溶胶凝胶法制备〈100〉择优取向钛酸锶钡薄膜

采用适当热处理工艺得到择优取向Ni片,通过溶胶凝胶方法制备〈100〉择优取向BST薄膜,并对薄膜的铁电性及漏电流特性进行了初步研究.结果表明以三氟乙酸代替冰醋酸、以异丙醇钛代替钛酸四丁酯更易得到〈100〉取向BST薄膜,该薄膜在还原气氛中(H2/N2=3/97)热处理后得到〈100〉择优取向BST薄膜.该技术在集成电容、介电可调器件、超导材料缓冲层方面有潜在的应用.     

Zn掺杂制备介电可调PST薄膜

采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜.XRD结果表明:550℃和600℃不同热处理条件下烧结的薄膜均呈单一的钙钛矿相结构.在不同外加直流电场下测试Zn 掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性与热处理温度及过程的关系.发现550℃条件下制备得到的Zn掺杂PST薄膜几乎没有介电可调性,而在600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜具有明显的介电可调性.另外,600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜,其可调性随着保温时间和冷却时间的延长有所增加,介电损耗随保温时间和冷却时间的增大而减小.     

工艺条件对Zn0.88Ni0.02Li0.10O薄膜取向、形貌和磁性的影响

采用旋转涂覆法在普通玻璃上制备了Zn0.88Ni0.02Li0.10O薄膜,以X射线和扫描电镜作为表征手段,讨论了不同工艺参数对该薄膜取向和形貌的影响.结果表明:热处理温度和旋涂速度较高时取向增强,形貌较好.VSM磁性测量表明:在玻璃基底和硅基底旋涂的薄膜都没有出现明显的磁滞现象.     

Mg掺杂Pb0.3Sr0.7(Ti1-xMgxO)3-x陶瓷薄膜的制备及介电性能研究

利用固相烧结法制备的Mg掺杂Pb0.3Sr0.7(Ti1-xMgx)O3-x(PST)陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基板上成功制备了Mg掺杂PST薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分别测定PST薄膜的物相结构、表面形貌及介电性能.结果显示,薄膜具有良好的钙钛矿结构,无明显的择优取向生成,薄膜表面均匀致密.Mg的掺杂改善了PST薄膜电容值的频率特性,使其更加稳定.薄膜电容值随着掺杂含量的增加而降低,在Mg掺杂量x=0.05左右时达到相对最低值,随后略有升高,介电损耗也有类似现象.薄膜可调性受Mg掺杂量的增加而不断下降,总体下降约3倍,但介电损耗总体下降约达5倍.材料的优值在Mg掺杂量x=0.05时反而有所升高.     

溶胶凝胶法制备钛酸锶钡薄膜的热处理工艺研究

采用溶胶-凝胶工艺,以醋酸钡,氯化锶,钛酸丁酯为原料制备了Ba0.8Sr0.2TiO3溶胶,利用提拉法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备BST薄膜,采用XRD衍射分析仪系统研究了不同热处理条件下制备的BST薄膜的晶相结构.结果表明热处理温度在600℃以上时,BST薄膜形成了较为完整的ABO3钙钛矿结构,且随热处理温度升高,热处理时间的延长,晶体生长沿(110)的取向性越好,结晶状况明显改善.     

溶剂、溶胶稳定剂和热处理对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜微观结构的影响

采用溶胶-凝胶法,通过调整溶剂、溶胶稳定剂和热处理工艺在玻璃片上制备出不同工艺参数的ZnO薄膜.利用XRD和SEM考察了ZnO薄膜的择优取向和表面形貌.实验结果表明:采用高沸点溶剂时ZnO薄膜择优取向更强;单乙醇胺为稳定剂时ZnO薄膜择优取向很强,而二乙醇胺或三乙醇胺为稳定剂时择优取向微弱;预处理温度高于ZnO凝胶膜晶化开始温度时择优取向将减弱;最终处理温度在500 ℃以下时,随温度提高,晶粒尺寸增大,择优取向增强.     

热处理工艺对(111)取向Pt薄膜物相与结构的影响

采用射频磁控溅射法成功制各了(111)取向的Pt薄膜.在研究退火工艺对Pt薄膜(111)取向生长的影响基础上,着重研究了退火工艺对Pt薄膜与缓冲层Pr薄膜间的互扩散及薄膜物相、结构的影响规律.结果表明:250℃保温5至25小时,Pt薄膜沿(111)择优取向生长,但保温时间对取向生长的影响不大,此时薄膜为立方结构;当500℃再分别保温2h和4h时,最初沿(111)取向生长的Pt薄膜与Pr薄膜发生互扩散现象,生成BFe结构的PrPt相,保温2h时,除生成PrPt相外,还可能存在一定量的取向Pt,保温4h时,薄膜中只存在PrPt相.本实验为制备(111)强烈取向Pt薄膜开拓了一条新的工艺及方法,同时为控制Pt薄膜的结构与性能、进行开发应用提供了实验依据.     

工艺条件对Zn0．88Ni0．02Li0．10O薄膜取向、形貌和磁性的影响

采用旋转涂覆法在普通玻璃上制备了Zn0.88Ni0.02Li0.10O薄膜，以X射线和扫描电镜作为表征手段，讨论了不同工艺参数对该薄膜取向和形貌的影响。结果表明：热处理温度和旋涂速度较高时取向增强，形貌较好。VSM磁性测量表明：在玻璃基底和硅基底旋涂的薄膜都没有出现明显的磁滞现象。     

电泳法制备择优取向钛酸薄膜

以钛酸的纳米单片层为前驱体,采用电泳沉积法在Pt极板上制备择优取向钛酸薄膜,并通过热处理使其转换成TiO2薄膜。考察了悬浮介质和沉积电压对钛酸薄膜形貌及结构的影响,通过XRD、SEM对薄膜进行了表征。结果表明:在乙醇:水为1:1的悬浮介质中沉积制得的钛酸薄膜均匀、平整、致密,具有很强的b轴取向;薄膜的厚度随电压的升高而增厚;经500℃热处理后,钛酸薄膜转变成具有(101)择优取向的锐钛矿相结构的TiO2薄膜,颗粒尺寸分布均匀,平均粒度约40nm。     

Si(100)衬底上(110)取向La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3薄膜的制备与性能

用脉冲激光沉积法在Si(100)衬底上制备了(110)择优取向的La2/3Sr1/3MnO3薄膜,研究了环境氧压对薄膜结晶度、取向、表面形貌和微结构的影响。结果表明:10Pa氧压下沉积的薄膜具有高结晶度的(110)择优取向,晶粒分布均匀,晶粒分布均匀,表面均方根粗糙度Rrms为1.35 nm。与无明显择优取向的薄膜相比,(110)择优取向的La2/3Sr1/3MnO3薄膜具有较高的饱和磁化强度(Ms)、金属-绝缘体相变温度(TM-I)和较低的电阻率(ρ)。