原子团离子在AlxGa1—xAs基体组分SIMS定量分析中的应用

通过检测原子团离子ＭＣｓ＾＋和ＭＡｓ＾－（Ｍ是基体元素）对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ基体组分进行了定量的分析，考虑了ＭＩＱ＝１５６ＳＩＭＳ上所测迷些原子团离子的能量分主其对分析结果的影响，并对正、负ＳＩＭＳ，测量方法做出比较。     

二次离子质谱分析

一、引言 二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry)是一种用于分析固体材料表面组分和杂质的分析手段。通过一次离子溅射,SIMS可以对样品进行质谱分析、深度剖析或成二次离子像。SIMS具有很高的元素检测灵敏度以及在表面和纵深两个方向上的高空间分辨本领,所以其应用范围也相当广泛,涉及化学、生物学和物理学等基础研究领域及微电子、催化、新材     

功能化离子液体在锂二次离子电池中的应用

离子液体由于具有热稳定性好、电导率高、质材料在不同电池体系中的应用成为当前研究的热点。面的阐述,并对其应用前景进行了展望。电化学窗口宽、不挥发、不燃烧等特点,其作为新一代功能化电解本文对功能化的离子液体在电池体系中的最新研究进展作了较为全     

硅材料中锑杂质含量的二次离子质谱检测方法

针对二次离子质谱法测硅材料中锑杂质存在质量数干扰、实验结果不准确的问题,该文对排查干扰离子并消除干扰的方法进行研究。通过对相关样品进行二次离子质谱定量分析、深度剖析和全元素扫描分析,探究硅材料中锑杂质准确定量的最优检测方法。最终结果表明二次离子质谱法对硅中锑杂质浓度的检测限可低至1×1013atoms/cm3,相对标准偏差(RSD,n=10)为10.0%。研究结果对分析二次离子质谱检测中普遍存在的质量数干扰现象有参考价值,排查干扰离子的方法有广泛的适用性。     

二次离子质谱学的新进展

简要回顾了二次离子质谱学的形成和发展,从原始概念出发概括分析了学科的特点,据此评述了其领域的拓宽和现状。结合近5年来国内外的最新进展,以微电子学和光电子学为重点,兼顾生物和医学、地质和天体学科、纳米科技和环境监测等领域,讨论了其前沿在世纪之交对SIMS提出的挑战,介绍了定量分析和仪器的发展现状。有重点地结合一些实例,包括我国的一些实例展开了讨论。     

新竹清华大学二次离子质谱技术的研发和应用

新竹清华大学位于台北市南方７０公里处，紧邻台湾矽半导体工业集中地之新竹科学工业园区。１９９１年新竹清华大学购入一台Ｃａｍｅｃａ ＩＭＳ－４ｆ二次离子质谱仪，为台湾地区第一部开放供学术研究和工业服务用之二次离子质谱仪。本论文报道如何建立二次离子质谱分析技术以符合各种不同的需求，包括人员训练、标准品制备、研发分析方法和仪器维修。应用二次离子质谱分析技术于基础和应用研究，强调群队合作推广二次离子质谱分析     

二次离子质谱仪离子枪溅射速率的能量依赖关系

本文给出了ＭＩＱ－１５６型ＳＩＭＳ仪器中离子枪溅射速率和一次束能量及扫描档次的数学表达式，并且通过实验测量加以证实；同时还得到了一次束直径和束流强度的线性关系，为ＳＩＭＳ实验参数选择提供了有力依据。     

TOF-SIMS二次离子光学系统仿真研究

为实现飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)对二次离子束的提取并提高仪器的调试效率,采用离子光学仿真软件SIMION 8.0对TOF-SIMS二次离子光学系统进行仿真。以稳定同位素铜离子为对象,通过仿真,研究二次离子光学系统中二次离子提取系统透镜电极电压的调整对质量分辨率的影响,确定最佳透镜电极电压组合,并得到稳定同位素铜离子的仿真谱图。仿真研究表明:当初级提取电极电压为800 V、单透镜有效电极电压为-4 400 V时,质量分辨率最高。在TOF-SIMS实验平台上对铜样品靶进行实验测试,实验与仿真结果相吻合,表明设计的二次离子光学系统可用于TOF-SIMS仪器的二次离子束提取,为实验参数的选择提供参考,从而提高仪器调试效率。     

砷化镓的二次离子质谱定量分析方法

化合物半导体由于其复杂的基体效应,给表面定量分析带来了很大困难。如何提高分析精度,对痕量元素作出定量分析,是定量分析的一个难点。近年来,随着半导体集成电路工业的发展和表面分析技术的进一步提高,出现了一些适用于砷化镓及其它半导体材料二次离子质谱定量分析的新方法。这里简要介绍了它们的特点、分析计算步骤和分析精度。根据不同情况,有选择地运用这些方法,可对砷化镓材料的背景杂质浓度及掺杂元素分布进行定量分析,可获得较好的精度,从而实现对材料制备和器件制作等工艺过程的监控。     

二次离子质谱在HL—1M聚变装置中的应用

将ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪改成研究第一壁材料及其涂层，新材料性能的重要实验设备。在ＨＬ－１Ｍ装置设计，安装和物理实验过程中，我们用该设备对ＨＬ－１Ｍ装置真空室用ＡＩＳＩ３０４Ｌ不锈钢，第一壁用ＳＭＦ－８００石墨材料及ＨＬ－１Ｍ装置原位硼化，硅化涂层和ＳｉＣ等涂层材料的真空热解释性能，吸氧性能和化学溅射性能以进行了实验研究，并对装置主轴气扁管内壁的清洁度进行了监测。实验证明了原位硼化，硅化和锂     

二次离子发射的LTE模型及其在GaAs样品中的应用

介绍了二次离子发射的局部热平衡（LTE）模型的发展过程及其在GaAs样品SIMS定量分析中的应用，并尝试了用GaAs基体元素作内标的定量分析方法，取得了较好的结果。     

Ti—AlN是面组分分布的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发方法在２００℃的抛光ＡｌＮ陶瓷衬底上淀积厚度为２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱对样品进行了深度剖析，给出了Ｔｉ／ＡｌＮ界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了铝化物及其他反应产物。结合卢瑟福背散射谱，Ｘ射线衍射分析和Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ三元相图推断，铝化物是Ｔｉ－Ａｌ二元和Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ三元化合物。     

新一代高性能二次离子质谱在地球和空间科学中应用…

自８０年代以来，国际上相继出现的ＳＨＲＩＭＲ，ＩＳＯＬＡＢ１２０及ＩＭＳ１２７０为代表的瓣一代高性能二次离子质谱，它们同时具有高灵敏度和高分辨率的优异性能，从而对地球和空间科学发展产生了重大影响。并将概述在地质年代学，宇宙年代学，同位素地球化学以及环境科学中微区分析已取得的进展及展望在下一世纪的发展。     

注氧条件下GaAs中Ga~ 二次离子发射的研究

在有与没有Ar 同时轰击的条件下，研究了GaAs中Ga 2次离子发射的氧效应。对吸附在表面上的氧以及反弹注入到表面内的氧引起的Ga 二次离子产额增强效应进行了实验研究，同时测量了氧分压强对Ga 二次离子能量分布的影响。实验结果表明：注氧后Ga 二次离子能量分布变窄且最可见能量向低能端移动2～3eV，说明氧对低能Ga 二次离子的增强作用更强，这可以用断键模型来解释。     

二次离子质谱的深度分辨本领

深度剖析是二次离子质谱在半导体以及各种其它薄膜材料分析中最重要的应用，深度分辨本领是表征其分析能力的重要参数，国际标准化组织（ＩＳＯ）最近 在研究和制定这方面的国际标准。本文在概述了ＳＬＭＳ深度分辨本领影响因素的基础上，推导了δ掺杂层深度分辨函数的解析表达式，讨论了其物理意义，特别是分辨参数的定义。在ＣＡＭＥＣＡ ＩＭＳ ４ｆ仪器上用５．５ｋｅＶ的氧束对Ｓｉ中ＧａＡｓδ掺杂多层膜样品进行了深度剖析，讨论了所得分辨参数及影响因素。结合国外实验室ＩＳＯ巡回测试的结果，对深度分辨参数的定义和评估方法进行了简要评述。     

二次离子质谱仪离子枪溅射速率的能量依赖关系

本文绘出了MIQ－56型SIMS仪器中离子枪溅射速率和一次束能量及扫描档次的数学表达式，并且通过实验测量加以证实；同时还得到了一次束直径和束流强度的线性关系，为SIMS实验参数选择提供了有力依据。     

Ti-AlN界面组分分布的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发方法在200℃的抛光AlN陶瓷衬底上淀积厚度为22nm的Ti膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱（SIMS）对样品进行了深度剖析，给出了Ti／AlN界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了铝化物及其他反应产物。结合卢瑟福背散射谱（RBS），X射线衍射分析（XRD）和Ti-Al－N三元相图推断，铝化物是Ti-Al二元和Ti-Al-N三元化合物。经850℃退火4h后其主要由Ti2AlN组成。