薄膜的结构及性能的影响.结果表明,用此方法获得的AlN薄膜呈晶态,属于六方晶系,温度对AlN(100)面衍射峰强度影响不大,但对(110)面衍射峰的影响较大,因而温度对AlN的择优取向有一定影响.AlN(100)峰半高宽随温度升高而减小,表明晶粒尺寸随温度升高有变大趋势.随沉积温度升高,薄膜硬度从150℃的8 GPa增加到350℃的10 GPa左右,随基底温度升高,薄膜的硬度增加.弹性模量随温度的变化趋势与硬度的基本一致.在可见光区域AlN薄膜透过率超过90％,基本属于透明膜.基底温度对薄膜折射率也有较明显影响,折射率大致随温度升高而增大,但由椭偏测试及透射谱线分析得到的厚度结果表明,随温度升高,AlN薄膜的沉积速率下降.     

Er~(3 ) Doped BaTiO_3 Optical-Waveguide Thin Films Elaborated by Sol-Gel Method

Bariumtitanate (BaTiO3)isawell knownferro electricmaterial.Comparedtootherferroelectricma terials,suchasLiNbO3,BaTiO3hasmanyadvancedproperties ,forexamplehighelectro opticalindex (r= 82 0pm·V- 1,6 32 8nm ,higherthan 30 8pm·V- 1at 6 32 8nmofLiNbO3) ,lowhalf wavevolt age (310Vat 6 32 8nm ,lowerthan 2 94 0Vat 6 32 8ofLiNbO3) [1] ,lowpropagatinglossofopticalwave(≤ 4± 2dB·cm- 1) [2 ] andconvenientdopingofrare earthions ,whichisnecessaryforopticallyactivede vices .RecentlyBaTiO3fi…