从锌渣浸渣中综合回收铟锗铅银的试验研究

本文介绍用新工艺从锌渣浸渣中综合回收铟、锗、铅、银的试验概况。试验结果表明：从锌渣浸到得到粗铅、锗富集物、粗铟,铅银的直收率均大于85％,锗的回收率大于82％,铟的直收率大于82％。该工艺优于以前采用的任何工艺。     

从含锗废料中回收锗

目前,大部分锗是从加工铅锌精矿和含锗煤过程中作为副产品回收的。工艺复杂,能耗高、消耗资金也多。随着锗器件、锗制剂等的发展,从不同含锗废料中回收锗的问题和方法已引起重视。本文综述了目前从四种含锗废料(生产锗、制取半导体器件,锗光导纤维和锗制剂)中回收锗的方法,具体的方法应视废料含锗品位和被污染情况而定。但不管用什么方法处理都需制成四氯化锗后,再按加工锗精矿的各工艺,最后生产出锗锭或单晶锗.从不同废料中回收锗,一般工艺简单、既能降低锗产品的成本,又能提高企业的经济效益,因而,具有重要的现实意义。     

从含锗浸出渣中回收锗的工艺方法探讨

本文经过大量的生产试验,寻找出一种利用锗原料经蒸馏提取大量的锗后的蒸馏渣,再经浸出提锗以后的浸出渣中残留的少量锗转化成可溶性的锗酸盐,以提高再回收锗回收率的工艺法。     

锗渣中锗的测定——碘酸钾容量法

文章采用氢氧化钠碱熔试样，经硫酸中和后，在1＋1盐酸介质中蒸馏分离锗，使大部分干扰元素经蒸馏分离，并在1＋1盐酸介质中用碘酸钾容量法滴定锗。该法滴定终点明显，准确率高。标准回收率为95．52％～105．78％，变异系数为3．18％～4．42％。适用于锗渣中高含量的锗的测定分析。     

硅-锗合金废料中锗的回收研究

研究了硅-锗合金废料中锗的回收,采用碳酸钠+Na2O2熔融-磷酸中和-盐酸蒸馏法,并对工艺进行了优化。该工艺具有回收率高、成本低、环境友好等优点。     

含锗烟尘中锗的提取工艺方法探讨

一种含锗"烟尘",比重较小,含锗量较高,但成分复杂,如直接用于提取锗直收率在40%～60%之间,不仅造成资源浪费,而且增加生产成本.通过大量的试验寻找出一种从该烟尘中提取锗的方法,锗的回收率可达95%以上.     

国外某富锗渣的相组成考查及处理方法研究

对一国外锗渣进行了物质组成考查，确认其为一湿法提锌过程产出并富集了多种硫酸不溶相的富锗渣，含锗高达０．６８％，且主要赋存于一罕见相羟锗铅矾Ｐｂ３〔ＧｅＯ２（ＯＨ）２〕（ＳＯ４）２中。对之进行的处理工艺研究表明，常规处理方法无法有效回收锗，而按拟定的硫酸、氢氟酸浸出流程则可在混酸浸出段将９０％以上的锗转入溶液，再循丹宁沉锗—焙解—蒸馏—水解流程以＞７７％的锗直收率产出ＧｅＯ２。     

从硫酸锌溶液中萃取提锗

从硫酸锌溶液中萃取提锗的水相体系组成复杂，主金属锌含量高，待分离回收的金属锗含量极低，杂质Fe,Mn,SiO2高，在诸多有机相体系中选择以7815 添加剂 煤油为有机相，NaOH为反萃剂进行工艺研究，完成了扩大和半工业试验，从硫酸锌溶液至锗精矿锗的回收率大于94%，锗的直收率约80%，锗精矿含Ge30%左右，离心萃取器是有效的萃取设备，萃取提锗后的萃余液经除油处理后，对锌电解工艺无不良影响。     

从含锗蒸馏渣中回收锗的工艺方法探讨

本文通过大量的生产试验,寻找一种利用锗原料经蒸馏提纯生产锗后的蒸馏渣中残留锗的回收工艺方法。     

用粗二氧化锗制取高纯锗

用模拟粗二氧化锗考察了盐酸浓度、温度对氯化蒸馏的影响。开展了氧化除砷及盐酸萃取除砷和精馏净化的试验；用传统的水解氢还原工艺制得了纯锗。     

株冶从铟锗置换渣中提取锗的技术进步

介绍了株冶近几年来从湿法炼锌的铟锗置换中提取锗的技术进步。重点介绍了对锗萃取剂中Ｐ２０４与煤油的最佳配比和高温除硫的研究     

GaAs/Ge太阳电池界面特性研究

采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOVPE)工艺 ,分别在p型和n型Ge衬底上生长了GaAs电池 ,发现Ge甚至可以扩散到GaAs电池结区 ,导致电池性能严重下降 ,而Ga和As的扩散 ,常常导致异常Ⅳ曲线 ;在GaAs外延层观察到的主要晶体缺陷是反相畴和线位错 ,通过降低生长温度和优化成核条件 ,获得了较好的界面特性 ,在n Ge衬底上获得了效率为 2 0 .2 % (AM0 ,2 5℃ ,2cm× 4cm)的GaAs电池 ,在p Ge衬底上获得了性能较好的Ge电池。     

光学级锗晶体生长方法新进展

介绍了９０年代以来，光学有锗晶体生长方法的新进展。着重介绍了ＶＧＦ法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置。简单比较了不同方法制备的锗晶体的主要光学、电学性能及制造成本。     

“B”试剂回收锗新工艺在我厂的应用及改进

介绍了“Ｂ”试剂回收锗新工艺在株洲冶炼厂生产应用情况。针对生产中出现的问题，对该工艺进行了改进研究。结果表明：将连续补加ＹＷ－１００改为间断补加ＹＷ－１００，可以使ＹＷ－１００的耗量降至连续外加的１／６～１／４，并减轻了萃取过程中的乳化现象；将反萃剂“Ｂ”试剂浓度由原工艺的２．０～２．３ｍｏｌ／Ｌ降至０．５～１．０ｍｏｌ／Ｌ，可以省去滤饼两次洗涤工序和蒸发工序，并解决了循环液体积膨胀需定期排放的污染环境问题，从而提高了锗的回收率和降低了“Ｂ”试剂的耗量。生产实践证明了上述结果。     

Distribution of Ge Self-Assembled Quantum Dots on Six Ge1- x Buffer Layers

The effect of buried misfit dislocation on the distribution of Ge self-assembled quantum dots (SAQDs) grown on a relaxed SiGe buffer layer was investigated. The strain field of arrays of buried dislocations in a relaxed SiGe buffer layer provided preferential nucleation sites for quantum dots. Burgers vector analysis using plan-view transmission electron microscopy (TEM) verified that the preferential nucleation sites of Ge SAQDs depended on the Burgers vector direction of corresponding dislocations. The measurement of the lateral distance between SAQDs and dislocations together with crosssection TEM observation clarified that the location of SAQDs was at the intersection of the dislocation slip plane and the top surface. The misfit strain should be an additional factor governing the uniformity in size, shape and distribution of Ge SAQDs.     

空间用GaAs/Ge太阳电池器件工艺研究

报道了对GaAs／Ge太阳电池器件工艺的研究结果。采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极，栅线宽度小于15μm，厚度在5μm以上；采用NH4OH／H2O2选择性腐蚀液体系去除GaAs帽子层；采用真空蒸发制备TiO2／SiO2双层减反射膜，电流密度增益可达25％以上；研制出平均效率达到19％(AM0，1a，25℃)以上的GaAs／Ge太阳电池。     

锗纳米线的制备与生长机理

介绍了锗纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展，主要对溶剂热合成法、化学气相沉积（CVD）法、模板法和激光烧蚀法等制备方法和金属催化气-液-固（VLS）生长机理、氧化物辅助生长机理等作了较为详尽的论述。     

Xiaojia Ge (1954–2009).

Xiaojia Ge (“Ge”) died peacefully on August 26, 2009, following a battle with lung cancer. He was born in Beijing, China, on October 24, 1954. Ge made seminal contributions to the study of adolescence and developmental psychopathology, including work on the psychosocial correlates of early puberty, the development of depression, and linkages between genetic factors and family dynamics. (PsycINFO Database Record (c) 2010 APA, all rights reserved)     

改性花生壳吸附分离湿法炼锌溶液中的镓和锗

研究酒石酸改性花生壳对湿法炼锌浸出液中镓和锗的吸附过程,考察吸附时间、改性花生壳的用量、溶液初始pH值、吸附温度以及溶液中镓、锗初始浓度对镓、锗吸附率的影响,并探讨了花生壳吸附镓、锗动力学.结果表明:改性花生壳可实现湿法炼锌浸出液中镓和锗的有效分离,且对锗的吸附效果优于镓,在吸附时间为3 h、溶液初始pH=3、吸附温度...     

含镓锗硫酸盐溶液中砷铁的高效脱除

砷和铁是湿法炼锌系统回收镓、锗工艺中主要的杂质元素,萃取分离工艺可实现砷铁的高效脱除,但得到的反萃液为高砷铁溶液,且含有少量镓、锗。为实现镓、锗的高效回收,采用中和沉淀法实现砷、铁与镓、锗的分离,考察沉淀终点pH、反应温度、反应时间、搅拌速度等参数对各金属离子沉淀率的影响。结果表明,在沉淀终点pH=2.5、反应温度25 ℃、反应时间1 h、搅拌速度240 r/min的最优条件下,铁和砷的脱除率分别为92.80%、98.13%,镓、锗的损失率分别为45.61%、7.35%。中和渣中损失的镓、锗可用弱酸溶液洗涤,酸洗液与中和后液共同返回到萃取系统回收镓和锗,提高综合回收过程中镓和锗的直收率。