p-n结电场分布的一种解析法

本文发展一种求解泊松方程解的电势与电场的超定方程组的新方法,获得p—n结非对称圆柱解下的圆柱结与平面结相匹配的电势与电场分布及椭圆圆柱解下两者相统一的电场分布公式。将两种解与迄今常用的对称圆柱解进行了比较,发现前者更符合实际。     

均匀带电圆盘中心轴线上电场求解新方法

将均匀带电圆盘看作无数连续点电荷或者均匀带电直导线组成,因此均匀带电圆盘中心轴线某点电场强度的求解,可以通过用计算点电荷或者直导线在中心轴线某点电场强度的矢量叠加这两种新方法来求解。     

波导表面电极的电场分布

本文给出了波导表面平行电极的电场分布的两种理论计算方法,并给出了数值计算结果,最后比较了保角变换法和静电场近似法的优缺点。     

含缺陷一维光子晶体电场分布研究

文章给出了任意入射角时光在一维光子晶体中的透射率及电场分布的解析式,研究了不同的入射角、入射光角频率、缺陷层折射率及光子晶体周期数对含缺陷的一维光子晶体场强分布的影响,同时研究了缺陷层的吸收系数对光子晶体透射率及场强分布的影响,所得到的一些结论为光子晶体的制备及应用提供新的有价值的理论依据。     

场限环电场分布的有限元分析

矩形场限环在器件反偏时的最大电场总是集中于四角，因而求解柱坐标下极角α不变的泊松方程可使场限环三维电场分布的讨论大为简化．在此基础上用有限元法对三场环结构的电场分布进行模拟，并对结构参数进行了优化分析．环电位随外加电压而变化的模拟结果与实验结果相吻合，表明了简化模型和分析方法的正确性和实用性．     

改善OVT内电场分布的介质包裹法

基于Pockels效应的光学电压传感器（Optical Voltage Transducer,OVT）,运行中不可避免地存在震动、元器件连接的老化与热胀冷缩等问题,导致光学器件的相互位置产生偏移,进而影响电光晶体的内电场分布。文中以基于会聚偏光干涉原理的110 kV纵向调制的OVT为例,进行了仿真分析与实验研究,发现当入射光发生0.5的偏移或电光晶体发生1的偏移时,分别引入约0.107%和0.124%的电场积分误差。由于OVT必须满足0.2%的准确度要求,上述影响不容忽视。为此提出了介质包裹法,将Al2O3陶瓷包裹在电光晶体外部,使电场积分误差分别降低至0.001%和0.003%。实验与应用的情况表明,介质包裹法简单、实用、有效。     

ADSS光缆上电场分布的计算

敷设在高压传输线下面的ADSS(全介质白承式)光缆上会形成干带．电场是造成干带电弧的主要原因，而且还会促使电弧沿电解质表面扩展。了解电场分布可以加深理解ADSS光缆上干带飞弧现象的特性。计算和比较了ADSS光缆上的电场分布。结果发现．干带飞弧是由干带的级联击穿引起的。美国亚利桑那州大学的科研人员提出了存在电弧和不存在电弧时计算电场的两个模型。存在电弧时．提出一个将电弧柱模拟为空间电荷的新型计算模型．并提出了计算必要参数的方法。讨论了电弧沿电解质表面扩展的依据，并得出结论，电场不会高到足以对电弧扩展产生显著的影响。他们采用商用软件Coulomb中的边界无法计算了电场。     

电偶极子和磁偶极子场分布相似性的一种解释

电偶极子电场与磁偶极子磁场具有相似的空间分布。然而,这种相似性并非显而易见：电偶极子由一对等量异号电荷组成,而磁偶极子则是一个电流回路。本文从矢量场边值问题的唯一性定理出发,得出了面散度源和面旋度源产生的矢量场分布的一种等价关系,进而对电偶极子电场与磁偶极子磁场空间分布的相似性进行了解释。     

有机电致发光器件发光层中电场与载流子浓度分布的数值研究

以陷阱电荷限制传导理论为基础 ,用数值方法研究了单层有机电致发光器件发光层中电势、电场和载流子密度的空间分布 .分析结果表明 ,电场强度在靠近两边电极的地方上升很快 ,而在中间区域几乎是线性地缓慢增大 .大部分载流子分布在靠近两个电极的地方 ,只有少量分布在中间区域 .在靠近注入电极的地方扩散电流大于漂移电流 ,而在其它区域漂移电流大于扩散电流.     

有限差分法求解静电场问题

简介了有限差分法（FDM）的起源,讨论其在静电场求解中的应用.以铝电解槽物理模型为例,采用FDM对其场域进行离散,使用MATLAB和C求解了各节点的电位.由此,绘制了整个场域的等位线和电场强度矢量分布.同时,讨论了加速收敛因子对超松弛迭代算法迭代速度的影响,以及具有正弦边界条件下的电场分布.     

多重网格法求解三维静电场分布

本文将一种高效率的数值计算方法——多重网格法引入三维静电场分布的计算,多重网格法利用限制和延拓可迅速求得满足精度要求的场分布.研究了求解各种静电透镜电子光学系统三维场分布的多重网格法程序,验算了静电同心球模型的三维场分布.通过与目前在场计算中常用的有限差分法进行比较,可以看出多重网格法的计算效率和计算精度优于有限差分法.本文表明利用多重网格法计算三维场大大提高了场分布的计算效率,缩短了计算时间,因此为后续计算打下了良好的基础.     

前栅极冷阴极器件中单根纳米线表面电场分布研究

利用静电场理论,对带栅极纳米线场发射冷阴极器件模型进行电场计算,在此基础上,进一步对器件几何参数以及电压对纳米线顶端表面电场的影响做了理论分析。结果表明,在纳米线低于栅极的情况下,纳米线顶端表面电场强度比其他点更强,随着离纳米线顶端距离的增加,电场急剧下降;栅孔半径、阴极与栅极距离的减小以及纳米线长度的增加,均使纳米线顶端表面电场大大增强,而栅极与阳极间距变化对顶端表面电场的作用很微弱;另外,纳米线顶端表面电场随栅极和阳极电压的增加而大幅度增强,尤其栅极电压的变化对纳米线顶端表面电场的影响更大。     

单场限环结构的表面电场分布及环间距的优化

基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点,讨论单场限环结构表面电场强度的分布,给出表面电场强度、主结及环结分担电压的解析表达式。在纵向结深和掺杂浓度一定的条件下,根据临界电场击穿理论,讨论环间距的优化设计方法。单场限环结构主结环结间表面电场强度的绝对值曲线近似呈抛物线,最大电场位于主结处。随着环间距的增大,最大电场变大;随着横向扩散深度的增大,最大电场变小。环右侧最大电场也出现在结处,随着环间距和横向扩散深度的增加,最大电场均减小。在场限环结构中,当主结和环结在表面处的最大电场强度均等于临界电场强度时,击穿电压达到最大值,此时所对应的环间距为最佳环间距。     

VoIP的QoS问题及其对策

探讨了IP电话中的QoS问题，分析了原因。并从Internet网络带宽，时延及抖动等三个方面给出了相关的解决措施。     

真空灭弧室内部电场分布的分析与仿真

真空灭弧室对于真空断路器的性能有具重要作用,为了了解真空灭弧室内部的电场分布情况,文中采用Ansoft Maxwell仿真软件搭建了真空灭弧室的电场数学模型,并利用有限元分析法进行分析,通过Ansoft Maxwell仿真软件得出的结果表明,有无屏蔽罩对真空灭弧室电场分布有着较大影响。     

积分变换法在求解静电场边值问题中的应用

静电场边值问题一般采用直接积分法、分离变量法、镜像法等常规方法求解析解.本文基于积分变换法求解微分方程的思想,运用傅里叶变换等积分变换方法,得出在一定条件下采用积分变换法求解静电场边值问题具有可行性和简便性,为求解相似问题探索出一条新的途径.     

用遗传算法求解基于高阶累积量的盲均衡问题

将遗传算法引入盲均衡技术领域，详细分析了如何用遗传算法求解基于高阶累积量盲均衡问题，并给出了一种求解算法的具体步骤。该算法不用基于领域知识的规则，具有很强的通用性与鲁棒性。通过计算机仿真验证了该算法的有效性。     

电光晶体中电场分布对相位调制的影响

用有限差分法计算了不同电极宽度下,电光晶体(LiNbO3)内部的电场分布情况,详细分析了电场不均匀性对晶体折射率和光束相位延迟的影响规律.发现选择合适的电极宽度,充分利用晶体中轴附近相对均匀的电场分布,可以避开复杂的边缘效应,同时能够降低畸变率,从而提高调制的精确性和稳定性.     

基于电场分布特性的环形栅器件SPICE模型研究

提出了一种新颖的、更加通用的环形栅器件版图等效宽度提取方法,用于解决目前商用SPICE模型中版图宽度提取方法不适用于环形栅器件这一问题．该方法基于环形栅中沟道电场分布特性,可用于提取多种形状环形栅版图宽度．提出了SPICE模型中模型参数的修改方法,使SPICE环形栅器件模型仿真更为精准．通过TCAD（计算机辅助设计）等多种仿真途径对该模型进行验证,结果表明该模型具有较高的精确度．