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微电子封装中等离子体清洗及其应用 总被引:2,自引:0,他引:2
随着微电子工艺的发展,湿法清洗越来越局限,而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染,同时生产率也大大提高,等离子体清洗在干法清洗中优势明显,本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用。 相似文献
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介绍了清洗过程所包含的清洗媒体、污垢、清洗力等基本要素,并在此基础上说明了清洗技术在微电子领域的应用。 相似文献
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在由得州仪器公司、美国国防部远景规划局和美国空军联合资助的微电子制造科学与技术(MMST)计划中,硅片清洗的目标是开发旨在完全取代湿法清洗工艺的单片、全干法或汽相清洗工艺。氢氟酸(HF)汽相清洗和等离子体处理在去除氧化物、氮化物和金属刻蚀后的残余物方面取得了成功。但是,有效的干法工艺并不能取代炉前清洗所用的工业标准(RCA)清洗和水冲洗。全干法工艺可能都还要花5到10年才能成熟。以后几年,将开始采 相似文献
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《电子技术与软件工程》2016,(22)
近些年来,伴随着我国芯片集成水平的高度提升,其对光刻技术的要求也不断提高,在二十世纪末,科学界一致坚信光刻技术的的最低分辨率是0.5,但是伴随着扫描技术、分辨率增强技术水平的提升与抗蚀剂等技术的应用,当下光刻技术分辨率已经降低至0.1,甚至能够低于0.1,虽然还是存在较多人对光刻技术的发展前景并不看好,但是其依旧凭借着不断钻研的精神,屡屡打破确定的分辨率极限,因此,本文主要针对当下光刻技术在微电子设备的实际应用与相关的发展前景进行深入的分析,希望能为我国光刻技术水平的提升具有一定的帮助。 相似文献
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梁鸿卿 《现代表面贴装资讯》2005,4(5):53-56
等离子清洗在当今组装工艺中是不可欠缺的技术。本文介绍清洗技术在组装工艺中的作用和具有两种等离子方式的SPC——100的系统及有效性,同时根据其应用的广泛性而选择介绍应用例。 相似文献
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童志义 《电子工业专用设备》2005,34(7):15-17,55
由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗技术。指出了单片式清洗技术的应用前景及干法清洗与湿法清洗技术共存的可能性。 相似文献
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介绍了在线等离子清洗的原理及其在微电子封装工艺中的应用,通过键合工艺后的剪切推球实验,分析在线等离子清洗对引线键合球焊点质量和完整性的影响。实验结果表明,清洗后可以有效去除键合区存在的各种污染物,提高键合强度。相对批量式等离子清洗,在线等离子清洗具有效率高、节省劳动力和安全可靠等优点,是保证微电子封装可靠性的一种有效手段。 相似文献
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张士伟 《电子工业专用设备》2014,43(7):18-21
介绍了半导体圆片存在的各种污染杂质的类型和去除方法,并概要总结了半导体圆片的清洗技术,对半导体圆片的湿法和干法清洗特点和去除效果进行了比较分析。 相似文献
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等离子体清洗及其在电子封装中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
等离子体工艺是干法清洗应用中的重要部分,随着微电子技术的发展,等离子体清洗的优势越来越明显。文章介绍了等离子体清洗的特点和应用,讨论了它的清洗原理和优化设计方法。最后分析了等离子体清洗工艺的关键技术及解决方法。 相似文献
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两种不同工艺清洗的显像管电子枪电极用 XPS、SEM 和 AES 进行了分析研究,发现用国内工艺清洗的电极表面大多程度不同的存在污染斑痕。污染物的主要成份是 Na、Cl、S、CaO、MgO 和 Al_2O_3,很可能是未彻底清洗掉的研磨剂残留物。分析表明,表面分析技术在显像管研制与生产中有可能发挥重要作用。 相似文献