离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I—V、RD—V特性的研究（上）

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数.计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能.HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加.     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ—Ⅴ、R_D—V特性的研究(下)

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特性的研究(下)

本文推导了一种可简便,准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数.计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能.HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加.     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I-V、RD-V特性的研究（下）

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD—V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆（反型沟道）漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生一复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性的研究(上)

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I–V、RD–V特性的研究（下）

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I–V特性的公式和方法,并应 用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I–V、RD–V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏 电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe 光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe 材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生–复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

CdTe/ZnS复合钝化层对长波碲镉汞器件性能的影响研究

采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二极管器件,并进行了SEM、C-V和I-V表征分析,研究了HgCdTe/钝化层之间的界面特性及其对器件性能的影响。结果表明,钝化工艺改进后所生长的CdTe薄膜更为致密且无大的孔洞,CdTe/HgCdTe界面晶格结构有序度获得改善;采用改进的钝化工艺制备的MIS器件C-V测试曲线呈现高频特性,界面固定电荷面密度从改进前的1.671011 cm-2下降至5.691010 cm-2;采用常规钝化工艺制备的二极管器件在较高反向偏压下出现较大的表面沟道漏电流,新工艺制备的器件表面漏电现象获得了有效抑制。     

Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究

通过变面积Si基HgCdTe器件变温I-V测试和暗电流特性拟合分析,研究了不同偏压下n-on-p型Si基HgCdTe光伏器件的暗电流成分与Si基HgCdTe材料少子扩散长度和少子寿命随温度的变化规律.在液氮温度下,随着反向偏压的增大器件的表面漏电流在暗电流中所占比重逐渐增加.在零偏压下,当温度低于200 K时材料的少子...     

红外与毫米波学报J.Infrared Millim.Waves第十一卷年度索引(一九九二年)

关键词索引 表面效应—1一3拼m HgCdTe光伏型列阵探测器的研 一Hg:一二Cd,TeN+一p栅控二极管表面沟道制(223) 漏电的理论和实验研究(11)—航空遥感用啼锡汞光导探测器的研究 波导(2 57) —双光楔波束导向的理论分析(53)—HgCdTe光导及扫积型器件的瞬态响应 —宽频带槽波导定向棍合器的分析与设计(271) (430)—长波长大面积HgCdTe光导红外探测器的 —K。波段波导五端口结的设计(467)研究(277) —弯曲波纹圆波导中模式祸合系数的研究一一HgCdTe组分的横向均匀性(411) (4 86)啼锰汞 超晶格一共振受主态在零禁带Hg:一二Mn‘Te磁量 —超…     

用正面掺金减少表面“沟道漏电”

所谓表面“沟道漏电”,是指P型基区表面附近的氧化层中引入了带正电的离子,如Na~+离子之类,由于静电感应,在P型基区表面会感生出一层负电荷,形成N型沟道,造成沟道漏电。它的最大特征是单结特性蠕动;击穿电压降低。 天津半导体器件厂的同志们根据金在半导体中能起复合中心作用,也能起表面复合中心的作用,把金掺入硅中将硅表面沾污的带电离子“吃掉”。虽然道理还不太清楚,     

氢钝化对Hg1—xCdxTe红外透射谱的影响

采用红外透射测量观测了氢钝化对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶片的影响，用分层模型计算了晶片射率，分析了氢钝化增加其透射率，吸收边向短波方向移动，低于禁带宽度能量的吸收降低，透过范围减小的原因。表明氢钝化不仅影响到表面，而且影响到整个体内。原因是经氢钝化处理后杂质或缺陷受到有效钝化，载流子浓度降低，组分Ｘ增加；荷电杂质或缺陷的局域内场影响发失变化；以及荷电杂质或缺陷散射增强。     

Hg1—xCdxTe光学常数测量

根据半导体光学常数间的关系,通过测量Hg_(1-x)Cd_xTe晶片不同厚度时的透射比,求得了Hg_(1-x)Cd_xTe的光学常数。本文采用迭代法精确求解有关方程组,避免了计算过程引入的误差,提高了测量结果的精度。这种方法也适用于其他半导体光学常数的测量。     

表面氧化层对Hg1—xCdxTe霍耳数据的影响

报道了表面氧化层对Hg_(1-x)Cd_xTe霍耳数据影响的实验研究结果。利用两层模型对实验结果进行了解释。     

Hg1—xCdxTe表面电子的子能带结构

讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe MIS结构N型反型层电子子能带结构的理论和实验研究结果。描述了采用电容-电压谱,回旋共振谱和磁导振荡谱定量地研究电子子能带结构的模型和方法。推导得到的子能带色散关系,朗道能级和有效g~*因子,与测得的子能带电子的回旋共振和自旋共振结果符合得很好,从而可以定量地研究由于表面电子的自旋轨道相互作用引起的零场分裂效应,朗道能级的移动、交叉,波函数的混合效应以及电致自旋分裂的色散关系。     

布里奇曼法生长的Hg1—xCdxTe晶体的性能

本文简要地介绍了布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的组分分布、电学性质、微观结构和红外透射比曲线。这些晶体具有较好的横向组分均匀性、较低的载流子浓度和较长的少数载流子寿命。本文还报道了用此晶体制作的光电导器件的性能。     

Hg1-xCdxTe长波光伏探测器的低频噪声研究

在同一Hg1-xCdxTe晶片上（x=0．217）制备了单层ZnS钝化和双层（CdTe＋ZnS）钝化的两种器件,对器件的低频噪声和暗电流进行了测试．发现单层钝化的器件在反偏较高时具有较高的低频噪声,在对器件的暗电流拟合计算中发现,单层钝化的器件具有较大的表面隧道电流,而这正是单层钝化器件具有较高低频噪声的原因．并通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术RSM（reciprocal space mapping）研究了两种钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高的低频噪声和表面隧道电流的原因．     

CdTe衬底中微细孪晶对Hgl-xCdxTe液相外延层的影响

本文首次报导了作为 Hg_(1-x)Cd_xTe 液相外延衬底的 CdTe 晶片中存在着狭窄的微细孪晶,其宽度由数十微米到数微米。这些微细孪晶在液相外延过程中将向Hg_(1-x)Cd)_xTe 外延层延伸,形成相应的 Hg_(1-x)Cd_xTe 微细孪晶,从而导致外延层表面出现细长的直线线痕,程度不同地破坏了 Hg_(1-x)Cd_xTe 液相外延层表面的平整性和光洁度。     

窄禁带半导体的P-N结的间接隧道电容

采用通过深能级杂质的间接隧道过程与热激发、俘获过程之间的细致平衡,推导出间接隧道过程所引起的电容的理论表达式.这一电容仅出现在零偏压附近,不是电压的单调上升函数,有极大值及负值出现.作了数值计算,所得 C-V曲线的形状与窄禁带 Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结的实测的C-V曲线的形状相似.     

窄禁带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结的电容-电压特性曲线

改进了电容测量技术,能测量低阻抗P-N结的电容.测量Hg_(1-x)Cd_xTe(0.195     

碲镉汞液相外延薄膜的应力研究

用X射线衍射方法对液相外延(LPE)技术生长的碲镉汞(MCT)外延薄膜和CdTe衬底进行了观察与分析。研究表明:MCT薄膜中存在着不同程度的应力,主要表现为晶格的扭曲(300″～1200″范围),这种扭曲致使外延膜双晶回摆曲线宽化,宽化值为100″～150″,外延膜的晶格扭曲与CdTe衬底的不完整性有对应关系。研究还表明:LPE的生长条件对外延膜中的晶格扭曲也有较大影响。本文还讨论了CdTe衬底晶格扭曲形成的因素并探究了减少外延膜晶格扭曲的方法。