半导体材料

Y2000-62067-264 0012440对两种 As 源之间 As 转移的观察=Observation of Ascarryover from two different As sources[会,英]/Moon,Y.& Lee,T.-W.//1998 IEEE International Confer-ence on Optoelectronic and Microelectronic Materials andDevices.—264～267(EC)Y2000-62067-268 0012441通过表面光吸收对量子阱结构中的 As/P 交换反应和As 转换内置观察=In-situ observation of As/P exchangereaction and As carryover in InAs/InP quantum wellstructures by surface photoabsorption[会,英]/Hwang,H.& Lee,T.-W.//1998 IEEE International Confer-ence on Optoelectronic and Microelectronic Materials andDevices.—268～271(EC)     

半导体材料

1998年 IEEE 国际绝缘体上硅(SOI)会议于该年的10月5日至8日在佛罗里达州的 Stuart 召开。会议录收录了会上发表的84篇论文,内容主要涉及 SOI材料的研究与开发,SOI 的可靠性和应用,SOI 器件,包括:SOI MOSFET,SOI CMOS,SOI 横向 BJT 等方面。     

半导体材料

Y2002-63302-122 0304932铜酞菁有机器件的复微分电容=Negative differentialcapacitance in copper phthalocyanine organic devices[会,英]/Xu,M.S.& Xu,J.B.//2001 IEEE Hong KongElectron Devices Meeting.—122～125(E)Y2002-63306-109 0304933具有温度敏感带隙的新半导体合金 GaAs_(1-x)Bi_x 中的光跃迁=Optical transitions in new semiconductor alloyGaAs_(1-x)Bi_x with temperature-insensitive band gap[会,英]/Yoshida,J.& Yamamizu,H.//2001 IEEE Inter-national Conference on Indium Phosphide and RelatedMaterials.—109～112(E)     

半导体材料

Y2哩:6?.l抄六弋*应用触友议订并二尸乃。n:,t in‘on silieon甘‘舀.,.、,,..:神经网络一通用机芯片试验二with trigger waves:exPe巧m即协阅CNN.UM山PS1.刀丁七e正卫E]伪献娜Vd.3〔会,英)/Reke二ky,C.&SzatTn州,Intemation目S帅p〕sium on Cireuits and3 of 5.一49一52(HE) 0214973溶胶一凝胶法制备掺氟二氧化硅低介电常数薄膜〔刊)/陈借//真空科学与技术学报一2002,22(1)一10一14(K) 采用溶胶一凝胶法制备了低介电常数siq薄膜和Si0F薄膜,F的掺入明显地降低了siq薄膜的介电常数。研究了F的掺杂量对薄膜介电常数的影响,测量了10…     

半导体材料

Y2000-62422-110 0103560应力控制多孔硅中的水喷注分裂现象=ELTRAN bywater-jet splitting in stress-controlled porous Si[会,英]/Sakaguchi,K.& Yanagita,K.//1999 IEEE Interna-tional SOI Conference Proceedings.—110～111(EC)Y2000-62422-119 0103561ITOX-SIMOX 硅片顶端薄硅层栅极氧化物的完整性=Integrity of the gate oxide on the thin top Si layer in I-TOX-SIMOX wafers[会,英]/Nakashima,S.& Ko-date,J.//1999 IEEE International SOI Conference Pro-ceedings.—119～120(EC)Y2000-62422-121 0103562有图案的绝缘体上硅材料缺陷分析=Defect analysis ofpatterned SOI material[会,英]/Bagchi,S.& Yu,Y.//1999 IEEE International SOI Conference Proceed-ings.—121～122(EC)     

半导体材料

改进功能半导体材料的电学、光学、磁学特性，有利于提高微电子、光电子器件的性能。本文概述了近年来半导体材料的国内外发展状况，提出了半导体材料的发展重点和发展建议。     

半导体材料

Y98-61304-161 9905642碳化硅的加工技术=Processing technologies for SiC[会,英]/Constantinidis,G.//1997 Proceedings of theInternational Semiconductor Conference,Vol.1.—161～170(UV)为能成功地制造出 SiC 功率器件和高温器件,一些加工步骤(比如抛光、热氧化、离子注入、欧姆接触、肖特基接触和图形成型)是关键的。本文评述了接触加工方法和图形成型技术,重点讨论了反应离子腐蚀。该论文为一篇特邀论文。参62     

半导体材料

0101830ispLSI1016器件在扫描数码显示器接口电路中的应用[刊]/王素珍//电视技术.—2000,(9).—84～86(L)介绍了在系统编程芯片 ispLSI1016的工作原理及应用,并利用它设计了扫描数码显示器的接口电路。参50101831ISD2500系列语音芯片的特性及应用[刊]/元洪波//电声技术.—2000,(9).—33～34(L)     

半导体材料

2001777有机碳源制备氢化非晶碳硅膜及其发光性质研究刊]/徐骏//发光学报.—1999,20(增刊).—79～81E)2001778单晶硅中钕掺杂层的光致发光研究[刊]/程国安//发光学报.—1999,20(增刊).—74～76(E)     

半导体材料

Y2000-62068 00053831998年 IEEE 半导体材料和绝缘材料会议录=1998IEEE semiconducting and insulating materials conference[会,英]/IEEE.—IEEE,1999.—346P.(UC)本次会议为其第10届会议。该会议录共收录论文74篇,其内容涉及:晶体生长,半绝缘Ⅲ-Ⅴ化合物半导体,非化学计量Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,Ⅲ-Ⅴ族化     

半导体材料

0015951激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究[刊]/刘传珍//液晶与显示.—2000,15(1).—46～51(B) 0015952超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究[刊]/周之斌//固体电子学研究与进展.—2000,20(2),—229～233(D)0015953软损伤吸杂作用机构的分析[刊]/夏玉山//固体电子学研究与进展.—2000,20(2).—223～228(D)用透射电镜等手段观察了硅片背面原始软损伤及它在工艺热过程中的变化。分析了软损伤吸杂的作用机构:当热氧化时软损伤诱生热氧化层错,当外延生长时软损伤诱生半环形位错,硅片表面电活性区的有害杂质被吸收、沉积在这些诱生缺陷上。参3     

半导体材料

Y2002-63474-65 0327563THz频率的锑化铟旋转电子特性=Gyroelectric proper-ties of Indium antimonide at THz frequencies[会,英]/Tio,L Y & Davis,L.E.//2001 IEEE High Fre-quency Postgraduate Student Colloqmum.—65-70     

半导体材料

Y98-61403-131 9907094利用塞贝克和导热率品质因数对半导体结构化学特征的描述=Structural-chemical characterization of semicon-ductors using the Seeback and thermal conductivity quail-ty factors[会,英]/Tuomi,D.//1997 16th InternationalConference on Thermoelectrics.—131～137(AG)利用电子迁移率——有效电子质量成分μ_0(m~*/m_0)(3/2),塞贝克品质因数 Qs 和经验确定的热传递品质因数 Qk 等来评价合金的质量,有助于对生产改进型优质热电合金的方案的认识和选择。本文主要讨论了如何利用 Qs 和 Qk 和电子迁移率表征半导体的结构化学特性。参15     

半导体材料

电子情报通信学会技术研究报告:有机电子学OME98-138～144(信学技报,Vol.98,No.642)(见0004137)电子情报通信学会技术研究报告:电子显示 EID98-184～190(信学技报,Vol.98,No 641)(见0004136)敏感材料动态检测的知识获取方法(见0004064)电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM98-210～222(信学技报,Vol 98,No.652)(见0003761)     

半导体材料

0608488热挤压AZ91D镁合金的组织与力学性能〔刊,中〕/徐春杰//西安理工大学学报.—2005,21(4).—356-360(L)0608489一种改善晶片几何参数的研磨技术〔刊,中〕/常美茹//中国集成电路.—2005,(12).—54-57,39(G)研究表明,研磨工艺对改善半导体晶片几何参数非常关键。本文提出了一种在研磨工艺中采用多组厚度递减的游星片和晶片翻面的方法,有效地改善了晶片的几何参数。参40608490全球晶圆代工业面临更大的挑战〔刊,中〕/莫大康//中国集成电路.—2005,(12).—14-15(G)0608491硫酸盐还原菌包埋固定化技术处理含铬废水〔刊,中〕/柴立元//中南…     

半导体材料

0319398硅技术发展的极限突破[刊]/易立华//微电子技术.—2003,31(2).—1～3,24(D)介绍了硅技术的发展及现状;主要分析了硅技术发展中遇到的极限挑战及不可突破的方法,预测了21世纪硅技术发展方向。参6     

半导体材料

0210296掺铂WO_3-SiO_2复合薄膜结构表征和气致变色性能研究〔刊〕/徐雪青//电子学报.-2001,29(12).-1726～1728(K)0210297电子束在v伍薄膜中引起的价态、相结构和光学性能的改变〔刊     

半导体材料

0019792In_(0.4) Ga_(0.6)As/GaAs 自组织量子点的光伏谱温度特性[刊]/吴正云//光电子·激光.-2000,11(4).-366～369(C)0019793半导体超晶格研究与相关学科领域发展的关系[刊]/彭英才//固体电子学研究与进展.-2000,20(3).-276～280(D)     

半导体材料

0205855低剂量 SIMOX 圆片线缺陷的针孔的研究[刊]/郑望//功能材料与器件学报.—2001.7(4).—431～433(C)用 Secco 法、Cu-plating 法分别表征了低剂量SIMOX 圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度。结果显示,低剂量 SIMOX 圆片的顶层硅缺陷密度低,但埋层质量稍差。通过注入工艺和退火过程的进一步优化,低剂量 SIMOX 将是一种有前途的 SOI 材料制备工艺。参7     

半导体材料

Y98-61350-320 9904257高度可编程的增益和截止频率多通道数据捕获芯片-A highly programmable gain and cutoff frequency multi-