三维FDTD方法对十字形红外带通滤波器的模拟

通过Z变换技术联合Lorentz—Drude模型发展了三维时域有限差分（FDTD）算法，计算了在金膜上开十字叉结构的红外带通滤波器的频谱响应，为了生成不同的结构，使用Matalab环境的图形用户界面，用Fortran语言编写并运行了生成结构的模拟编码，模拟结果表明，随着十字叉的中心展宽，透过率将提高，在1．2μm时透过率接近80％，     

基于ispPAC10实现状态变量有源滤波器

利用在系统可编程模拟器件(ispPACl0)构成状态变量有源滤波器的方法，对iapPAC10实现的二阶低通、二阶高通、二阶带通滤波器进行性能仿真，证明该滤波器具有性能稳定，参数调整方便，灵敏度低等优点．     

基于ispPAC10实现状态变量有源滤波器

利用在系统可编程模拟器件(ispPAC10)构成状态变量有源滤波器的方法,对ispPAC10实现的二阶低通、二阶高通、二阶带通滤波器进行性能仿真,证明该滤波器具有性能稳定,参数调整方便,灵敏度低等优点.     

改进遗传算法径向基函数的FIR数字滤波器研究

本文针对径向基函数(RBF)网络在实际应用中几种学习算法存在的缺陷和局限性,提出了利用改进遗传算法的径向基函数网络来设计FIR数字滤波器的方法,提高了全局寻优效率.为了证明这种新型混合遗传算法的有效性,本文用该算法设计了低通、高通FIR数字滤波器.采用Matlab进行仿真并给出了相应的仿真结果以验证其有效性.仿真结果表明:同其他现有的优化设计方法相比,本文研究的这种新算法可以很好地逼近理想滤波器,在通阻带内有更小的纹波,达到比较好的优化设计效果.     

自适应陷波器滤波X－LMS算法稳定性分析

提出主动噪声控制系统稳定性分析的一种新方法．控制器采用自适应陷波器滤波Ｘ—ＬＭＳ算法，为改善系统的稳定鲁棒性和加速算法的收敛，利用声学通道的相位特性设计了补偿滤波器．通过建立状态空间模型对系统进行性能分析，经过旋转变换，将时变系统转化为等价的线性时不变系统，从而可以便利地利用控制理论进行稳定性分析     

强跟踪滤波器在PID控制器中的应用

该文介绍了强跟踪滤波器理论及其算法,建立伺服系统中直流电动机模型,采用强跟踪滤波器来克服伺服系统中的测量噪声和控制噪声对控制性能的影响,并在MATLAB环境下进行对比仿真试验,验证了强跟踪滤波器对噪声的有效抑制作用。     

神经网络设计二维带通三型FIR滤波器

为了改善传统方法设计的二维带通三型有限脉冲响应(FIR)滤波器的幅频响应性能，提出了复合正
弦基神经网络算法.以理想滤波器的幅度响应作为学习样本，通过复合正弦基神经网络训练，使得实际滤
波器的幅度响应逼近理想滤波器的幅度响应，再由神经网络的权值得到滤波器的脉冲响应.给出了复合余
弦基神经网络模型，建立了滤波器幅频响应与该神经网络的关系，同时指出了学习率对神经网络收敛性的
影响,推导并证明了使该算法收敛的收敛定理. 仿真结果表明，由该算法设计的二维带通三型FIR滤波器性
能接近于理想滤波器,并且克服了传统神经网络的主要缺陷，收敛速度快.     

一种结合特征参数的数据关联融合算法

将特征参数测量值引入概率数据关联（ＰＤＡ）及滤波算法中,提出一种计算互联概率的象素级融合算法。本算法采用的是双滤波器结构,二者使用共同的互联概率。并通过仿真验证了本算法对某些模型性能良好。     

GPS/INS动态卡尔曼滤波优化算法

GPS/INS组合导航系统动态定位数据的随机误差消除的重要方法是卡尔曼滤波,但运用扩展卡尔曼滤波器进行动态定位滤波时,需要对系统模型和观测模型以及误差模型进行准确建模,特别是载体状态机动时滤波器跟踪能力不强。提出一种GPS/INS组合导航动态卡尔曼滤波的优化算法,引入遗忘因子限制卡尔曼滤波器的记忆长度,充分利用现时的测量数据,改善滤波器的动态性能,并进行计算机仿真实验。仿真结果表明,遗忘因子增加,滤波器的跟踪能力增强,使滤波器达最佳性能。该优化算法比普通的扩展卡尔曼滤波算法的动态跟踪性能好,从而可显著提高导航系统定位精度。     

基于半波长槽线的宽带带通滤波器设计

提出了一种基于半波长槽线的宽带带通滤波器的设计方案。首先给出该种滤波器的物理结构和对应的等效传输线模型;其次依据电路模型进行理论分析,从预先确定的电路响应特性推导出带通滤波器的电参数;最后通过建立电磁仿真和电路板制作验证方案的可行性。采用以上方法设计了一个中心频率为3GHz、频带宽为100%的宽带带通滤波器。传输线模型、电磁仿真与实物测量结果表明:该方案准确快速,可显著缩短滤波器的设计周期,并实现滤波器的宽带宽和低插入损耗特性。     

Infrared thermochromic properties of VO2 thin films prepared through aqueous sol-gel process

The stoichiometric vanadium(IV) oxide thin films were obtained by controlling the temperature, time and pressure of annealing. The thermochromic phase transition and the IR thermochromic property of 400 nm and 900 nm VO2 thin films in the 7.5 μm-14 μm region were discussed. The derived VO2 thin film samples were characterized by Raman, XRD, XPS, AFM, SEM, and DSC. The resistance and infrared emissivity of VO2 thin films under different temperature were measured, and the thermal images of films were obtained using infrared imager. The results show that the VO2 thin film annealed at 550 ℃ for 10 hours through aqueous sol-gel process is pure and uniform. The 900 nm VO2 thin film exhibits better IR thermochromic property than the 400 nm VO2 thin film. The resistance of 900 nm VO2 film can change by 4 orders of magnitude and the emissivity can change by 0.6 during the phase transition, suggesting the outstanding IR thermochromic property. The derived VO2 thin film can control its infrared radiation intensity and lower its apparent temperature actively when the real temperature increases, which may be applied in the field of energy saving, thermal control and camouflage.     

Thickness Dependence of Structural and Optical Properties of Chromium Thin Films as an Infrared Reflector for Solar-thermal Conversion Applications

The thermal emittance of Cr film, as an IR reflector, was investigated for the use in SSAC. The Cr thin films with different thicknesses were deposited on silicon wafers, optical quartz and stainless steel substrates by cathodic arc ion plating technology as a metallic IR reflector layer in SSAC. The thickness of Cr thin films was optimized to achieve the minimum thermal emittance. The effects of structural, microstructural, optical, surface and cross-sectional morphological properties of Cr thin films were investigated on the emittance. An optimal thickness about 450 nm of the Cr thin film for the lowest total thermal emittance of 0.05 was obtained. The experimental results suggested that the Cr metallic thin film with optimal thickness could be used as an effective infrared reflector for the development of SSAC structure.     

Physical properties of Al-doped ZnO and Ga-doped ZnO thin films prepared by direct current sputtering at room temperature

Al-doped zinc oxide(AZO) and Ga-doped zinc oxide(GZO) thin films with the same doping concentration(3.6 at%) were deposited on glass substrates at room temperature by direct current(DC) magnetron sputtering.Consequently,we comparatively studied the doped thin films on the basis of their structural,morphological,electrical,and optical properties for optoelectronic applications.Both thin films exhibited excellent optical properties with more than 85%transmission in the visible range.The GZO thin film had better crystallinity and smoother surface morphology than the AZO thin film.The conductivity of the GZO thin film was improved compared to that of the AZO thin film:the resistivity decreased from 1.01×10~(-3) to 3.5×10~(-4) Ω cm,which was mostly due to the increase of the carrier concentration from 6.5×10~(20) to 1.46×10~(21)cm~(-3).These results revealed that the GZO thin film had higher quality than the AZO thin film with the same doping concentration for optoelectronic applications.     

射频磁控溅射制备的CdSe薄膜的光电学性质

采用射频磁控溅射技术在不同溅射功率下制备了CdSe薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能量色散X射线光谱仪(EDAX)、紫外可见近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计和霍尔效应测试仪研究了溅射功率对薄膜的结构和光电学性质的影响.研究表明：增加溅射功率有利于增强薄膜的结晶性能;随着溅射功率的增加,薄膜的光学带隙和电阻率逐渐减小,载流子浓度逐渐增加,即薄膜的光电性能不断增强.该研究结果可为CdSe薄膜在光电器件方面的应用提供参考.     

导电聚苯胺/聚甲基丙烯酸甲酯复合膜的合成及特征

采用原位氧化聚合法合成了聚苯胺(PAn)／聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料．通过溶液浇铸的方法制成了性能优良的可溶性导电自支撑膜，电导率达10^-2S／cm；考察了各种反应条件对复合膜电导率的影响，获得了最佳的聚合反应条件，并进行了环境稳定性测试，其循环伏安曲线表明聚苯胺具有稳定的电化学活性，元素分析结果表明复合的聚苯胺存在一饱和值，超过饱和值，提高聚苯胺的含量对电导率影响不大，并对复合膜进行了红外光谱测试．     

纳米VO2薄膜相变特性的红外透射表征研究

采用双离子束溅射VOx薄膜附加热处理的方式制备纳米VO2薄膜,利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分别对其结晶结构和表面形貌进行了测试,利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对热驱动下纳米VO2薄膜相变过程中的光学性能进行测试与分析。实验结果表明,经400℃N2热处理后,获得了由纳米颗粒组成的VO2薄膜;在所测试的红外波段,纳米VO2薄膜内颗粒发生相变的初始温度随波长的增加而升高,薄膜的相变温度点随波长增加也逐渐升高。 更多还原     

热退火对氧化镓薄膜性质的影响

采用真空蒸发技术在蓝宝石衬底上制备了氧化镓透明半导体薄膜;研究了热退火对氧化镓薄膜结构、电学和光学等特性的影响.在退火前,氧化镓薄膜是一种无定型的、高阻薄膜.经过退火后转变成多晶薄膜,但薄膜的电学特性变化较小.随着退火温度的升高,氧化镓薄膜逐渐形成了(401)择优取向,薄膜的光学带隙也随之变大,在750℃退火时得到了最大的光学带隙为4.79eV.     

基于镜像阈值分解的层叠滤波器优化

层叠滤波器的优化设计是层叠滤波理论研究中最为关键的问题.阈值分解是层叠滤波器的特性之一,它有传统阈值分解和镜像阈值分解2种形式,镜像阈值分解定义的层叠滤波器不仅具有低通滤波的特性,还具有带通和高通的特性.文中在MAE准则下,提出一种基于镜像阈值分解的快速自适应层叠滤波器优化算法,该算法在迭代过程中约束代价向量的层叠性并判断其收敛性,最终获得最优层叠滤波器的正布尔函数.通过仿真实验验证最优层叠滤波器的性能.结果表明该算法设计的层叠滤波器具有良好的细节保持能力和去噪声能力,有效地改善了滤波性能.     

快速循环热处理对(Co0.35Fe0.65)99O1薄膜磁性能的影响

针对(Co0.35Fe0.65)99O1薄膜,研究了两种不同热处理工艺对其磁性能的影响。结果表明:快速循环热处理可以改善高磁矩(Co0.35Fe0.65)99O1薄膜磁性能,在450℃几个快速循环热处理后,沉积薄膜的矫顽力从105下降到3 Oe,电阻率下降到70%,a-Fe (Co)相晶粒尺寸可以减小到15~35 nm,该处理方法较以往的热处理更能改善软磁薄膜的性能。     

常压CVD淀积非晶硅薄膜的研究

本文应用常压CVD法制备出了α-Si薄膜,它是非晶硅太阳能电池的良好材料。采用X射线衍射、扫描电镜、红外透射谱和X射线光电子能谱对α-Si薄膜的结构和性能进行了研究,并给出了α-Si薄膜的淀积理论模型。