新型大功率升—降压型DC／DC变换器控制研究

分析了常见的几种升－降压变换电路的优缺点,在Ｂｏｏｓｔ－Ｂｕｃｋ电路基础上提出了一种新型的升－降压变流控制方案。采用此方案研制了一个由８０Ｃ１９６ＫＣ控制的８ｋＷＩ ＩＧＢＴ ＤＣ／ＤＣ变换器,实验结果证明,此方案可降低开关损耗,明显提高效率和可靠性。     

新型大功率IGBT全桥零电流DC—DC变换器

提出一种新型大功率ＩＧＢＴ全桥主换器，这种变换器在传统的ＰＷＭ硬开关全桥电路控制主式的基础上，使其中两只功率晶体管的关断适当延时，从而使这两只元件实现零电流无损耗关断。     

基于空间矢量调制的三相交—交矩阵式变换器的研制与研究方向

本文介绍了矩阵式变换器的研究概况,以ＩＧＢＴ作为主电路开关器件,阐述了基于空间矢量原理和８０Ｃ１９６ＫＣ单片机的矩阵式变换器控制系统,提出了一种双向开关的四步换流方法,并给出了相应的实验结果,介绍了矩阵式变换器的研究和发展方向。     

高效单端正激DC／DC变换器

介绍一种特殊的单端正激ＤＣ／ＤＣ变换器,该变换器具有较高的功率传输效率和较大的功率输出。     

由单片机监控的高频DC—DC变换器

本文介绍了由单片机监控的高频ＤＣ－ＤＣ变换器系统的主回路和控制部分的电路组成。该变换器以ＩＧＢＴ为开关器件,采用ＰＷＭ技术进行控制,单片机为监控核心,完成了２２０Ｖ／２０Ａ的高频ＤＣ－ＤＣ变换。     

简化型正输出罗氏变换器

因为元器件寄生参数的影响,输出电压和ＤＣ／ＤＣ变换器功率传输效率受到限制。而电压举升技术正是一种能改善ＤＣ／ＤＣ变换器特性的好方法。通过长时期的调查研究,它已在ＤＣ／ＤＣ变换器技术上得到成功的应用＾「１－６」。简化型正输出罗氏变换器是新型ＤＣ／ＤＣ升压型变换器的一个系列,它是在Ｚｅｔａ变换器上用先进的电压举升技术开发出来的。这些具有高功率密度、高效率和简易价廉结构的变换器能完成从正到正的ＤＣ／ＤＣ     

一种新型SR电机功率变换器主电路的分析与设计

对前人提出的一种新型四相功率变换器进行了分析，结合研制实践，给出０．７５ｋＷ ＳＲＤ功率变换器设计实例和运行实验结果。     

零电压和零电流开关的伪相移式变换器

利用ＩＧＢＴ的反向雪崩特性，实现伪相移变换器前臂零电压，尾臂零电流开关，使ＩＧＢＴ可在高开关频率下运行，且降低了开关损耗。     

负输出罗氏变换器——先进的电压举升技术

电压举升是一项广泛用于电子电路设计的技术,受寄生元件的影响,ＤＣ－ＤＣ升压变换器的输出电压和功率传递效率受到限制,电压举升技术为改善电路特性提供了好方法。负输出罗氏为换器和正输出罗氏变换器相对应的另一类ＤＣ－ＤＣ升压变换器系列。它正输入负输出,具有高功率密度和效率,简单廉价的拓扑结构,不同于任何已有的ＤＣ－ＤＣ升压变换器,拥有输出电压高,纹波小的优点     

IGBT与MOSFET并联技术在DC—DC变换器上应用

介绍了ＭＯＳＦＥＴ辅助ＩＧＢＴ软开关技术,通过对半桥变换器的计算机仿真和样机试验,验证了该基技术的优越性。     

正输出罗氏变换器——先进的电压举升技术

电压举升技术是一项广泛应用于电子电路设计的方法,由于寄生参数的影响,ＤＣ－ＤＣ升压变换器的输出电压和功率传递效率受到限制,电压举升技术为改善电路特性提供了好方法,正输出罗氏变换器是ＤＣ－ＤＣ升压变换器的一个新系列。它输入,输出正,具有高功率密度和效率,廉价的拓扑结构,纹波小,输出电压高,因此广泛应用于计算机外围设备和工业产品,特别是高压项目。     

开关磁阻电动机新型功率变换器及仿真分析

提出了一种通过ＤＣ／ＤＣ变换器以在磁阻电动机绕组放电电流进行回馈的新型功率变换器,详细分析了其对系统性能的影响,并与传统的功率变换器作了比较,仿真计算了每种功率变换器下的系统输出电流及转矩波形,证实了该功率变换器对提高系统输出功率、减小转矩波动的有效性。     

软开关AC/DC变换器的电磁干扰研究

通过软开关改善ＤＣ／ＤＣ变换器的效率和电磁干扰（ＥＭＩ）特性,是提高ＡＣ／ＤＣ变换器ＥＭＩ性能的重要途径。通过对软件开关单位功率因数ＡＣ／ＤＣ电路的拓扑研究、ＰＳＰＩＣＥ仿真和电路实验,分析了软开关在ＡＣ／ＤＣ电路的ＥＭＩ特性改善的作用及其限制。     

四象限DC／DC零电流开关准谐振罗氏变换器

零电流开关（ＺＣＳ）技术可以显地降低开关由导通转向关断时的功率损耗。然而,大多数章中论述到的零电流开关变换器仅是单象限运行。本介绍的四象限ＤＣ／ＤＣ零电流开关准谐振罗氏变换器是一种新型的可以在四个象限内运行、运用软开关技术的零电流开关变换器,能够有效地降低功率损耗,从而极大地提高功率传输效率。实验测试结果验证了中的分析和计算。     

一种电流反馈式自激半桥DC／DC变换器

提出了一种电流反馈式自激半桥ＤＣ／ＤＣ变换器，采用ＭＯＳＦＥＴ晶体管作为主开关键器件，工作频率为５０ＫＨＺ，叙述其工作原理，并对这种变换器进行设计和参数计算，给出实际应用电路。     

大功率IGBT—PWM交流伺服系统

介绍一种１５０ｋＷ的ＩＧＢＴ交流伺服系统，其中逆变器主电路开关元件采用绝缘栅双极晶体管ＩＧＢＴ。文中叙述了控制系统的组成、工作原理及ＩＧＢＴ的驱动、保护电路，并给出了电机电流波形和电动机态特性曲线。     

单片机控制IGBT直流电源屏的研制

介绍了由三套相同的单片机控制ＩＧＢＴ降压型变换器组成的电力系统直流电源屏以及该变换器的设计原理和电路结构。     

大功率IGBT─PWM交流伺服系统

介绍一种１５ｋＷ的ＩＧＢＴ交流伺服系统，其中逆变器主电路开关元件采用绝缘栅双极晶体管ＩＧＢＴ。文中叙述了控制系统的组成、工作原理及ＩＧＢＴ的驱动、保护电路，并给出了电机电流波形和电机动态特性曲线     

IGBT模块的研制

ＩＧＢＴ模块的研制ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅｓ￥／／北京电力电子新技术研究开发中心李福旺（北京１０００８８）１前言绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）是集功率ＭＯＳ和双极型晶体管优点于一身的电压控制型器件，具有输入阻抗高、驱动功率小、通...     

PC／XT微机高精度测频接口及其在压频式A／D转换中的应用

文中设计了一种高精度测频接口，可用于ＩＢＭ ＰＣ／ＸＴ及类似机种，在１００ｋＨｚ测频测试内精度均匀。文中介绍了它在压频变换器（ＶＦＣ）或Ａ／Ｄ接口中的应用。