表面活性剂在单晶硅太阳能电池片制绒中的作用

表面活性剂在晶体硅电池清洗制绒中具有重要的作用。在现有大规模产业化生产线NaOH＋H2O＋异丙醇（IPA）制绒体系的基础上,研究了复配表面活性剂替代异丙醇的可行性。通过测试不同浓度复配表面活性剂条件下制备得到绒面的表面反射率和SEM形貌图,测试研究结果显示,复配表面活性剂的制绒效果要显著优于以异丙醇（IPA）为添加剂的腐蚀溶液,且复配表面活性剂浓度在略大于临界胶束浓度得到最优实验结果。     

表面活性剂在IC芯片光刻工艺中的应用

叙述了表面活性剂的性质、分类、分子结构特点,重点介绍了表面活性剂在光刻工艺的涂胶、显影、湿刻工序中的应用.适当加入表面活性剂,在现有设备的条件下可极大地提高光刻质量,对双极电路以及CMOS电路制作都有着重要的现实意义.     

表面活性剂在纳米材料合成中的应用

阐述了表面活性剂分散机制及在纳米材料制备中的分散作用,介绍了以表面活性剂为基础的各种纳米材料制备方法的机理:如以表面活性剂形成的各种有序聚集体为模板的模板法、用表面活性剂稳定形成的微乳液为介质的微乳法、水热法、溶胶-凝胶法等。重点总结了表面活性剂在不同方法制备纳米材料中的最新性、前沿性的研究成果,并展望了表面活性剂在该领域中的应用前景。     

浅述表面活性剂在印制电路板制造中的应用

表面活性剂以其特有的降低表面能特性,分散、悬浮及润湿、渗透作用在电子工业中的应用越来越广。文章简述了表面活性剂的定义、结构和分类,重点介绍了表面活性剂在印制电路板清洗、PTH、和电镀等工序中的一些应用。     

磨削工艺对晶片表面粗糙度的影响

磨削工艺直接影响着磨削后晶片的参数,在这些参数中,表面粗糙度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。分析了磨削工艺中砂轮粒度、砂轮进给速度对表面粗糙度的影响。     

表面活性剂对硅单晶片表面吸附颗粒的作用

提出了新抛光硅片镜面吸附动力学过程;深入研究表面活性剂的性质和作用,利用表面活性剂特性,有效地控制硅片表面颗粒处于易清洗的物理吸附状态。     

有机硅表面活性剂的应用探讨

本文通过对有机硅聚合物分子结构和特性进行分析,结合时下对于有机硅表面活性剂在化妆品、织物整理剂和消泡剂等领域的应用情况进行了分析探讨和拓展研究。     

新型表面活性剂及其应用

从新型表面活性剂的研究热点、已工业化的新型表面活性剂的品种及应用、表面活性剂与绿色化学等方面论述了表面活性剂的发展趋势,说明了新型表面活性剂有着非常广阔的发展前景。     

新型表面活性剂及其应用

从新型表面活性剂的研究热点、已工业化的新型表面活性剂的品种及应用、表面活性剂与绿色化学等方面论述了表面活性剂的发展趋势,说明了新型表面活性剂有着非常广阔的发展前景.     

硅片表面磨削技术的应用研究

随着IC制造技术的飞速发展,为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本,硅片直径趋向大直径化,原有的传统研磨工艺已不适应大直径硅片的加工,人们开始研究用硅片自旋转表面磨削方法来代替传统的研磨方法。通过实验的方法,对切割后的硅片表面进行磨削,获得了较理想的表面效果,达到了减少抛光去除量和抛光时间的目的。     

锗抛光片干燥技术研究

在锗加工工艺中,干燥技术对于加工的成品率和抛光片表面质量有着重要的影响。介绍了异丙醇脱水干燥技术的原理,分析了异丙醇脱水技术对超薄锗抛光片的适用性。采用湿法清洗技术,有效去除了表面沾污和抛光后的表面氧化产物,控制了抛光片表面GeO_2的生成。采用异丙醇脱水技术成功实现了140μm厚锗抛光片的干燥。     

磨削工艺对Ge单晶抛光片的影响

因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成。粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长。在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表面更容易粘附蜡液而导致表面质量下降。检验合格的抛光片在存储过程中表面出现时间依赖性雾,分析了时间依赖性雾的形成原因是由于粗糙的背表面更容易存储水份和有机溶剂。要提高抛光片的质量必须控制磨削片的粗糙度。     

清洗工艺对锗外延片表面点状缺陷的影响

锗外延片表面的雾、水印及点状缺陷等会影响太阳电池的性能和成品率,其中点状缺陷出现的比例最高。研究了锗抛光片清洗工艺对外延片表面点状缺陷的影响,获得了无点状缺陷、低粗糙度及高表面质量的锗单晶片。采用厚度为175μm p型<100>锗单面抛光片进行清洗试验,研究了SC-1溶液的不同清洗时间、清洗温度和去离子水冲洗温度对锗抛光片外延后点状缺陷的影响,分析了表面SiO_2残留和锗片表面粗糙度对外延片表面点状缺陷的影响。结果表明点状缺陷主要是由于锗单晶抛光片表面沾污没有彻底清洗干净以及清洗过程中产生新的缺陷造成的。采用氢氟酸溶液浸泡、SC-1溶液低温短时间清洗结合低温去离子水冲洗后的锗抛光片进行外延,用其制备的太阳电池光电转换效率由原来的25%提高到31%。     

锗单晶切割工艺研究

多线切割机是一种将晶棒切割成晶片的设备,近年来得到大规模使用,其切割原理为利用高速运动的切割钢线将砂浆带入切割区,砂浆中的坚硬颗粒（主要为SiC）与晶棒进行磨削,进而起到切割作用。根据锗材料的特殊性,通过改变工艺参数（主轴平均转速,砂浆流量,砂浆供给方式等）与硅材料成熟切割工艺进行对比实验,进而稳定锗材料的切割工艺。     

300 mm硅片表面延性磨削机理研究

根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论,通过设定磨削参数,使之满足硅片的延性磨削条件.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对磨削硅片表面和截面进行分析研究.研究结果表明:硅片表面形成规律的磨削印痕,且磨削印痕微弱,在硅片表面留下的磨削沟槽保留延性磨削特征,硅片表面无微细裂纹和因脆性崩裂产生的凹坑;硅片截面明显地分为非晶层、次表面损伤层、单晶硅层,非晶层厚度约为50～100 nm,表面微细裂纹完全消失,次表面损伤层厚度约为50～150 nm,次表面损伤层存在微细裂纹.     

锗晶片化学机械抛光的条件分析

在不同务件下(不同助剂比例和不同研磨液浓度),通过对锗化学机械抛光速率变化的研究,探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程,分析了助剂比例对抛光速率的影响.     

功率场效应晶体管晶圆超薄磨片工艺开发

晶圆超薄磨片工艺是为减小功率开关管导通电阻,工艺中存在超薄晶圆磨片后转运过程中破片及超薄晶圆背面蒸镀金属等问题.现有的晶圆磨片的一般厚度为200μm,超薄磨片的目标是100μm.本研究采用同一批次晶圆,分批,2片超薄研磨,其他采用正常工艺减薄,封装测试条件相同.对比封装测试完毕的器件的导通电阻,超薄研磨器件的导通电阻减小约10%.