钾原子的三种电离机制

自激光出现以来,用激光激发原子和分子,进而使之电离成了研究原子和分子结构及其相互作用过程的重要方法和工具．本文用染料激光激发钾蒸汽,观察钾原子的电离谱,发现了钾原子的三种电离机制：４Ｓ—６Ｓ双光子共振三光子电离、４Ｓ—４Ｄ双光子共振三光子电离和能量积聚诱导的电离． 当激光波长为 ７２８．４ ｎｍ时,钾原子通过第一种过程实现电离．实验测出：随着温度的增加,电离信号逐渐增强,当温度上升到３４０℃ 时,电离谱出现最强值;然后随着温度升高,电离信号逐渐变弱．在温度小于３４０℃ 时,由于温度越高,钾蒸汽中钾原…     

三步锂原子激光共振电离计算

用Ｎｄ：ＹＡＧ及其泵浦的染料激光进行锂原子三步共振电离，求解非饱和共振过程的速率方程，计算基态和激发态的共振吸收截面，给出了电离效率分别与激发，电离速率以及作用时间的变化关系，得出饱和激发电离的流量条件和通量条件等，并进行了讨论。     

钙原子激光共振电离研究

用Nd：YAG激光及其泵浦的染料激光进行钙原子三步共振电离。求解了非饱和共振过程速率方程，计算出基态和激发态吸收截面，给出电离效率分别与激发电离速率以及作用时间的变化关系，得到饱和激发电离的流量条件和通量条件。     

碘化钠分子的光离解及其生成物钠原子的共振电离研究

利用脉冲激光与分子的相互作用，用波长３３０ｎｍ激光脉冲对ＮａＩ分子进行了光离解；同时对光离解后的产物之一Ｎａ原子实行了共振电离。通过对Ｎａ＋离子飞行时间质谱（ＴＯＦＭＳ）结果的分析，讨论了Ｎａ＋离子质谱的特点，并对过程中存在的多光子电离（ＭＰＩ）进行了讨论。     

铊原子激光共振电离研究

用 N d:YAG激光及其泵浦的染料激光进行铊原子三步共振电离。求解了非饱和共振过程速率方程 ,计算出基态和激发态吸收截面 ,给出电离效率分别与激发电离速率以及作用时间的变化关系 ,得到饱和激发电离的流量条件和通量条件。     

铯原子激光共振电离

用Ｎｄ：ＹＡＧ及其泵浦的染料激光进行铯原子三步共振电离。求解了非饱和共振过程速率方程，计算出基态和激发态共振吸收截面，给出电离效率分别与激发电离速率以及作用时间的变化关系，得到饱和激发电离的流量条件和通量条件。     

锡原子激光共振电离

就Ｎｄ：ＹＡＧ泵浦的染料激光进行锡原子三步共振电离，求解非饱和共振过程速率方程。计算共振吸收截面，给出电离效率分别与激发速率、电离速率以及作用时间的关系，得出饱和激发电离的流量条件和通量条件。并进行了讨论。     

锰原子激光共振电离

用Ｎｄ：ＹＡＧ泵浦的染料激光进行锰原子三步共振电离。求解了非饱和共振过程速率方程，计算出基态和激发态吸收截面，给出电离效率分别与激发电离速率以及作用时间的变化关系，得到饱和激发电离的流量条件和通量条件，并进行分析讨论。     

钾原子的能量积聚诱导电离和双光子共振三光子电离

用染料激光激发钾蒸气 ,发现了钾原子的两种电离机制和三个电离通道 :能量积聚诱导的电离 ,4S 6S和4S 4D双光子共振三光子电离。对前两个电离通道 ,分别研究了电离谱与钾蒸气温度和激光强度的关系 ,发现了钾原子的辐射囚禁效应和钾原子电离的非线性现象 ,并给出了定性解释     

电离检测的铯原子滤光器

报道了一种新型电离检测的原子滤光器.它是在封装的电子倍增器中配上一阴极电场极板,并充入适量铯金属制作而成.初步实验测得:最小可探测光强为10nJ,脉冲响应宽度小于50ns.     

用共振多光子电离法研究Gd原子的高激发态

以Gd原子999cm~(-1)亚稳态为初始能级,用共振多光子电离(RMPI)方法研究了Gd原子在34463～35628cm~(-1)范围内的高激发态。实验共测得19个高激发能级。     

扫频场作用下原子多步级联共振光电离

通过对薛定谔方程的数值解,给出了扫频脉冲光场对四能级原子系统作用的结果,说明了扫频脉冲光场应用于高斯分布的多普勒加宽原子统计系统,在适当的扫频条件和激光功率下能得到比单色或调幅脉冲光场更有效的三步光电离。     

Si(CH3)4的MPD与Si原子的双光子共振三光子电离

在４１０￣４０４ｎｍ的紫激光作业下,利用平行板电极装置研究了Ｓｉ（ＣＨ３）４的多光子解离（ＭＰＤ）及Ｓｉ原子的的双光子共振三光子电离。观察到了Ｓｉ（ＣＨ３）４分子经ＭＰＤ产生的、处于３＾３ＰＪ＾〃（Ｊ＾〃＝０,１,２）态的硅原子,依据４＾３ＰＪ＾〃←３＾３ＰＪ＾〃（Ｊ＾′、Ｊ〃＝０,１,２）跃迁谱线的强度,得到了Ｓｉ（ＣＨ３）４经ＭＰＤ产生的、处于３＾３ＰＪ＾〃（Ｊ＾〃＝０,１,２）态的硅原子的密     

碱金属碘化物分子的光离解及碱金属原子的共振电离研究

利用脉冲激光束与分子的相互作用,对KI和GsI分子进行了光离解。同时，用另一束可调谐激光对离解后产生的中性碱金属原子K和Cs进行共振激发，然后把处在激发态的碱金属原子进行光电离。获得了碱金属离子的飞行时间质谱。另外，对光离解及光电离过程中可能存在多光子电离（MPI）过程进行了讨论和分析。     

对氯苯酚的共振增强多光子电离研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上实验研究了气相对氯苯酚分子的共振增强多光子电离飞行时间质谱(REMPI-TOFMS),获得了在275～285 nm激发波段的母体离子和主要碎片离子(C6H5O ,C5H5Cl C6H5 ,C5H 5,C4H 3,C3H 3)的(I I)REMPI激发光谱.通过质谱光谱分析,结合分子在中间激发态的能级和结构特征,对主要碎片离子的形成机理进行了研究.结果显示:各个碎片离子与对氯苯酚的母体离子具有相似的光激发谱,并且各个谱峰与S,1态的振动能级是一一对应的.说明各个碎片离子和母体离子的产生经历了相同的共振中间态.分子先吸收一个光子到达中间共振态,然后再吸收一个光子到达电离态电离.根据碎片离子光强指数的阶梯形分布和分子在S,1态的结构特点.判断各个碎片离子经历了母体离子的阶梯式离解,并给出了主要碎片离子的离解通道.     

基于多光子电离的氨/醇混合团簇的飞行时间质谱研究

用多光子电离技术结合飞行时间质谱仪对氨/醇混合团簇进行了研究。在脉冲激光波长为355nm条件下观测到团簇离子。主要的电离产物为质子化的（ROH）n（NH3）mH＋（n=1~6,m=0~4）混合团簇离子,且各个序列的离子强度随m的增大而减小。经分析,氨与醇混合团簇电离后团簇离子发生内部质子化转移反应是形成质子化团簇离子的主要原因。比较分析质谱图可知,当团簇离子比较小的时候二元团簇解离以失去醇类分子为主,随着团簇离子的增大,解离由失去醇分子为主逐渐变为失去氨分子为主。     

Study of avalanche breakdown and impact ionization in 4H silicon carbide

Epitaxial p-n diodes in 4H SiC are fabricated with uniform avalanche multiplication and breakdown. Photomultiplication measurements were performed to determine electron and hole ionization rates. Theoretical values of critical fields and breakdown voltages in 4H SiC are calculated using the ionization rates obtained. We discuss ionization mechanisms in 4H SiC and make a comparison between silicon carbide and gallium nitride.     

Cs原子磁力仪共振谱线宽度的研究

介绍了Cs原子无自旋交换弛豫磁力仪(Cs-SERFM)的工作原理;分析了Cs泡温度105℃条件下,缓冲气体He的压强对Cs原子横向弛豫及线宽的影响,给出了惰性气体He的最佳压强为350×133.3 Pa;讨论了共振谱线的宽度与温度之间的关系,在105℃时Cs-SERFM谱线宽度仅为3.7 Hz。     

266nm激光下硝基苯的多光子电离解离研究

在266nm波长激光下,通过激光质谱仪获得气相硝基苯的共振增强多光子电离/飞行时间质谱（REMPI-TOFMS）。根据质谱图中出现的主要离子峰信息,对硝基苯的光解离过程进行了分析。硝基苯与266nm激光的作用过程为三光子过程,其首先吸收两个光子跃迁至激发态,一部分处于激发态的分子,因内转换导致结构重排,生成分子异构体。处于激发态的硝基苯分子或分子异构体共振吸收一光子后发生解离,并给出其可能的解离通道。