基于ADS的微波低噪声放大器的设计与仿真

低噪声放大器包括输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络.微波晶体管放大器是设计中的核心部分.根据低噪声放大器设计的原理,提出技术指标要求,设计一个5GHz单级低噪声放大器,经过技术指标分析,采用Fujitsu公司的FHX35LG型HEMT场效应管晶体管.阐述了如何利用Agilent公司的ADS软件进行分析和优化设...     

“微波宽带低噪声高增益场效应放大器优化设计研究”达国内领先水平

“微波宽带低噪声高增益场效应放大器优化设计研究”达国内领先水平微波宽带低噪声高增益场效应晶体管放大器是雷达、通信和电子对抗等电子系统中关键的微波前端，有广泛的军用和民用价值。西安电子科技大学八系陈开周教授最近完成并通过鉴定的电科院军事电子预研基金项目...     

三级微波宽带低噪声放大器的设计

介绍了SiGe异质结晶体管的特点和微波宽带低噪声放大器的设计理论;设计了一个采用SiGe异质结晶体管2sc5761的两级微波宽带低噪声放大器电路,并对电路的各项指标进行了优化设计;运用candence软件对电路进行了DRC,LVS验证。在0.5~6 GHz得到12 dB以上的增益和不足2.5 dB的噪声系数,及优良的线性度。     

X波段低温低噪声宽带放大器的研究

阐述利用HEMT微波器件在低温下噪声显著降低的特性,研制X波段低温低噪声放大器的过程.分析了在低温下HEMT器件良好的噪声特性和微带线插损显著降低的特点.采用微波宽带匹配技术,设计并制作出宽带低温低噪声放大器.在液氮温区,其主要性能指标为:工作频率8～10GHz,增益＞26dB,噪声系数≤0.4dB.     

基于反馈技术的宽带低噪声放大器的设计

介绍了宽带放大器的设计方法和负反馈技术。选用增益高、噪声小的高电子迁移率晶体管（HEMT）ATF54143,利用负反馈和宽带匹配技术,设计制作了一个高增益低噪声放大器,并借助于安捷伦公司的微波电路仿真软件ADS进行仿真和优化。测试表明,在50-300 MHz的频率范围内,低噪声放大器的增益大于22 dB,平坦度小于±0.3 dB,噪声系数小于1.25,输入驻波小于1.4,输出驻波小于1.3。     

程控增益低噪声宽带直流放大器的设计

介绍了程控增益低噪声宽带直流放大器的设计原理及流程。采用低噪声增益可程控集成运算放大器AD603和高频三极管2N2219和2N2905等器件设计了程控增益低噪声宽带直流放大器,实现了输入电压有效值小于10mV,输出信号有效值最大可达10V,通频带为0～8MHz,增益可在0～50dB之间5dB的步进进行控制,最高增益达到53dB,且宽带内增益起伏远小于1dB的两级宽带直流低噪声放大器的设计。     

一四一三所一九七八年以来设计定型鉴定的部分产品简介

我所一九七八年以来设计定型鉴定了一批产品,根据使用单位的需要,今年准备组织批量生产,主要产品有CG39微波低噪声管(金属、盘形两种封装),JDF241前置放大器,JDF342微波集成宽带低噪声放大器等。为了便于推广应用,现将四种产品的主要性能介绍如下。若需要使用上述产品,可随时来信来函与一四一三所技术计划科联系。一、产品性能 1.CG39硅微波低噪声晶体管该管采用盘形和金属两种封装形式。主要用于雷达、卫星接收设备,以及各种电子侦察、通讯接收机的低噪声高放和前置中放。其参数分别为:     

基于遗传算法工具箱的宽带LNA设计

探讨了一种新的设计宽带微波低噪声放大器方法;为了降低放大器的噪声系数,采用了低噪声的反馈结构,利用MATLAB遗传算法工具箱进行仿真设计,实现了在0.8～2.4GHz频率范围内,增益G>20dB、增益平坦度|△G|<1.5dB、输入、输出驻波比VSWR<2.2的指标。实测结果证明了仿真结果的正确性。     

超宽带微波光纤延迟线

介绍了宽带微波光纤延迟线的基本原理、系统组成.叙述了超宽带微波光纤延迟线的研制过程,包括:光发射模块的研制、光接收模块的研制、低噪声前置放大器的研制及整个系统链路的设计、链接、调试等.最后给出了超宽带微波光纤延迟线的测试结果.     

系列微波宽带放大器

介绍了反馈式放大器、平衡式放大器及行波式放大器等宽带放大器的工作原理,采用多种宽带电路结构设计制作了系列微波宽带放大器,进行了微波仿真,给出了设计过程及测试结果.频率覆盖2～18 GHz,分为2～8 GHz,4～8 GHz,8～12 GHz,12～18 GHz,6～18 GHz和2～18 GHz 6个品种,增益为10～30 dB,增益平坦度小于2 dB,输入输出驻波比小于2.5,1 dB压缩输出功率可达16 dBm.由于采用模块化设计,技术指标可以灵活调整,满足不同需要.该系列微波宽带放大器采用PHEMT管芯,微波薄膜工艺,封装在密封的金属盒体中,具有系列化、模块化和小型化的特点.     

基于HP41511的微波低噪声放大器的设计

为了降低接收系统中微波放大器的噪声,提高接收机灵敏度,文中介绍了微波低噪声放大器的技术指标和设计方法。并利用ADS软件对微波低噪声放大器的设计进行了优化和仿真。最后使微波低噪声放大器的设计结果达到了设计期望值。     

放大器En-In噪声模型的完善及其与Rn-Gn噪声模型的关系

目前，微波低噪声放大器设计中采用的Ｒｎ－Ｇｎ噪声模型只适用于高频、窄带和源导纳（Ｇｓ≠０）情况，其应用范围有限，特别是不适用于低频段的低噪声放大器设计。本文对文献［１］提出的Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型作了改进，使其不仅适用于高频、窄带，而且也适用于低频、宽带放大器的低噪声设计。进而推导出放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型与Ｒｎ－Ｇｎ噪声模型的等价关系，给出放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的测量方法及实测结果。     

微波低噪声放大器

关于微波低噪声放大器,本文以使晶体管放大器的低噪声化的设计方法为中心,介绍各种低功率放大器及功率放大器的现状。微波低噪声放大器的现状图1就目前的各种微波放大器表示了它们的噪声系数及频率特性。双极晶体管放大器、隧道二极管放大器和参量放大器等是过去人们已热知的低电平工作的低噪声放大器,近几年来晶体管的性能惊人地提高,已出现了在4千兆赫下噪声系数3分贝左     

下期目录预告

<正> 1.4～8 GHz GaAs FET 宽带放大器的新进展2.难熔的 WN 栅自对准 GaAs MESFET 工艺及其在门阵列集成电路中的应用3.应用于雷达和通讯中的 GaAs 低噪声单片微波集成放大器4.低暗电流 InGaAs PIN 光电二极管     

2.0～3.5 GHz单路宽带低噪声放大器

使用微波仿真软件ADS设计了一款用于2.0³.5 GHz无线通信的宽带低噪声放大器。匹配网络采用微带线,减小了分立元件的寄生效应。详细阐述了提高放大器稳定性的方法,实现了PHEMT放大器在全频段的稳定性,并分析了源极反馈电感对放大器性能的影响。在2.03.5 GHz无线通信的宽带低噪声放大器。匹配网络采用微带线,减小了分立元件的寄生效应。详细阐述了提高放大器稳定性的方法,实现了PHEMT放大器在全频段的稳定性,并分析了源极反馈电感对放大器性能的影响。在2.0³.5 GHz频段内,放大器增益为12 dB左右,增益平坦度为0.23 dB,最大噪声系数为2.8 dB,输入输出驻波比小于2,三阶输出截点值OIP3大于35.5 dBm。设计的放大器可以用于无线通信的前段中。     

S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器设计

结合混合微波集成电路(HMIC)工艺和砷化镓单片微波集成电路(MMIC)工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器.采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性.由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,低噪声放大器单片的输入匹配采用外部金丝键合线匹配,有效降低了低噪声放大器单片的噪声系数.限幅器采用混合集成工艺制成,能够耐受较大功率.利用微波仿真软件,设计制作了兰格(Lange)电桥、限幅电路和低噪声放大器输入匹配等电路.最终产品尺寸仅为22 mm×16 mm×6 mm,在2.7～3.5 GHz内增益27 ～ 28 dB,噪声系数小于1.3 dB,驻波比小于1.3,该平衡限幅MMIC低噪声放大器可承受功率超过200 W、占空比为15％的脉冲功率冲击.     

采用噪声抵消技术的宽带SiGe HBT 低噪声放大器设计

宽带低噪声放大器的输入匹配需要兼顾阻抗匹配和噪声匹配.通常,这两个指标是耦合在一起的.现有的宽带匹配技术需要反复协调电路参数,在阻抗匹配和噪声匹配之间折衷,给设计增大了难度.提出一种噪声抵消技术,通过两条并联的等增益支路,在输出端消除了输入匹配网络引入的噪声,实现阻抗匹配和噪声匹配的去耦.基于Jazz 0.35 μm SiGe工艺,设计了一款采用该噪声抵消技术的宽带低噪声放大器.放大器的工作带宽为0.8-2.4 GHz,增益在 16 dB以上,噪声系数小于3.25 dB, S11在-17 dB以下.     

一种高线性SiGe HBT宽带低噪声放大器

简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA)。该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪声和高线性度。电路版图设计后的仿真结果表明,该放大器工作带宽3.78 GHz,功率增益达到27.5 dB,噪声系数(NF)≤2.26 dB,在1.5 GHz信号频率下,输出功率1 dB压缩点(P1dB)为10 dBm。     

GaAs MESFET放大器的设计及其在微波中继中的应用

本文讨论了微波GaAs MESFET放大器的设计方法;并报导了WGF6571型低噪声GaAsMESFET放大器在7GHz微波中继中的应用.     

宽带低噪声AGC放大器的设计与实现

介绍了宽带低噪声AGC放大器的设计方法,并结合具体应用进行了电路设计和实现。