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相似文献
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1.
F-离子对Li2O-Al2O3-SiO2系微晶玻璃晶化的影响   总被引:2,自引:1,他引:2  
采用差热分析(DTA),X射线衍射分析(XRD),扫描电镜(SEM)等分析手段研究了F^-离子对Li2O—A12O3-SiO2系微晶玻璃形核和晶化的影响。结果发现,引入F^-离子使得玻璃的析晶峰值温度降低,玻璃的析晶活化能E降低,晶化指数n加大。引入F^-离子后,一方面促进了玻璃析晶和晶化,LixAlxSi1-xO2固溶体析出以及LixAlxSi1-xO2固溶体向β-锂辉石固溶体转变加快,晶化后的晶粒尺寸加大,析晶活化能E,晶化指数n与扫描电镜(SEM)分析一致。表明F^-离子促进了玻璃晶化和离子扩散。  相似文献   

2.
LiNi3/8Co2/8Mn3/8O2正极材料氟掺杂改性研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
以共沉淀氢氧化物为前驱体制备了F-掺杂化合物LiNi3/8Co2/8Mn3/8O2-yFy(y:0,0.05,0.10,0.20),采用XRD、XPS、SEM、循环伏安(CV)、充放电测试、DSC等表征了其结构与性能.结果表明,F-掺杂置换部分O2-生成固溶体,不改变样品中过渡金属离子的价态. F-掺杂量y为0.05、0.10时,比容量不受影响,但在充放电过程中ch方向膨胀率由未掺杂样的2.06%分别下降至1.017%、1.018%,改善了其结构稳定性与循环寿命,30周后容量保持率分别达97.5%、96.2%;而y增至0.20时,离子混乱度升高,且颗粒间烧结过于严重,内阻增加,使容量与循环特性再度恶化.F-掺杂还促进材料烧结,使该材料粒径通过粉碎分级控制成为可能,有利于该材料电极的制备.另外,F-掺杂也使LiNi3/8Co2/8Mn3/8O2热稳定性得到一定程度改善.  相似文献   

3.
选取玻璃组分60SiO2-xBi2O3-(30-x)B2O3-2K2O-7Na2O-1Yb2O3(以mol%记,x=0,5,10,15,20,25,30)为研究对象。通过测试试样的物理性质和光谱性质,应用倒易法(reciprocity method)计算Yb3+离子的受激发射截面(σemi),并且计算了Yb3+的自发辐射几率(Arad),2F5/2能级的辐射寿命(Trad)。讨论了玻璃中Bi2O3和B2O3的组成变化对其物理性质、Yb3+离子的吸收特性、发光特性以及OH-离子对实测Yb3+荧光寿命(Tf)的影响。结果表明:Yb3+掺杂的Si2-Bi2O3-B2O3具有较好的光谱性能,是一种新型的Yb3+掺杂双包层光纤候选基质材料。  相似文献   

4.
采用红外光谱(IR)和X射线光电子能谱(XPS)等方法研究了PbBr2-PbF2-P2O5系铅卤磷酸盐玻璃的结构.结果表明,Pb2+离子在玻璃中起着网络修饰阳离子和网络形成体的双重作用.当P2O5含量为60mol%时,Pb2+离子主要是作为网络修饰体;当P2O5含量降低到50mol%时,一部分Pb2+离子能够进入玻璃网络形成[PbO4]四面体或P-O-Pb键.Br-和F-离子达到一定浓度时就会进入玻璃网络,形成[PO4-nXn](X=Br或F,n=0-4)四面体使磷酸盐链长变短.玻璃中P2O5的含量不变时P-O-P键的比例也基本保持不变;当P2O5的含量降低时,P-O-P键和P-O-键的含量都减少,P-O-Pb键的含量则明显增加.  相似文献   

5.
飞秒激光诱导玻璃内Ba2TiSi2O8晶体的析出   总被引:1,自引:0,他引:1  
使用聚焦后的800nm,150fs,250kHz的高重复频率飞秒脉冲激光器能够在BaO-TiO2-SiO2组分的玻璃内部三维选择性地诱导Ba2TiSi2O8晶体的析出. 发光光谱显示这种晶体把入射的800nm光转化成了400nm的蓝光,因此这种析出的晶体具有非线性倍频特性. 通过拉曼光谱测定,在当前的玻璃组分中析出的晶体是Ba2TiSi2O8. 研究表明,经250kHz的飞秒激光辐照一段时间后,在玻璃内部由于脉冲能量的连续沉积会使得激光辐照区域出现热积累效应,因此,该辐照区域的温度会不断升高以致超过玻璃析晶温度,最终诱导玻璃熔融析晶. 此外,对飞秒激光辐照区域不同部位进行拉曼光谱检测,结果表明:在整个区域Ba2TiSi2O8晶体的析出呈现中间比外围明显的分布特点,因此晶体析出与辐照形成的温度梯度场有密切关系.  相似文献   

6.
采用固相反应法制备了 (Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷.研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷介电性能的影响.结果表明:Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,Zn-Al共掺杂可以抑制中间相MgTi2O5的产生,同时,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共掺杂能有效地降低95MCT陶瓷的烧结温度至1300℃,改善介电性能,并对介电常数温度系数具有调节作用.当 Zn2+掺杂量为0.02mol、Al3+掺杂量为0.02mol时, 在1300℃烧结2.5h获得最佳性能:εr =20.35, tgδ=2.0×106, αc=1.78×106.  相似文献   

7.
Gd3+为敏化剂的掺Tb3+硅酸盐闪烁玻璃   总被引:2,自引:0,他引:2  
实验制备了以Tb3+为激活剂、Gd3+为敏化剂的硅酸盐闪烁玻璃, 研究了Tb2O3和Gd2O3含量对玻璃密度和玻璃折射率, 以及对玻璃在紫外光激发和X射线激发条件下的光学光谱特性的影响. 通过研究Tb3+/Gd3+共掺闪烁玻璃的激发与发光特性、荧光寿命, 结合稀土离子能级结构, 分析了Gd3+→Tb3+离子之间的能量转移与传递机制. 结果表明:在紫外激发条件下, 大量引入Tb2O3和Gd2O3可提高Gd3+→Tb3+离子之间的能量传递效率, 有利于Tb3+离子的绿色发光; 但是在X射线激发条件下大量引入Tb3+离子, 由于缺陷数增加而弱化Tb3+离子荧光.  相似文献   

8.
应用高温固相法合成了Na的多铝酸盐,并研究了Eu2+在体系中的发光性能.结果表明,Na1+xMgAl11-xO17体系在整个组成范围内保持Na的β-Al2O3结构不变,而对于Na1.67-2xBaxAl10.33O17体系,在x=0.30附近体系结构发生转变,x<0.30,体系形成Na的外β-Al2O3结构的固溶体,x>0.30,体系形成Ba的β-Al2O3结构的有序体;与体系组成和结构的变化相对应,Eu2+的发射能量和发光强度产生相应的变化,在Na的β-Al2O3中Eu2+存在高、低能两种发射中心;通过系列化研究,获得了新的组成的、具有β-Al2O3结构的荧光体Na0.67Ba0.50Mg0.67Al10.33O17:Eu2+,在较低的掺杂浓度(0.05mol)下可以产生较强的发光.  相似文献   

9.
报道了钨碲酸盐玻璃系统TeO2-ZnO-Na2O-WO3 和钨铌碲酸盐玻璃系统TeO2- ZnO-Na2O-Nb2O5-WO3抗析晶热稳定性和拉曼光谱特性. 实验研究了掺杂WO3和Nb2O5对碲酸盐玻璃抗析晶热稳定性和拉曼光谱特性的影响, 并分析讨论了掺杂碲酸盐玻璃拉曼谱带展宽机制. 结果表明, 掺杂WO3和Nb2O5较大地提高了碲酸盐玻璃的抗析晶热稳定性, 钨铌碲酸盐玻璃最大抗析晶热稳定性ΔT达154℃. 拉曼光谱研究表明,WO3和Nb2O5的加入使碲酸盐玻璃在921和862cm-1附近出现特征谱带, 导致拉曼光谱中高频移区从550cm-1延伸扩展到950cm-1, 从而有效地拓宽了碲酸盐玻璃的拉曼带宽, 钨铌碲酸盐玻璃最大拉曼光谱半高宽可达355cm-1. 实验研究表明,钨铌碲酸盐玻璃是宽带拉曼光纤放大器的候选材料之一.  相似文献   

10.
以Ni(NO3)6H2O、Al(NO3)3·9H2O、ZrOCl8H2O和Ce(NO3)6H2O为原料,采用共沉淀法分别制备了NiO/CeO2/γ-Al2O3和NiO/CeO2-ZrO2/Al2O3催化剂.通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和近边X射线吸收精细结构(XANES)等方法对催化剂的组成结构进行表征.结果表明,煅烧温度高于600℃时,NiO/CeO2/γ-Al2O3催化剂中的NiO与γ-Al2O3载体发生作用,形成NiAl2O4尖晶石;而NiO/CeO2-ZrO2/Al2O3催化剂中,NiO能够稳定存在,没有NiAl2O4尖晶石生成,且Al2O3与CeO2和ZrO2作用形成一种新的Zr0.30Ce0.45Al0.25O1.87固溶体.  相似文献   

11.
共沉淀法合成ZrO2-ZrW2O8复合材料的工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以硝酸氧锆[ZrO(NO3)2·5H2O]和钨酸铵(H40N10O41W12·xH2O)为原料,采用共沉淀法合成了低热膨胀的ZrO2-ZrW2O8复合陶瓷, 着重研究了不同热处理条件对前驱体转变为ZrO2-ZrW2O8复合陶瓷的影响, 并探讨了前驱体生成及其转变的反应历程. 通过X射线衍射仪(XRD)、热重-差示扫描量热(TG-DSC)、扫描电子显微镜(SEM)、热膨胀仪等分析手段对样品的晶体结构、物相转变、断面微观形貌和热膨胀性能进行表征. 结果表明: 采用共沉淀法制备的前驱体在1150℃热处理2h可以合成高纯度、混合均匀的ZrO2-ZrW2O8复合陶瓷; 随烧结时间的延长, ZrW2O8衍射峰半高宽逐渐减小, 晶粒在不断长大; ZrO2-50wt%ZrW2O8复合陶瓷在30~600℃内的平均热膨胀系数为-3.2295×10-6K-1.  相似文献   

12.
利用HREM和其它分析手段研究了含氟或含锆K2O-MgO-Al2O3-SiO2系统玻璃液滴状分相对成核的影响.实验中观察到成核首先从液滴相内部开始,根据晶核的电子衍射图样和晶格条纹数据结合晶面间距计算,分析了分相对成核的影响以及引起整体析晶的主要因素和析晶次序等.  相似文献   

13.
形核剂对Li2O-Al2O3-SiO2系微晶玻璃晶化过程的影响   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用差热分析(DTA),X射线衍射分析(XRD),扫描电镜(SEM)等分析手段研究了 TiO2和TiO2+ZrO2两种形核剂对Li2O-Al2O3-SiO2(LAS)系微晶玻璃的形核和晶化的影响. 结果发现,样品经过不同温度的预形核处理后,采用TiO2单一形核剂,晶化峰值温度和晶化峰 高度的变化较大,而采用TiO2+ZrO2复合形核剂,晶化峰值温度和晶化峰高度的变化较小. 当形核时间为2h,两种形核剂样品的最佳形核温度分别为745和760℃.晶化后均可得到纳米 结构的β-石英石固溶体晶相,其中采用TiO2+ZrO2复合形核剂样品的晶粒更细小.研究表 明采用复合形核剂的LAS微晶玻璃的形核过程对温度的敏感性小,有利于对形核过程进行控 制,同时形核效率高.  相似文献   

14.
Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的结构与电性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用溶胶-凝胶法制备了掺杂不同浓度Sm2O3(分别为0.001,0.002,0.003,0.005,0.007mol)的BaTiO3陶瓷,并对其结构与电性能进行了研究.结果表明:Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的晶型在室温下为四方相,而且随着Sm2O3掺杂浓度的增加,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸变小,说明Sm2O3掺杂对BaTiO3陶瓷晶粒的生长有一定的抑制作用;Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的电阻率比纯BaTiO3陶瓷明显下降,当添加量为0.001mol时,电阻率最小,.从4.3×109Ω·m下降为6.536×103Ω·m;Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的晶粒电阻随着温度的变化,呈现NTC效应,而晶界电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,且晶界电阻远远大于晶粒电阻,说明该材料的PTC效应是由晶界效应引起的.  相似文献   

15.
熔盐法合成SrBi2Ta2O9粉体   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用熔盐法合成了纯的 系层状结构的SrBiTa粉体.采用XRD和SEM等手段对粉体的结构和形态进行了分析,并与固相法进行了比较,结果表明熔盐法所得粉体形状呈片状,无团聚现象.对影响粉体颗粒尺寸和形状的因素进行了考查,并对熔盐法合成SrBiTa粉体的机理进行了讨论.  相似文献   

16.
添加La2O3对Mg2TiO4陶瓷的显微结构与微波介电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用传统烧结工艺,制备了具有不同La2O3含量的镁钛镧陶瓷,并研究了La2O3组份对材料晶相构成、晶粒、晶界的演变、介电常数和品质因数的影响.结果表明,不含La2O3的钛酸镁陶瓷主晶相为Mg2TiO4,其平均晶粒尺寸>60μm;引入La2O3后,出现新晶相La0.66TiO2.99,材料的晶粒尺寸明显下降;随La2O3含量的增加,材料的介电常数线性增加,材料的品质因数Q在10GHz出现最大值(16558).  相似文献   

17.
BaO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃析晶机理研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用烧结法制备化学计量比和高Ba含量的两组BaO-Al2O3-SiO2(BAS)系微晶玻璃, 采用等转化率法计算玻璃粉的活化能随析晶过程的变化, 利用线性回归的方法确定最概然析晶机理函数, 进而对比研究添加ZrO2和提高Ba含量对BAS系微晶玻璃析晶过程的影响. 结果表明, 4种成分的BAS系玻璃的最概然析晶机理函数均为SB(m, n)函数, 析晶过程中存在自催化的相变机制. 在化学计量比的BAS系玻璃中添加ZrO2或者提高Ba含量, 对六方钡长石的析出表现为促进作用, 并且随着温度的降低或者析晶过程的进行, 促进效果更加明显. 在高Ba含量的BAS系玻璃中添加ZrO2对六方钡长石的析出表现为抑制作用, 并且随着温度的升高抑制效果更加明显.  相似文献   

18.
Nb2O5掺杂高温无铅(Ba,Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷结构与电性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用固相反应法制备了施主掺杂浓度不同的Nb2O5(分别为0.1mol%、 0.3mol%、 0.5mol%、 0.7mol%)掺杂(Ba, Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷. 对其微观结构及电性能进行研究发现:随着Nb2O5掺杂浓度的增加,陶瓷晶粒尺寸先变大后变小,室温电阻率也随之先减小后增大,说明Nb2O5的掺杂量存在一个临界施主掺杂浓度. 当Nb2O5施主掺杂量为临界施主掺杂浓度0.5mol%时,获得了居里温度Tc为 183℃、室温电阻率ρ为1.06×103Ω·cm、升阻比ρmaxmin为1.0×104的高温无铅PTCR陶瓷. 通过交流复阻抗谱分析,探讨了Nb2O5施主掺杂在该PTCR陶瓷中的作用机理.  相似文献   

19.
添加Ta2O5对MnZn功率铁氧体性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,研究了不同Ta2O5含量对MnZn功率铁氧体微观结构和磁性能的影响. 结果表明:少量Ta2O5的加入可以使铁氧体烧结样品的晶粒尺寸增大,气孔率下降,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率升高,损耗降低. 而加入过多的Ta2O5会导致异常晶粒长大,气孔率升高,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率降低,损耗增大. 当Ta2O5含量为0.04wt%时,铁氧体烧结样品的晶粒尺寸大小均匀,气孔率最低,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率达到最大值,损耗最低.  相似文献   

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