碳纳米管透明导电薄膜制备技术的研究进展

介绍了碳纳米管(CNTs)的基本性质.综述了CNT-TCFs的制备工艺,评述了各种工艺的优势与局限,指出了影响CNT-TCFs性能的因素并提出了可能提高其性能的方法,评析了CNT-TCFs的应用前景以及其实现应用面临的挑战.     

碳纳米管透明导电薄膜制备技术的研究进展

介绍了碳纳米管(CNTs)的基本性质,综述了CNTTCFs的制备工艺,评述了各种工艺的优势与局限,指出了影响CNT-TCFs性能的因素并提出了可能提高其性能的方法,评析了CNT-TCFs的应用前景以及其实现应用面临的挑战.     

透明导电氧化物薄膜研究进展

综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的应用和发展,重点阐述了TCO薄膜的透明导电机理以及制备工艺的最新研究进展,同时对其研究和应用前景进行了展望.     

p型透明导电氧化物薄膜的研究进展

p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用.近来在这方面的研究取得了一些突出的进展.本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展.     

ZnO:Al透明导电薄膜的研制

介绍用直流平面磁控溅射方法制备掺铝的氧化锌透明导电薄膜并研究了其特性，阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景，并讨论了氧化锌掺铝薄膜的优点。介绍了ZnO∶Al薄膜的制备情况：靶的制备及薄膜的制备过程。测量了薄膜的光电特性，包括透射比、折射率、消光系数、方块电阻、电阻率、载流子浓度和迁移率等参数，并分析了各种实验条件对薄膜性能的影响。     

碳纳米管气敏传感器的制备与性能研究

本文采用传统的光刻工艺、丝网印刷技术和烧结工艺在ITO透明导电薄膜上制备出电容式的碳纳米管(CNT)膜气敏传感器,探讨扫描电压、工作频率和各种工艺参数对其性能的影响.光学显微镜测试表明,丝网印刷的CNT膜表面平整、分布均匀.扫描电镜表征显示,在大气中300℃烧结能促使有机粘合剂充分地分解和蒸发,在CNT膜中留下能有效提...     

碳纳米管膜在电解液中电子输运性质的研究

研究了在电解液下碳纳米管膜中的电子输运特性.所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法合成的.与通常观测到的在碳纳米管膜/电解液界面存在的电化学势不同,实验结果表明,在电解液作用下碳纳米管膜与接触电极间也存在着明显的电势,并与介质溶液性质、浓度和温度有关.电势的大小随浓度和温度的增加而增加.并对实验结果进行了分析.     

透明导电InSnGaMo氧化物薄膜光电性能研究

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂ITO基InSnGaMo复合氧化物薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。X射线衍射、扫描电镜和霍尔测试结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高。当衬底温度为450℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为4.15×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率最大分别为3×1020cm-3,45 cm2V-1s-1,在可见及近红外区平均透过率达92%,特别地,波长为362 nm时,最高透射率可达99%。     

CuAlO2热电性能的研究进展

P型透明导电氧化物CuAlO2具有超晶格层状结构,显示出非常好的热电性能,在热电转换领域可望有广阔的应用前景.本文简要介绍了CuAlO2的结构和能带特点,从制备过程、微观结构、退火条件和掺杂方式等方面阐述各因素对CuAlO2热电性能的影响,并讨论了提高其热电性能的可能途径.     

基于碳纳米管的LB膜制备技术

采用混酸处理法对碳纳米管进行了羧化改性,然后进一步运用十八胺双性分子对羧化改性后的碳纳米管进行了表面修饰,深入探讨了基于双性分子表面改性后碳纳米管的LB膜制备过程,并分析了其制备工艺中超声时间、酸量和氧化处理等实验参数对羧化改性的影响,制备出了基于碳纳米管的单层及多层LB膜。初步研究了硅基底表面碳纳米管LB膜的减摩性能．实验结果表明,带有双性分子的十八胺可通过一定的实验条件连接到碳纳米管表面,通过双性分子的亲油性而有效改善碳纳米管在有机溶剂中的溶解性,为碳纳米管LB膜的制备提供了必要条件;此种碳纳米管LB膜可在低载荷下,将硅基底的耐磨性能提高50％以上．     

P型透明导电SnO2薄膜的研究进展

SnO2薄膜是一种应用广泛的宽禁带半导体材料.近几年来,随着对SnO2的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,SnO2薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型SnO2是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近年来,国内外在p型SnO2薄膜研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型SnO2薄膜的最高电导率为5.952Ω-1cm-1.并且得到了具有较好非线性伏安特性的铟锡氧化物的透明p-n结.本文就其最新进展进行了综述.     

Sol-Gel法制备ZnO:Al透明导电薄膜

采用Sol-Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为纤锌矿型结构,表面平整、致密.通过标准四探针法及UVS透射光谱详细研究了Al3+离子掺杂的ZnO薄膜的电学与光学性能.实验发现,当Al3+离子掺杂浓度为0.8%时,前处理温度为400℃,退火温度为550℃,真空退火温度为550℃时,薄膜具有较好的导电性,电阻率为3.03× 10-3Ω@cm,其在可见光区的透过率超过80%.     

组合薄膜制备技术在热电材料中的应用

"组合技术"是现代的新材料开发的手段。介绍了一些新的组合技术,如:"组合激光分子束外延技术"和"组合激光溅射制膜技术",并采用"组合激光溅射制膜技术",成功制备了高质量La1-xCexVO3(0≤x≤1)成分梯度薄膜。采用组合热电测量系统和组合XRD系统测量了La1-xCexVO3(0≤x≤1)成分梯度薄膜的热电性能和晶体结构。"组合激光溅射制膜技术"被证明是非常高效、精确的新材料薄膜研究方法,具有光明的前景。     

透明导电ZnO∶In薄膜光电性能的研究进展

本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键.从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO:In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明.     

碳纳米管的研究进展

碳纳米管是国际新材料领域的研究前沿和热点,详细综述了碳纳米管的结构与性能,近年来碳纳米管的各种制备方法和纯化方法,以及在各领域的应用研究及其最新研究进展;并展望了碳纳米管的应用和研究前景.     

碳纳米管的研究进展

碳纳米管是国际新材料领域的研究前沿和热点，详细综述了碳纳米管的结构与性能，近年来碳纳米管的各种制备方法和纯化方法，以及在各领域的应用研究及其最新研究进展；并展望了碳纳米管的应用和研究前景。     

定向碳纳米管薄膜的制备研究

采用化学气相沉积法制备了定向碳纳米管薄膜,研究了向反应室载入水、氨水对定向碳纳米管薄膜的影响,并用SEM、TEM、XRD对碳纳米管进行了表征。结果表明：向反应室载入水的量增大,定向碳纳米管的长度先增加后减小。载入水的氩气流量为400ml／min,定向碳纳米管的长度1750μm;向反应室载入氨水,得到疏密相间排列的定向碳纳米管薄膜,氨水量增加,定向碳纳米管薄膜的厚度减小。     

旋涂法制备碳纳米管发电薄膜

采用多次旋涂法在玻璃衬底表面涂覆单壁碳纳米管（SWNT）悬浊液,形成均匀的SWNT薄膜,测量碳纳米管的发电特性,利用扫描电子显微镜（SEM）观测SWNT的分布情况,并用四探针电阻仪测量薄膜不同区域的方块电阻和薄膜的电流-电压（1-V）特性,结果表明,薄膜的I-V曲线线性度和重复度很高。不同浓度的氯化钠（NaCl）溶液以不同的流速流过SWNT薄膜表面,研究薄膜两端感应电势和电路中的电流变化情况。通过分析该变化情况,对SWNT发电机理作进一步阐释。