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1.
溶剂法制备聚合物分散液晶膜 总被引:5,自引:0,他引:5
用溶剂法制备了聚合物分散液晶膜。采用偏光显微镜、扫描电子显微镜和电光仪对相分离和聚合物分散液晶材料的电光性能作了初步探讨。研究结果表明,升温速度和聚合物含量对PDLC膜的相分离结构和响应电压有显著的影响。 相似文献
2.
大分子链转移剂活性对聚合物分散液晶电光性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用可逆加成-断裂链转移(RAFT)、引发转移终止(Iniferter)、反向原子转移自由基聚合(RATRP)等活性自由基聚合方法,合成了分子量相近而带有不同端基的大分子链转移剂。通过紫外光聚合诱导相分离法制备聚合物分散液晶(PDLC)膜。通过研究大分子链转移剂光引发活性,发现采用RAFT聚合制备的大分子链转移剂具有较高的光活性,带有Iniferter活性基团的大分子链转移剂光活性很低。对不同大分子链转移剂制备的PDLC膜的电光性能进行比较,发现采用RAFT法合成的具有高光活性的大分子链转移剂能够使PDLC膜具有较高的开态透光率和较低的驱动电压。加入大分子链转移剂会导致PDLC记忆效应升高。 相似文献
3.
聚合物基体对聚合物分散液晶(PDLC)膜电光性能影响很大。文中,用不同比例单乙烯基和二乙烯基单体通过可逆加成-断裂链转移自由基聚合(RAFT)得到了一系列超支化聚合物。这些超支化聚合物可作为"活性"预聚物用于聚合诱导相分离(PIPS)来制备超支化树脂基PDLC膜。结果表明,添加不同预聚物导致不同的表面形貌,进而影响到阈值电压大小。驱动电压对聚合物基体分子量有一定的依赖性,分子量高的基体驱动电压相对较高。此外,滞后和记忆效应随基体支化度提高而减小,这可能与超支化结构增强了聚合物与液晶间的相互作用力有关。 相似文献
4.
采用单体4,4′-二[6-(丙烯酰氧基)己氧基]联苯(BAB6)和胆甾相液晶混合光固化,制得聚合物网络稳定液晶(PSLC)薄膜。利用紫外可见分光光度计、响应时间测试装置和扫描电子显微镜(SEM),研究了单体BAB6和手性剂质量分数对PSLC薄膜电光性能和网络微观形貌的影响。结果表明,随着BAB6质量分数增加,PSLC薄膜的聚合物网眼尺寸变小,透过率降低,饱和电压增加,响应时间缩短;随着手性剂质量分数增加,聚合物网眼尺寸缩小,液晶畴变小,驱动电压增加,响应时间进一步下降。当液晶∶单体∶手性剂的质量比为100∶5∶10时,制得了电光性能优良,响应时间为2ms的PSLC薄膜。 相似文献
5.
液晶/聚合物复合膜作为成膜材料,其紫外光固化时间对膜的电光性能及微观形貌有很大的影响。文中利用可逆加成-断裂转移自由基聚合(RAFT)制备了活性聚苯乙烯(PS)大分子引发剂,用以引发丙烯酸甲酯(MA)进行活性聚合制备聚合物分散液晶(PDLC)薄膜。系统研究了紫外光固化时间对RAFT-PS基PDLC薄膜电光性能及微观形貌的影响及影响机理。研究表明,通过RAFT法制备的PDLC在较短时间内即完成相分离,并且随着紫外光固化时间的延长,PDLC的阈值电压(Vth)和饱和电压(Vsat)升高,关态透光率(Toff)、记忆效应(ΔT)和最大透光率(Tmax)下降,薄膜的微观形貌也出现了连续明显的变化。随着紫外固化反应时间延长,聚合物基体的相对分子质量显著增加。 相似文献
6.
聚合物结构对聚合物网络稳定液晶薄膜电光性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用带有联苯结构的双丙烯酸酯和单丙烯酸酯作为单体,采用紫外光引发聚合诱导相分离法制备了聚合物网络稳定液晶(PSLC)薄膜。研究了不同液晶含量、固化时间、单体结构、取向层对PSLC膜电光性能的影响。结果表明,随着液晶含量的增加,样品的关态透光率(TOFF)随之增大,驱动电压则呈减小趋势;相对而言,随固化时间的增加,样品的TOFF则降低。在PI作取向层时,由双丙烯酸酯单体制备的样品表现出了较高的TOFF,而由单丙烯酸酯单体制得的样品,因其聚合物网络结构的不稳定性,在较低电压情况下就出现了"变形"的电光曲线。 相似文献
7.
以ITO导电膜为基材,采用热固化法进行实验,制备尺寸为0.6m×1m的聚合物分散液晶膜,讨论了液晶质量分数、热固化温度和升温速率等条件对样品性能的影响,研究发现在液晶质量分数为65%、热固化温度为75℃、升温速率为3.5℃/min的条件下,能够制备出性能优良的聚合物分散液晶膜。 相似文献
8.
具有高对比度的快速响应聚合物分散液晶(PDLC)膜 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对制膜材料的选择和制膜条件的精确控制,制备了具有高对比度的快速响应聚合物分散液晶膜。本文给出了实验结果并进行了简单的讨论。 相似文献
10.
在单体与液晶相分离的过程以及单体固化的过程中施加交流电,得到液晶微滴尺寸和排列规则的PDLC膜。采用偏振红外光谱法对电场作用下液晶分子的重新取向进行了研究。结果表明:非工作状态下,液晶微滴的分子光轴处于无序态;工作状态下,分子光轴能够达到较高的有向度。 相似文献
11.
实时光学薄膜膜厚监控系统研究 总被引:5,自引:2,他引:5
在光电极值法基础上采用一定的信号采集方法、数据处理和极值点判断算法,通过硬件电路和高级程序语言设计了膜厚监控系统.实验表明,该系统能够对光学薄膜镀制过程进行实时在线跟踪,以及对膜层厚度的准确控制. 相似文献
12.
采用真空蒸发法制备相同厚度的PbTe薄膜,再利用RF磁控溅射法在上面制备不同厚度的Ag反射膜,采用XRD、SEM、FTIR和四探针法分别对制备样品的物相组成、表面形貌、透射率和电阻率进行测试,结果显示,所制备的薄膜具有明显的〈100〉方向择优取向,呈多晶结构,随着反射膜厚度的增加,薄膜结晶性能先降低后增加;晶粒尺寸增加,表面粗糙程度先降低后增加;薄膜光学性能在一定膜厚范围内,随着反射膜厚度的增加透射率降低,超过一定膜厚时,透射率降为零;随着反射膜厚度的增加,电阻率呈先急剧降低后缓慢降低的趋势。 相似文献
13.
目的 制备了一种九头狮子草红色素基膜,即九头狮子草红色素结合马蹄淀粉的新型比色指示膜。同时利用紫外–可见吸收光谱和灰度平均值探究其动态响应特征。方法 从植物九头狮子草中提取九头狮子草红色素(HPJH),采用共混法将HPJH、马蹄淀粉、丙三醇共混制备比色指示膜。结果 引入九头狮子草红色素后,可以改变马蹄淀粉膜的抗氧化性。适量的九头狮子草红色素促进膜结构的均匀性,当添加质量分数为8%的九头狮子草红色素时,成膜效果最好,DPPH自由基清除率达到88.70%,膜颜色稳定性实验结束时ΔE值为1.649 7。以灰度平均值直观呈现比色指示膜在不同湿度条件下对三乙胺的响应情况,更具有说服力。结论 从植物九头狮子草中提取的HPJH可提高马蹄淀粉膜的指示效果,比色指示膜具有较强的抗氧化性,并对三乙胺具有颜色变化的响应性,在猪肉、鱼肉和莴笋新鲜度监测中具有动态响应特征。 相似文献
14.
印品墨层厚度的一致性仿真分析 总被引:3,自引:4,他引:3
应用计算机仿真方法对影响墨层厚度一致性的因素进行了研究.在油墨转移率等于0.5的条件下,通过对输墨系统的离散化处理,实现了连续的输墨系统的计算机仿真.计算结果表明,单路输墨系统产生的墨层厚度的一致性优于双路输墨系统.此外,墨层厚度的一致性与图文的分布及印版滚筒的空档大小均密切相关. 相似文献
15.
采用双弯曲磁过滤阴极真空电弧沉积方法在传感器用P型单晶硅上制备ta-C膜,并通过实验测试的手段研究厚度对其组织及性能的影响。研究结果表明:逐渐延长沉积时间后,沉积速率始终保持1.6 nm/min的稳定状态。分别运用椭偏仪和光度计测定ta-C膜的厚度结果基本一致,差值小于2 nm。随着膜厚的增加,sp3C比例发生了减小,原先的sp3结构逐渐转变为sp2结构。当膜厚增大后,ta-C膜内形成了更高比例的sp3C。当膜厚增大后,G峰发生了低位移动,此时膜内的sp3C比例发生了降低。当膜厚增大后,ta-C膜色散值和残余压应力发生了不断减小,表明膜获得了更小的拓扑无序度。不同厚度的涂层粗糙度基本接近,都在0.6 nm以内。膜表面呈现光滑的连续分布形态,粗糙度保持基本恒定。 相似文献
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以改进Hummers法获得的氧化石墨为原料制备氧化石墨烯,采用旋涂法通过使用不同浓度的氧化石墨烯水相分散液制备不同厚度的氧化石墨烯薄膜湿敏元件。采用X射线衍射仪(XRD)、红外光谱仪(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、扫描探针显微镜(SPM)和湿度测试仪对氧化石墨烯薄膜的结构、形貌和湿敏性能进行分析。结果表明,在室温下随氧化石墨烯薄膜厚度减小(139nm、102nm、65nm、35nm和18nm),湿敏元件响应时间由10s缩短至2s,恢复时间由37s缩短至8s;在11.3%~93.6%RH范围内,湿敏元件电阻随湿度增加而显著减小,从兆欧级减小至千欧级,变化达到3个数量级;湿敏元件的最佳响应时间为2s,恢复时间为8s,最高灵敏度可达96.06%,具有较好的湿敏性能。 相似文献
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微量稀土对6063铝合金阳极氧化膜厚度的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
稀土能细化铝合金组织,提高其强度和塑性性能,对铝合金的后处理非常有益.以添加不同含量稀土的6063铝合金为研究对象,并对其进行阳极氧化试验,系统地研究了不同含量的稀土对阳极氧化膜厚度的影响以及氧化液硫酸浓度、硫酸温度、氧化时间、电流密度及不同的工艺参数对铝合金膜层厚度的影响,以获得最佳的添加稀土含量和最合适的阳极氧化工艺参数.结果表明,添加稀土的6063铝合金比没添加稀土的6063铝合金有较强的接受极化能力,稀土可以明显地提高6063铝合金氧化膜厚度,稀土含量以0.20 %最佳.该含量的稀土6063铝合金获得优质氧化膜的最佳工艺条件为:硫酸浓度170 g/L,硫酸温度18~22 ℃,氧化时间40 min,电流密度1.2 A/dm2. 相似文献