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1、引言
制造晶闸管时,希望在额定电流下,器件的通态压降能够小一些。因为这和器件在通态工作时发热联系在一起的。通态压降和电流密度J直接相关,即J越大,压降越大,通态压降还和器件的结构参数密切相关,下面从设计和工艺方面讲叙如何控制通态压降。 相似文献
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一种新型低阻SOI P-LDMOS研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种新型SOI P-LDMOS器件,其大部分漂移区不覆盖场氧,从而避免了因生长场氧的高温过程而引起的硼杂质分凝效应,并在制备场氧、栅氧之后进行漂移区表面注入,由于注入后没有长时间的高温过程,进一步提高了漂移区表面的掺杂浓度.模拟结果表明新型P-LDMOS性能得到明显改善,与传统P-LDMOS相比开态导通电阻降低了24.7%,击穿电压提高了17.3%,饱和电流提高了26.7%. 相似文献
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本文介绍了使用扩展电阻探针,通过测试硅外延片、器件芯片和集成电路特定区域的纵向杂质分布,从而用以器件开发、工艺调控和失效分析。 相似文献
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利用三维模拟软件Davinci对体硅FinFET器件进行了详细的模拟.模拟结果显示体硅Fin-FET器件能够有效的抑止短沟道效应,具有驱动电流大、散热好、成本低等优点.为了获得好的亚阚值特性,Fin的厚度要比较薄,同时Fin的高度不能太低,以保持足够的高度来抑止短沟道效应.沟道可以采用低掺杂或未掺杂设计,从而减少沟道内杂质对载流子的散射作用和杂质涨落效应对器件性能的影响.另外,为了获得合适的器件阈值电压,体硅FinFET器件应当采用功函数在中间带隙附近的材料做栅电极,同时采用适当的功函数调节方法来获得合适的阈值电压. 相似文献
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本文建立了制冷剂R1234ze(E)在微圆管内流动沸腾过程中的环状流模型,对传热和气液两相流动压降进行了模拟研究。综合考虑重力、表面张力及气液界面剪切力的影响,模拟分析了周向液膜不均匀分布特性及该特性对流动与换热的影响,经验证,计算结果与已有实验结果吻合较好,此外还研究了不同因素对环状流区域表面传热系数与压降的影响。模拟结果表明:在流动起始区域,截面液膜厚度的分布受重力作用影响,随着流动沸腾过程的进行,该影响作用开始减弱,且有重力作用时的环状流平均表面传热系数高于无重力作用时的环状流平均表面传热系数,随着重力加速度的增加,环状流的平均表面传热系数不断增大;随着质量流速的增大,表面传热系数与压降均随之增大;随着管径增大,表面传热系数与压降均随之减小。 相似文献
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各向异性胶体基底表面的分形凝聚体 总被引:3,自引:0,他引:3
对各向异性胶体基底表面的分枝状金原子凝聚体的生长机制进行了研究,沉积在无规杂质区域的熔融玻璃表面的金原子先形成网状结构的薄膜,然后逐渐演变成分枝状凝聚体,根据这一实验结果,建立了各向异性的团簇-团簇凝聚模型,对此类胶体基底表面的金原子分枝状凝聚体的生长全过程进行了计算机模拟,研究了杂质区域对凝聚体各种参数的影响,其结果与实验相符合。 相似文献
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采用微机综合保护装置进行大型异步电动机高压降补固态软起动的调试,在一次回路三相同时通入电流,进行差动保护整组试验,简化了调试设备,确保了差动回路接线和互感器极性的正确;在电压回路二次侧通入可调电压,在电流回路二次侧通入可调电流,模拟启动过程,保证了试车一次成功。 相似文献