2010电子封装技术与高密度集成技术国际会议(ICEPT-HDP)

在过去十多年间,由中国电子学会生产技术学分会（CEPS）主办的电子封装技术国际会议,分别在中国的北京、上海和深圳等地成功举办过十届,为来自海内外学术界和工业界的专家、学者和研究人员提供了一个交流电子封装技术新进展和新思路的重要技术平台。     

高密度集成与单芯片多核系统及其研究进展

在体积、重量和功耗有严格约束的情况下,系统小型化遇到多种技术挑战,为了满足高密度计算和小型化的要求,高密度系统集成和单芯片多核处理器至关重要。讨论了高密度集成与单芯片多核处理器技术及其研究进展,其中包括单芯片多核处理器(CMP)、片上网络(NoC)、3D集成电路、高密度封装。提出了CMP的两个发展特征,即小核大数量和层次型簇结构。指出高密度集成设计与高密度封装设计逐渐融合,并为单芯片多核系统的物理实现提供了技术保证,为最终实现高密度计算和小型化系统提供了硬件解决方案。     

集成高密度互连微孔技术将成为多层板主流

对于用来制造 BUM 板功能特性的再配置层的材料和加工的工艺选择来说,仍然是不成熟的,并且取决于很多因素。这些因素包括技术可行性、性能和装配㈦方面的应用。某些 OEM     

谈军用电子装备的模块化及小型化

本文在详细分析模块化概念的基础上,讨论了军用电子装备模块化的有关问题,如模块化的任务、组合模块的合理划分、模块体系的建立以及模块化设计等,最后讨论了电子装备的小型化问题。     

小型化滤波放大器三维集成设计

针对滤波放大器中滤波器体积大、数量多的特点,提出了一种基于三维集成技术的小型化设计方法。该方法利用球栅阵列连接,实现多个基板的三维集成互联组装。将放大电路置于下层基板,滤波器置于中间层基板,上层基板作为滤波器的屏蔽层,通过焊球实现信号互通和电磁屏蔽隔离。该设计可缩小多个滤波器级联时电路布局尺寸,为实现高集成、小型化、多功能的滤波放大器产品提供了有效的解决方案。     

小型化高集成宽带光收发组件

当前分立光子器件的体积和成本严重制约着微波光子技术在雷达系统中的应用。受限于当前的集成能力和材料体系,微波光子单片集成芯片短时间内难以实现工程应用。为满足雷达等应用场景对高集成微波光子器件的迫切需要,研制了一种新型小型化高集成光收发组件。该组件采用光电异构集成封装技术,将MZM调制器芯片、微波芯片、探测器芯片以及光环形器、波分复用器进行高度集成,单模块体积仅为85 mm×35 mm×10 mm,与传统MZM调制器体积相当。实验结果表明,其性能可与传统分立元器件相媲美。在6~18 GHz范围内,组件能够实现±1.5 dB的平坦度,上行能够实现18 dB以上的增益,下行能够实现?1 dB以上的增益,且链路噪声系数小于30 dB,平面化、小型化设计使其能够应用于相控阵雷达、电子战等多种应用场景,具有广阔的应用前景。     

现代电子装备高密度组装技术

本文介绍了QFP、BGA、CSP芯片的类型、封装结构、焊点结构及其可靠性，论述了其在高密度组装和再流焊接中的技术挑战，分析了再流焊接中的共面性和问题。同时简要介绍了BGA、CSP组装件的检测技术。     

高密度垂直集成光电二极管焦平面列阵技术（上）

1 引言 由美国DRS红外技术公司研制的高密度垂直集成HgCdTe光电二极管是解决红外焦平面列阵结构问题的一种新方法。较之更为保守的焦平面列阵结构,新方法在二极管的形成以及在二极管与硅读出集成电路的混成方面都有不同之处。这种二极管是在低温下通过对非本征     

L波段集成自检源小型化多通道前端

L波段射频系统的前端模块,在完成放大滤波功能的基础上,还需要具有产生自检信号的功能,以及与上位机进行通信的能力。为了适应现代社会对设备功能完备、体积小、质量轻的要求,通过选用小型集成化跳频源,将数字控制、接口电路与微波控制电路相集成,将自检功分电路与微波控制电路集成,研制出一款集成自检源的多通道射频前端。在保证原有射频前端放大滤波功能、产生自检信号功能、与上位机进行通信功能的基础上,大幅度地减小了射频前端的体积与质量。通过实物制作与测试,验证了上述设计方法在保证多通道射频前端功能完整性的情况下可以大幅度减小整体模块的体积、减轻模块的质量。     

军用电子装备高密度组装展望

本文介绍了８０年代末期以来先进集成电路封装技术的发展,概括了适用于先进封装的高密度组装工艺技术的最新发展趋势及国内外的应用简况;预测啊２１世纪初叶军用电子装备高密度组装的主要形式,明确指出在现代战争中,无论开口多么先进,其核心依然是电子战,提出了我军电子装备向高密度化、高速化和高可靠性方向发展必须解决的关键技术是及其实现途径。     

高密度组装电子设备冷却技术应用研究

随着现代飞机性能的不断提高,电子设备的性能也大幅提升。与此同时,电子设备的组装密度越来越高,导致其热管理问题更加突出。针对高密度组装电子设备冷却散热技术面临的主要问题,从传热原理、冷却结构以及设计方法等诸多方面着手,探讨了从芯片级、模块级到设备级的有效冷却散热方式,对各种冷却散热方式的基本原理、优缺点以及适用范围进行了研究对比。在传统冷却散热技术的基础上,对新型冷却散热技术的发展趋势作出了展望,为未来电子设备冷却散热技术发展指明了方向。     

S波段小型化高增益集成功放设计

介绍了一种S波段小型化集成功放模块的设计方法。该模块采用GaAs和硅功率芯片,通过内匹配混合集成电路技术,将两级芯片集成到金属密封管壳中。实测结果表明,在脉宽200μs,占空比10%的测试条件下,3.1～3.4GHz全带内功率放大器输出功率能达到60W,36V电源效率大于35%,模块尺寸仅为26.5mm×15.0mm×5.0mm。     

微型全固态0.53μm绿光激光器的研究

研究成微型全固态绿激光器。用独特的整体探温技术,并把全部元件全部元件固化为一个整体,从而提高敢器件效率、激光输出功率和光束指向稳定性,全部采用国产元件以降低器件成本。用１Ｗ国产半导体激光器得到１９５ｍＷ和０．５３μｍ绿激光稳定输出。该器件体积小,效率高,利用方便。     

LD抽运的高性能微型绿光激光器

研制成高性能微型全固态绿光激光器。用独特的整体控温技术提高器件效率 ,全部元件固化为一个整体以提高激光输出功率和光束指向稳定性 ,用 1W的LD纵向抽运Nd∶YVO4 /KTP激光器 ,获得 195mW的TEM0 0 模 0 53μm连续激光输出。输出功率不稳定度≤± 2 % ,光束方向稳定性优于 0 0 1mrad/hr和 0 0 3mrad/ 2 4hrs。该器件体积小 ,效率高 ,使用方便。     

高密度化高性能化PCB的最新技术动向

概述了包括材料、生产技术和可靠性等的高密度化高性能化PCB的最新技术动向。     

High Energy Density Solid-State Lithium Metal Batteries Enabled by In Situ Polymerized Integrated Ultrathin Solid Electrolyte/Cathode

Solid-state batteries (SSBs) are regarded as the most promising next-generation energy storage devices due to their potential to achieve higher safety performance and energy density. However, the troubles in the preparation of ultrathin solid-state electrolytes (SEs) as well as the resultant compromise in mechanical strength greatly limit the safety application of SSBs. Herein, a novel in situ polymerized integrated ultrathin SE/cathode design is developed. The ultrathin ceramic layer supported on the cathode serves not only as a rigid scaffold to prevent direct contact between the cathode and anode but also as active inorganic fillers to enhance the mechanical properties of in situ polymerized SE film. The unique Li-ion coordination environments as well as the Li hopping mechanism profoundly promote fast ion transport in composite SEs. The in situ polymerized SEs simultaneously achieve the balance in ultrathin thickness (10 µm), fast ion transport (0.65 mS cm⁻¹), superior Young's modulus (66.8 GPa), and excellent interface contact. The pouch cells with practical Li||LiNi_0.8Co_0.1Mn_0.1O₂ configuration achieve an ultrahigh volumetric energy density of 1018 Wh L⁻¹ and safety performance. The in situ polymerized integrated ultrathin SE/cathode design exhibits great promise for the practical application of SSBs with high energy density and safety performance.     

适应高密度化和高速化的FPC新技术开发

概述了适应高密度化和高速化要求的FPC新技术：电沉积聚酰亚胺工艺,半加成法工艺、聚酰亚胺蚀刻工艺。     

硅集成电路工艺技术的发展——为《微电子学》创刊二十周年而作

本文首先在总体上概述了集成电路工艺技术的发展。从双极工艺和MOS工艺两大分支说明了其发展过程、特点及现状水平,阐述了器件发展与工艺发展的相互关系。然后分节叙述了各个重点工艺技术的发展趋势与现状。     

国外高可靠军用集成元件技术研究综述

介绍了国外集成薄膜电阻器、电容器及无源组件的关键工艺技术的研究情况。     

天基电子侦测中的阵列信号处理技术

随着应用需求和科学技术的发展,电子侦察卫星的星上处理能力日益增强。以微弱信号截获、同频多信号侦察、高分辨测向、高精度定位为出发点,分析了天基电子侦测中的阵列信号处理技术,并针对有效载荷的特殊要求进行专门设计。通过利用天线阵列几何结构综合、数字波束形成、空间谱估计测向、基于多次测量数据的最优化处理方法,可以实现快速侦察、目标信号提取和精确定位。