硒镓银倍频器的输出特性

我们用坩埚下降法生长出φ２０×６０ｍｍ的硒镓银（ＡｇＧａＳｅ２）单晶。在１１ｍｍ长的ＡｇＧａＳｅ２倍频器中获得了ＴＥＡＣＯ２激光的倍频输出，在１５．１６ｍＪ泵浦光下５．３μｍ倍频光单脉冲输出能量为４０２μＪ，其内部能量转换效率为２．６６％，外部匹配角宽度约为４°。     

可调谐TEACO_2激光在AgGaSe_2中的倍频

在一台小型TEACO2激光器上采用光栅调谐的方法获得了从9．23～10．64μm范围的多谱线输出，其中7条最强的谱线用非线性光学晶体AgGaSe2实现了二次谐波转换。在基波聚焦情况下，用一片优质的14mm长的晶体，获得了R（14）跃迁10．288μm的26％倍颇能量转换效率。     

非临界相位匹配LiNbO3倍频器的实用温控系统

本文报导了一种非临界相位匹配LiNbO3倍频器的实用控温系统,其特点是造价低廉和温度稳定度高。将其应用于Nd3+1YAG倍频激光器中,实现了持续稳定运转,随机脉冲能量表明,输出能量涨落小于3％。     

微波PIN二极管倍频器研究

用理想的开关模型对反向并联PIN二极管对的输出频谱和倍频损耗进行分析,与混频二极管倍频器和变容二极管倍频器进行了比较,分析了PIN二极管的倍频机理。对微波PIN二极管倍频器进行了实验研究,得出了有益的结论。研制的S波段和C波段五倍频器倍频损耗分别达到15.4 dB和10.6 dB,而S波段的倍频源相位噪声达到—136 dBc/Hz@10 kHz,具有低噪声性能。     

硒镓银倍频器的输出特性

我们用坩埚下降法生长出φ２０×６０ｍｍ的硒镓银单晶，在１１ｍｍ长的ＡｇＧａＳｅ２倍频器中获得了ＴＥＡＣＯ２激光的倍频输出，在１５．１６ｍＪ泵浦光下５．３μｍ倍频光单脉冲输出能量为４０２μＪ，其内部能量转换效率为２．６６％，外部匹配角宽度约为４°。     

新的非线性红外材料

关于非线性红外材料的研究与开发终于有了成果.人们获得了更多的红外辐射源(其波长可从中波红外一直到10μm以上的长波红外)并且开拓了新的应用.     

基于ADS仿真的X波段二倍频器设计

利用GaAsFET的非线性特性设计了一个X波段二倍频器,输入频率为6.1～6.3 GHz,输出频率为12.2～12.6 GHz,带宽400 MHz。在理论计算的基础上,结合微波仿真软件ADS对输入匹配电路、输出匹配电路和平行耦合带通滤波器进行了优化设计,最后通过S参数及谐波平衡仿真得到倍频器的各项性能参数。仿真结果表明,该设计完全满足性能指标要求。     

一种非常简单的晶体管参量倍频器

介绍和分析了一种电路非常简单的晶体管参量二倍频/三倍频器并从实验上对其进行了测量.理论分析的结果与实验结果一致.这种有效的倍频放大器已经成功地用于CTS(无绳电话)主机发射通道之中.     

介质滤波高次倍频器设计

本文阐述了应用A_■介质谐振器作为输出滤波器的4GHz高次倍频器的设计和试验数据。采用介质谐振器滤波的高次倍频器稳定可靠,在温度变化-30～+55℃之间,功率变化小于2dB。可做为一种高稳定、高效率、低相位噪声微波信号源。在雷达和通信频率源中有着广泛应用。如果输出加上功率放大器,功率可达到+10dBm。     

X波段微带低相噪三倍频器的设计

介绍了SRD(阶跃恢复二极管)三倍频器的具体设计方法,据此设计研制了一种微带结构的由S波段倍频到X波段的三倍频器,给出了该电路的印制电路图和性能指标。该倍频器具有频带宽、效率高、结构简单的特点,在宽温范围内能够稳定工作,测试结果表明倍频后的相位噪声恶化接近理论值。     

一种2.4GHz的CMOS注入锁频倍频器

介绍了一种用于频率综合器的2.4GHz CMOS注入锁频倍频器的设计和实现．从理论上重点分析了模拟倍频器的锁频范围和相位噪声特性．当电源电压为3.3V,输入信号为400mV时,电路输出幅度为1.04V,功耗为4.95mW,未经电容阵列补偿时倍频器的锁频范围达到113.7MHz．电路应用在单片集成的蓝牙发接器中,通过频率测试验证了电路功能的正确性．     

一种毫米波超宽带平面倍频器的设计

介绍了一种小型毫米波超宽带平面倍频器。其频带带宽达到三个倍频程,最高工作频率超过42GHz,倍频损耗为10dB±2．2dB,信号抑制不小于10dBc,输入功率动态范围为8dBm～20dBm,具有宽频带、高效率和大动态等特点,可以广泛应用在小型化毫米波平面电路中。     

一种超宽带毫米波倍频器设计

叙述了一种超宽带毫米波倍频器的设计,该倍频器由有源差分balun级、对管倍频级和分布式功率放大级三个部分组成。在30—50GHz输出频率范围内,倍频器具有5dB的变频增益,输出功率大于13dBm,基波抑制大于15dB。     

Q频段变容二极管二倍频器设计

采用商用变容二极管MA46H146设计了一款Q频段串联单管二倍频器。通过拟合该变容二极管的电容-电压曲线以补充该二极管技术资料中不完整的模型参数。针对宽带倍频的设计目的,该变容二极管的输入匹配网络采用高低阻抗线低通滤波器与相移传输线实现,输出匹配网络由低插入损耗带通滤波器及相移传输线实现。测试结果与仿真结果吻合,该二倍频器在输入功率为14.5dBm,变容管偏置电压1.2 V时,43～49GHz频段内倍频效率大于12.6%,最高效率34.7%。     

毫米波倍频衰减组件研究

介绍了由Ku波段信号经过倍频到较高的毫米波Ka波段信号。在毫米波设计了大动态的衰减,输出信号采用数控衰减精确控制大动态变化,通过两级间波导隔离器解决良好的级联匹配。最终实现了超大的衰减动态范围,在Ka波段可保证90 dB的大幅衰减,且制作出了实体,获得了良好的性能指标,并较好地满足了工程需要。     

新型非线性晶体CsLiB6O10的频率变换特性

全面评述了新型晶体CLBO的频率变换特性，详细计算了CLBO相位匹配角，有效非线性系数，倍频时谐波走离角，允许参量等参数，并初步设计了利用CLBO晶体实现Nd:YAG的5次谐波、193nm紫外激光和CLBO OPO实验系统。     

宽带巴伦二倍频器分析

本文给出各种宽带巴伦二倍频器的电路结构,提出用频域幂级数法分析这类倍频器的方法.定义出谐波矩阵及其算法,从而可以准确计算这类倍频器的特性.     

PVInSb红外探测器的阻抗——频率特性分析

通过理论计算和实际测试，给出了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的低频阻抗－频率特性曲线，结合检测阻抗／动态电阻的方法和阻抗－频率特性曲线的变化规律，分析讨论了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的阻抗与动态电阻的异同，从而说明在涉及ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的阻抗／动态电阻时，即使在低频范围也要具体考虑频率因素的影响。     

D频段新型二倍频器设计

利用阻性二极管实现了一种D频段二倍频器,设计了一种新型双鳍线输入过渡结构,并成功应用于该二倍频器,该结构能更好地实现输入波导与二极管的匹配.该二倍频器采用肖特基势垒二极管MA4E2038,电路制作在0.05 mm厚石英基片上.仿真结果表明,在146.8 GHz处获得最高倍频效率10.3％.实物测试结果显示,在自偏置情况下倍频器在148 GHz处获得最高倍频效率2.3％,在0.7V偏置电压下倍频器在154 GHz处获得最大输出功率1.1 mW.输出功率可以满足多数应用下对信号源的需求,该倍频器对处于大气窗口的140GHz通信系统具有借鉴作用.